目录 1
第一章 p-n结 1
§1-1 p-n结的平衡状态 1
§1-2 p-n结在正向电压下的特性 7
§1-3 p-n结在反向电压下的特性 13
§1-4 准费米能级 17
§1-5 p-n结势垒电容 21
§1-6 p-n结小讯号交流特性；扩散电容 27
§1-7 p-n结的开关特性 29
§1-8 p-n结的击穿 34
第二章 晶体管的直流特性 50
§2-1 均匀基区晶体管的放大系数 50
§2-2 缓变基区晶体管的放大系数 57
§2-3 晶体管的电流-电压方程 64
§2-4 晶体管的反向特性 69
§2-5 基极电阻 77
§2-6 直流小信号参数与等效电路 83
第三章 晶体管的频率特性 93
§3-1 基区输运系数和频率的关系 93
§3-2 电流放大系数与频率的关系 101
§3-3 交流小信号电流-电压方程 113
§3-4 功率增益和最高振荡频率 121
附录 从连续性方程推导本征晶体管的电流与电压的关系 125
第四章 晶体管的功率特性 133
§4-1 大注入效应 133
§4-2 大电流下的基区扩展效应 138
§4-3 发射极电流集边效应 143
§4-4 晶体管的热学性质 147
§4-5 二次击穿和安全工作区 154
§5-1 晶体管的开关作用和静态大信号特性 163
第五章 晶体管的开关特性 163
§5-2 晶体管的开关过程 172
§5-3 电荷控制模型及葛谋-潘模型 178
第六章 晶体管的噪声特性 188
§6-1 晶体管的噪声 188
§6-2 晶体管的噪声源 190
§6-3 晶体管的高频噪声等效电路 194
§6-4 高频噪声系数的近似表达式 197
§6-5 晶体管高频噪声的基本特性 201
第七章 晶体管的设计 205
§7-1 概述 205
§7-2 高频和微波功率晶体管的设计 206
§7-3 微波功率晶体管设计实例 229
§7-4 高频和微波低噪声晶体管的设计 236
§8-1 基本工作原理 250
第八章 结型栅与肖特基势垒栅场效应晶体管 250
§8-2 JFET的电流-电压方程 253
§8-3 JFET的直流和小信号交流参数 259
§8-4 JFET的小信号高频等效电路及其频率特性 262
§8-5 短沟道JFET中强电场中迁移率调制效立 268
§8-6 JFET的高频噪声 273
§8-7 结型场效应晶体管的结构 276
§9-1 MOSFET的工作原理和特性 283
第九章 绝缘栅场效应晶体管 283
§9-2 MOSFET的阈电压VT 286
§9-3 MOSFET输出特性的数学分析 292
§9-4 MOSFET的亚阈区导电 297
§9-5 MOSFET的直流参数及其与温度的关系 299
S 9-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性 304
§9-7 MOSFET的噪声 316
§9-8 短沟道效应 322
§9-9 MOSFET的结构 339