目录 1
第一章＊ 半导体中的载流子 1
§1-1 半导体的导电性 1
§1-2 平衡载流子的统计 1
§1-3 载流子的运动 17
§1-4 非平衡载流子 22
第二章 p-n结 31
§2-1 p-n结的平衡状态 31
§2-2 p-n结在正向电压下的特性 36
§2-3 p-n结在反向电压下的特性 42
§2-4 p-n结电容 47
§2-5 p-n结的击穿 57
第三章 半导体表面 68
§3-1 表面电荷的来源 68
§3-2 半导体的表面势和表面空间电荷 70
§3-3 界面态 75
§3-4 表面对p-n结二极管性能的影响 80
§4-1 均匀基区晶体管的放大系数 86
第四章 晶体管的直流特性 86
§4-2 漂移晶体管的放大系数 91
§4-3 理想晶体管的直流特性 95
§4-4 共基极的反向特性 99
§4-5 其它电压-电流特性 105
§4-6 小信号参数 112
§4-7 基极电阻与T形等效电路 117
第五章 晶体管的几种结构 128
§5-1 合金结晶体管 128
§5-2 平面晶体管 131
§5-3 平面管的几种具体结构 154
§5-4 可控硅整流器 160
§5-5 双基极二极管 164
第六章 晶体管的频率特性 169
§6-1 基区输运过程和频率的关系 169
§6-2 电流放大系数与频率的关系 177
§6-3 等效电路 187
§6-4 最高振荡频率和高频晶体管的结构 193
附录一 晶体管的参数 200
附录二 基区少子连续性方程的解 201
第七章 晶体管的大电流特性 206
§7-1 大注入效应 206
§7-2 基区扩展效应 211
§7-3 发射极电流集边效应 217
第八章 功率晶体管 222
§8-1 晶体管的热阻和等效热路 222
§8-2 晶体管的热击穿及其参数随温度和工作点的变化 240
§8-3 二次击穿和安全工作区 254
§8-4 高频和微波功率晶体管 266
第九章 开关晶体管 288
§9-1 二极管的开关特性 288
§9-2 晶体管的开关作用和大信号特性 293
§9-3 晶体管的开关过程 296
§9-4 开关晶体管 301
第十章 MIS结构的电容及稳定性 305
§10-1 理想MOS结构的电容-电压特性（C-V特性） 305
§10-2 实际MOS结构的C-V特性 315
§10-3 MOS结构的不稳定性 324
§10-4 MIS结构的不稳定性 326
§10-5 MIOS非挥发性存储器 334
第十一章 场效应晶体管 345
§11-1 MOS晶体管的工作原理和特性 345
§11-2 阈电压VT 351
§11-3 MOS晶体管输出特性的数学分析 357
§11-4 MOS晶体管的直流参数及其与温度的关系 362
§11-5 MOS晶体管的小信号参数、等效电路及其频率特性 366
§11-6 MOS倒相器电路的瞬态响应 377
§11-7 MOS晶体管制造工艺 387
§11-8 MOS晶体管性能的提高 394
§11-9 结型场效应晶体管 407
第十二章 晶体管的噪声 413
§12-1 晶体管的噪声 413
§12-2 晶体管的噪声源 415
§12-3 双极型晶体管高频噪声系数的近似表达式 420
§12-4 双极型高频低噪声晶体管 428
§12-5 MOS晶体管的噪声 436