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晶体管原理
晶体管原理

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工业技术

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  • 作 者:陈星弼,唐茂成编
  • 出 版 社:北京:国防工业出版社
  • 出版年份:1981
  • ISBN:15034·2216
  • 页数:442 页
图书介绍:
《晶体管原理》目录

目录 1

第一章* 半导体中的载流子 1

§1-1 半导体的导电性 1

§1-2 平衡载流子的统计 1

§1-3 载流子的运动 17

§1-4 非平衡载流子 22

第二章 p-n结 31

§2-1 p-n结的平衡状态 31

§2-2 p-n结在正向电压下的特性 36

§2-3 p-n结在反向电压下的特性 42

§2-4 p-n结电容 47

§2-5 p-n结的击穿 57

第三章 半导体表面 68

§3-1 表面电荷的来源 68

§3-2 半导体的表面势和表面空间电荷 70

§3-3 界面态 75

§3-4 表面对p-n结二极管性能的影响 80

§4-1 均匀基区晶体管的放大系数 86

第四章 晶体管的直流特性 86

§4-2 漂移晶体管的放大系数 91

§4-3 理想晶体管的直流特性 95

§4-4 共基极的反向特性 99

§4-5 其它电压-电流特性 105

§4-6 小信号参数 112

§4-7 基极电阻与T形等效电路 117

第五章 晶体管的几种结构 128

§5-1 合金结晶体管 128

§5-2 平面晶体管 131

§5-3 平面管的几种具体结构 154

§5-4 可控硅整流器 160

§5-5 双基极二极管 164

第六章 晶体管的频率特性 169

§6-1 基区输运过程和频率的关系 169

§6-2 电流放大系数与频率的关系 177

§6-3 等效电路 187

§6-4 最高振荡频率和高频晶体管的结构 193

附录一 晶体管的参数 200

附录二 基区少子连续性方程的解 201

第七章 晶体管的大电流特性 206

§7-1 大注入效应 206

§7-2 基区扩展效应 211

§7-3 发射极电流集边效应 217

第八章 功率晶体管 222

§8-1 晶体管的热阻和等效热路 222

§8-2 晶体管的热击穿及其参数随温度和工作点的变化 240

§8-3 二次击穿和安全工作区 254

§8-4 高频和微波功率晶体管 266

第九章 开关晶体管 288

§9-1 二极管的开关特性 288

§9-2 晶体管的开关作用和大信号特性 293

§9-3 晶体管的开关过程 296

§9-4 开关晶体管 301

第十章 MIS结构的电容及稳定性 305

§10-1 理想MOS结构的电容-电压特性(C-V特性) 305

§10-2 实际MOS结构的C-V特性 315

§10-3 MOS结构的不稳定性 324

§10-4 MIS结构的不稳定性 326

§10-5 MIOS非挥发性存储器 334

第十一章 场效应晶体管 345

§11-1 MOS晶体管的工作原理和特性 345

§11-2 阈电压VT 351

§11-3 MOS晶体管输出特性的数学分析 357

§11-4 MOS晶体管的直流参数及其与温度的关系 362

§11-5 MOS晶体管的小信号参数、等效电路及其频率特性 366

§11-6 MOS倒相器电路的瞬态响应 377

§11-7 MOS晶体管制造工艺 387

§11-8 MOS晶体管性能的提高 394

§11-9 结型场效应晶体管 407

第十二章 晶体管的噪声 413

§12-1 晶体管的噪声 413

§12-2 晶体管的噪声源 415

§12-3 双极型晶体管高频噪声系数的近似表达式 420

§12-4 双极型高频低噪声晶体管 428

§12-5 MOS晶体管的噪声 436

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