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前言 1

序 1

主要符号，基本常数值，能量单位的变换因子第1章 半导体原理（郑广垣译）引言 1

目录 1

电子和空穴 2

能带 4

能带的自由原子分析方法 4

能带的自由电子分析方法 8

本征半导电 14

半导电性 14

施主和受主 16

杂质半导体 16

偏离化学计量比 18

施主和受主的能级 19

电子和空穴的平衡 21

费密-狄喇克分布定律 21

费密-狄喇克统计对半导体的应 24

用 24

电导率 30

载流子的行为 30

霍耳效应 33

塞贝克效应 35

霍耳效应和塞贝克效应的比较 39

非平衡载流子的行为 39

结 41

p-n结 41

面结合型半导体三极管 43

第2章 半导体化学的概论（方俊鑫译）引言 46

本征半导体 47

主族 49

d带半导体 54

有机半导体 54

具有正常离子性电导的材料的电子电导 55

应用 58

不完整性 58

电子和空穴（符号e-和e+） 61

空格点（符号V,VM,V？等） 62

填隙原子（符号I,MI,M？等） 66

格点的替位（符号S,Ms,M？等） 67

不完整性的互作用；复式不完整性 69

不完整性化学理论的概述 73

复杂系统中的平衡 75

在表面和位错处的化学 77

第3章 半导体晶体的生长（屈逢源译）引言 80

从熔体中生长 81

一般考虑 82

在坩埚中生长 87

晶体的抽制 91

无坩埚的生长 101

一般考虑 110

从溶液中生长 110

溶液技术 112

从汽相中生长晶体 116

一般考虑 116

直接从蒸汽生长 117

从汽相中利用化学反应的生长 120

第4章 凝固方法控制半导体成分（屈逢源译）引言 129

平衡时的液相和固相 130

理想的二元系溶液和固溶体 130

理想稀固溶体和理想液体溶液 131

熔点附近的分配系数、液线和固线 134

分配系数作为温度和成分的函数 135

分配系数的相互关系 138

非平衡时的固相和液相：凝固 139

一种组元液体的凝固 139

两种组元液体的凝固 141

液相和固相中的输运过程对成分的 142

影响 142

平衡凝入 142

简单凝入 143

受扩散控制的凝入 143

正常凝固 146

凝固方法对固相成分的影响 146

区域熔化 147

守恒的凝固法 147

不守恒的凝固法 150

应用 151

纯化 152

均匀的固相成分 155

非均匀的杂质分布 157

第5章 半导体中缺陷的互作用（包宗明译）引言 167

理论背景 168

复相平衡 169

缺陷作为品种 170

半导体中缺陷的平衡 170

半导体和水溶液间的类同 170

溶解度平衡——空穴-电子平衡效应 173

溶解度平衡——离子配偶对于溶解度的作用 177

离子偶过程和动力学 179

含有锂的离子偶 180

离子配偶弛豫 182

离子偶和载流子的互作用 184

三重离子 185

替位离子的配偶 186

其他缔合的复合物 188

空格点-空格点配偶 188

空格点-原子和空格点-离子复合物 188

半导体中化合物的形成 189

施主和受主原子之间的反应 190

在含氧硅中的反应 190

第6章 锗和硅中的扩散过程（唐璞山译）引言 195

扩散过程的基本原理 195

扩散系数的概念 195

化学势及扩散 197

扩散中的边界值问题 197

扩散动力学 198

半导体中扩散的测量 200

总电导方法 201

薄层电导 202

p-n结方法 204

电容方法 205

其他电学方法 206

锗和硅中扩散的研究 206

氢和氦在锗和硅中的扩散 206

锂在锗和硅中的扩散 208

铜在锗和硅中的扩散 211

Ⅲ族和Ⅴ族元素在锗和硅中的 215

扩散 215

其他元素的扩散 218

表面效应 219

宏观扩散中的内建场 221

在硅中氧的扩散 223

可控扩散的反应 224

辐射致损伤的退火 226

铜、镍、锂在锗和硅中的沉淀 227

第7章 几种化合物半导体的化学（包宗明译）引言 239

晶体不完整性的一般处理 240

术语 240

蒸汽和具有弗仑克尔无序的晶体之间的平衡 241

完全离化而来的简化 243

外来原子的加入 246

应用于实验 249

硫化铅 249

在硫化铅中的填隙铜原子 255

硫化镉 257

氧化钡 260

氧化锌 267

烧结氧化锌 275

第8章 Ⅳ族半导体（陆栋译） 278

引言 278

锗和硅的本征电学性质 279

能带 279

晶格振动谱 289

本征电导性和禁带 292

杂质及不完整性的作用 294

“浅”杂质能级 295

离化平衡 297

深位置的杂质能级 300

等温的输运现象 304

一般的实验程序 305

电导率和迁移率 306

p型材料的晶格散射 313

杂质的作用 315

n型材料中的磁阻 321

压阻 323

热输送性质 324

实验程序 325

温差电学 325

热磁现象 330

热导 331

锗和硅的其他性质 333

在强电场的非欧姆行为——“热电子” 333

热力学性质 334

磁化率 335

其他Ⅳ族半导体 336

金刚石 336

锗硅合金 337

碳化硅 337

灰锡 338

液相 338

第9章 几种共价半导体的性质（蒋平译）引言 343

Ⅲ-Ⅴ族化合物 343

锑化铟 345

砷化铟 357

磷化铟 361

锑化镓 363

砷化镓 364

锑化铝 368

其他Ⅲ-Ⅴ族化合物 369

Ⅴ-Ⅵ族化合物（A？B？） 369

Ⅱ-Ⅳ族化合物（A？BIV） 375

碲、硒和硼 377

第10章 半导体的红外吸收（王迅译）引言 388

实验方法 388

能带之间的电子跃迁 390

硅和锗的吸收限 390

硅锗合金的吸收限 395

锑化铟的吸收限 396

振荡磁光吸收 397

EG的温度和压强效应 399

满带间跃迁 400

晶格吸收 403

自由载流子吸收 406

有效质量的确定 409

电极化率 409

红外回旋共振 411

杂质态 411

浅杂质态的理论 415

理论和实验结果的比较 418

光学电离能 420

深能级 421

电性不活泼杂质 421

光电导性 425

第11章 复合和陷阱（孙恒慧译） 430

引言 430

复合 430

锗复合中心的化学起源 434

晶体不完整性作为锗的复合中心 436

寿命的温度依赖关系 437

硅和锑化铟的复合 437

测量寿命的方法 439

辐射复合 445

少数载流子的陷阱 446

陷阱中心的化学起源 449

第12章 不完整性对锗和硅的效应（屈逢源译）引言 453

缺陷的类型 453

点缺陷 454

线缺陷 454

面缺陷 456

范性形变 457

位错理论的基础 457

位错运动 459

位错源 459

位错的弹性互作用 462

位错的组合 464

位错的割阶 464

加工硬化 465

同点缺陷的互作用 466

锗和硅中的位错 467

位错的几何 467

位错的检察 469

锗和硅的形变 469

对位错理论的证实 472

缺陷对性质的影响 474

轰击的效应 474

淬火效应 475

形变效应 475

退火效应 476

位错对载流子数目的影响 476

位错对迁移率的效应 479

位错对寿命的效应 479

第13章 几种氧化物和硫化物的半导电性质（钱佑华译）引言 482

非单晶样品的特质 483

电导率 484

霍耳效应 486

温差电动势率 487

介电常数 487

微孔电导率 488

晶格极化的作用 491

晶格振动的极化支同导电电子和空穴 491

耦合常数 495

光学支散射 496

极化子和束缚态 499

有效离子电荷 500

硷土氧化物 502

氧化镁 502

氧化钡 507

氧化钙和氧化锶 513

纤维锌矿-闪锌矿型化合物 513

氧化锌 516

硫化镉 520

碲化镉 523

其他化合物——氧化镉 525

硫化铅、硒化铅和碲化铅 525

第14章 3d过渡金属的氧化物（蒋平译）引言 535

反铁磁性 537

原子轨道和晶体场 541

3d带 545

TiO2（组态d0） 546

TiO（组态d2） 547

Ti2O3（组态d1）和V2O3（组态d2） 548

4s,3d和2p能级的相对能量 550

氧化镍，NiO 555

氧化铁，Fe2O3 561

3d能级中的输运 563

第15章 有机半导体（戴道宣译） 567

引言 567

实验技术概述 569

粉末和蒸发薄膜的测量 570

单晶体的半电导性 577

蒽（单斜晶系：空间群C？） 578

萘（单斜晶系：空间群C？） 579

酞花菁和金属酞化菁（单斜晶系：空间群O？） 581

嵌二萘 582

对联三苯 582

反茋和苯茋 582

单晶体的光电导性 583

杂质的作用 585

其他实验资料 587

结晶学的数据 587

温差电的测量 588

磁学性质 588

电离势和电子亲合势 589

光谱的数据 589

不存在电解的验证 590

介电性质 590

点接触整流 590

实验结果的综述 591

理论研究 592

展望 599

附录 600

第16章 半导体表面（郑广垣译） 606

引言 606

术语的定义 608

半导体的表面 608

金属-半导体系统 610

气体或真空-半导体系统 613

空间电荷区中载流子的迁移率 613

表面状态 614

小结 616

半导体上的吸附 617

理论 617

实验 620

厚氧化膜 622

薄氧化膜 623

催化作用 624

光效应 624

半导体上的光催化作用 629

半导体表面的电学性质 630

通论 630

清洁表面的电学测量 631

单质半导体的腐蚀表面的电学测量 636

化合物半导体 645

第17章 半导体电极（钱佑华译） 653

引言 653

边界层间的电势降 654

平衡的情况 654

界面区域中的电荷分布 656

电荷迁移的过程 658

准平衡的电极动力学 662

空穴和电子的供应 662

唯象方程 664

锗电极 666

锗电极上的其他反应 671

其他半导体电极 671

腐蚀动力学：蚀刻 672