前言 1
序 1
主要符号，基本常数值，能量单位的变换因子第1章 半导体原理（郑广垣译）引言 1
目录 1
电子和空穴 2
能带 4
能带的自由原子分析方法 4
能带的自由电子分析方法 8
本征半导电 14
半导电性 14
施主和受主 16
杂质半导体 16
偏离化学计量比 18
施主和受主的能级 19
电子和空穴的平衡 21
费密-狄喇克分布定律 21
费密-狄喇克统计对半导体的应 24
用 24
电导率 30
载流子的行为 30
霍耳效应 33
塞贝克效应 35
霍耳效应和塞贝克效应的比较 39
非平衡载流子的行为 39
结 41
p-n结 41
面结合型半导体三极管 43
第2章 半导体化学的概论（方俊鑫译）引言 46
本征半导体 47
主族 49
d带半导体 54
有机半导体 54
具有正常离子性电导的材料的电子电导 55
应用 58
不完整性 58
电子和空穴（符号e-和e+） 61
空格点（符号V,VM,V？等） 62
填隙原子（符号I,MI,M？等） 66
格点的替位（符号S,Ms,M？等） 67
不完整性的互作用；复式不完整性 69
不完整性化学理论的概述 73
复杂系统中的平衡 75
在表面和位错处的化学 77
第3章 半导体晶体的生长（屈逢源译）引言 80
从熔体中生长 81
一般考虑 82
在坩埚中生长 87
晶体的抽制 91
无坩埚的生长 101
一般考虑 110
从溶液中生长 110
溶液技术 112
从汽相中生长晶体 116
一般考虑 116
直接从蒸汽生长 117
从汽相中利用化学反应的生长 120
第4章 凝固方法控制半导体成分（屈逢源译）引言 129
平衡时的液相和固相 130
理想的二元系溶液和固溶体 130
理想稀固溶体和理想液体溶液 131
熔点附近的分配系数、液线和固线 134
分配系数作为温度和成分的函数 135
分配系数的相互关系 138
非平衡时的固相和液相：凝固 139
一种组元液体的凝固 139
两种组元液体的凝固 141
液相和固相中的输运过程对成分的 142
影响 142
平衡凝入 142
简单凝入 143
受扩散控制的凝入 143
正常凝固 146
凝固方法对固相成分的影响 146
区域熔化 147
守恒的凝固法 147
不守恒的凝固法 150
应用 151
纯化 152
均匀的固相成分 155
非均匀的杂质分布 157
第5章 半导体中缺陷的互作用（包宗明译）引言 167
理论背景 168
复相平衡 169
缺陷作为品种 170
半导体中缺陷的平衡 170
半导体和水溶液间的类同 170
溶解度平衡——空穴-电子平衡效应 173
溶解度平衡——离子配偶对于溶解度的作用 177
离子偶过程和动力学 179
含有锂的离子偶 180
离子配偶弛豫 182
离子偶和载流子的互作用 184
三重离子 185
替位离子的配偶 186
其他缔合的复合物 188
空格点-空格点配偶 188
空格点-原子和空格点-离子复合物 188
半导体中化合物的形成 189
施主和受主原子之间的反应 190
在含氧硅中的反应 190
第6章 锗和硅中的扩散过程（唐璞山译）引言 195
扩散过程的基本原理 195
扩散系数的概念 195
化学势及扩散 197
扩散中的边界值问题 197
扩散动力学 198
半导体中扩散的测量 200
总电导方法 201
薄层电导 202
p-n结方法 204
电容方法 205
其他电学方法 206
锗和硅中扩散的研究 206
氢和氦在锗和硅中的扩散 206
锂在锗和硅中的扩散 208
铜在锗和硅中的扩散 211
Ⅲ族和Ⅴ族元素在锗和硅中的 215
扩散 215
其他元素的扩散 218
表面效应 219
宏观扩散中的内建场 221
在硅中氧的扩散 223
可控扩散的反应 224
辐射致损伤的退火 226
铜、镍、锂在锗和硅中的沉淀 227
第7章 几种化合物半导体的化学（包宗明译）引言 239
晶体不完整性的一般处理 240
术语 240
蒸汽和具有弗仑克尔无序的晶体之间的平衡 241
完全离化而来的简化 243
外来原子的加入 246
应用于实验 249
硫化铅 249
在硫化铅中的填隙铜原子 255
硫化镉 257
氧化钡 260
氧化锌 267
烧结氧化锌 275
第8章 Ⅳ族半导体（陆栋译） 278
引言 278
锗和硅的本征电学性质 279
能带 279
晶格振动谱 289
本征电导性和禁带 292
杂质及不完整性的作用 294
“浅”杂质能级 295
离化平衡 297
深位置的杂质能级 300
等温的输运现象 304
一般的实验程序 305
电导率和迁移率 306
p型材料的晶格散射 313
杂质的作用 315
n型材料中的磁阻 321
压阻 323
热输送性质 324
实验程序 325
温差电学 325
热磁现象 330
热导 331
锗和硅的其他性质 333
在强电场的非欧姆行为——“热电子” 333
热力学性质 334
磁化率 335
其他Ⅳ族半导体 336
金刚石 336
锗硅合金 337
碳化硅 337
灰锡 338
液相 338
第9章 几种共价半导体的性质（蒋平译）引言 343
Ⅲ-Ⅴ族化合物 343
锑化铟 345
砷化铟 357
磷化铟 361
锑化镓 363
砷化镓 364
锑化铝 368
其他Ⅲ-Ⅴ族化合物 369
Ⅴ-Ⅵ族化合物（A？B？） 369
Ⅱ-Ⅳ族化合物（A？BIV） 375
碲、硒和硼 377
第10章 半导体的红外吸收（王迅译）引言 388
实验方法 388
能带之间的电子跃迁 390
硅和锗的吸收限 390
硅锗合金的吸收限 395
锑化铟的吸收限 396
振荡磁光吸收 397
EG的温度和压强效应 399
满带间跃迁 400
晶格吸收 403
自由载流子吸收 406
有效质量的确定 409
电极化率 409
红外回旋共振 411
杂质态 411
浅杂质态的理论 415
理论和实验结果的比较 418
光学电离能 420
深能级 421
电性不活泼杂质 421
光电导性 425
第11章 复合和陷阱（孙恒慧译） 430
引言 430
复合 430
锗复合中心的化学起源 434
晶体不完整性作为锗的复合中心 436
寿命的温度依赖关系 437
硅和锑化铟的复合 437
测量寿命的方法 439
辐射复合 445
少数载流子的陷阱 446
陷阱中心的化学起源 449
第12章 不完整性对锗和硅的效应（屈逢源译）引言 453
缺陷的类型 453
点缺陷 454
线缺陷 454
面缺陷 456
范性形变 457
位错理论的基础 457
位错运动 459
位错源 459
位错的弹性互作用 462
位错的组合 464
位错的割阶 464
加工硬化 465
同点缺陷的互作用 466
锗和硅中的位错 467
位错的几何 467
位错的检察 469
锗和硅的形变 469
对位错理论的证实 472
缺陷对性质的影响 474
轰击的效应 474
淬火效应 475
形变效应 475
退火效应 476
位错对载流子数目的影响 476
位错对迁移率的效应 479
位错对寿命的效应 479
第13章 几种氧化物和硫化物的半导电性质（钱佑华译）引言 482
非单晶样品的特质 483
电导率 484
霍耳效应 486
温差电动势率 487
介电常数 487
微孔电导率 488
晶格极化的作用 491
晶格振动的极化支同导电电子和空穴 491
耦合常数 495
光学支散射 496
极化子和束缚态 499
有效离子电荷 500
硷土氧化物 502
氧化镁 502
氧化钡 507
氧化钙和氧化锶 513
纤维锌矿-闪锌矿型化合物 513
氧化锌 516
硫化镉 520
碲化镉 523
其他化合物——氧化镉 525
硫化铅、硒化铅和碲化铅 525
第14章 3d过渡金属的氧化物（蒋平译）引言 535
反铁磁性 537
原子轨道和晶体场 541
3d带 545
TiO2（组态d0） 546
TiO（组态d2） 547
Ti2O3（组态d1）和V2O3（组态d2） 548
4s,3d和2p能级的相对能量 550
氧化镍，NiO 555
氧化铁，Fe2O3 561
3d能级中的输运 563
第15章 有机半导体（戴道宣译） 567
引言 567
实验技术概述 569
粉末和蒸发薄膜的测量 570
单晶体的半电导性 577
蒽（单斜晶系：空间群C？） 578
萘（单斜晶系：空间群C？） 579
酞花菁和金属酞化菁（单斜晶系：空间群O？） 581
嵌二萘 582
对联三苯 582
反茋和苯茋 582
单晶体的光电导性 583
杂质的作用 585
其他实验资料 587
结晶学的数据 587
温差电的测量 588
磁学性质 588
电离势和电子亲合势 589
光谱的数据 589
不存在电解的验证 590
介电性质 590
点接触整流 590
实验结果的综述 591
理论研究 592
展望 599
附录 600
第16章 半导体表面（郑广垣译） 606
引言 606
术语的定义 608
半导体的表面 608
金属-半导体系统 610
气体或真空-半导体系统 613
空间电荷区中载流子的迁移率 613
表面状态 614
小结 616
半导体上的吸附 617
理论 617
实验 620
厚氧化膜 622
薄氧化膜 623
催化作用 624
光效应 624
半导体上的光催化作用 629
半导体表面的电学性质 630
通论 630
清洁表面的电学测量 631
单质半导体的腐蚀表面的电学测量 636
化合物半导体 645
第17章 半导体电极（钱佑华译） 653
引言 653
边界层间的电势降 654
平衡的情况 654
界面区域中的电荷分布 656
电荷迁移的过程 658
准平衡的电极动力学 662
空穴和电子的供应 662
唯象方程 664
锗电极 666
锗电极上的其他反应 671
其他半导体电极 671
腐蚀动力学：蚀刻 672