一 轴沟道 149
目录上册第一章 引言第二章 带电粒子在原子为无序分布物质中的运动第三章 离子束分析固态材料的组分和结构第四章 溅射物理第五章 带电粒子在晶体中的沟道效应第六章 沟道效应和阻塞效应的应用下册第七章 离子注入及其应用 621
§7.1 注入离子的射程和射程分布理论 624
一 射程概念和射程的均方偏差 625
二 射程分布的统计理论 630
三 投影射程 641
四 低速重离子在固体中的射程 648
五 注入离子在非晶靶的浓度分布 654
六 单晶靶中的射程分布 678
§7.2 辐射增强扩散效应 689
一 增强扩散的基本概念 689
二 增强扩散的类型 694
三 增强扩散机理 698
四 多元扩散模型 705
五 增强扩散效应的应用 713
§7.3 注入离子在晶格中的位置 719
一 半导体中注入离子的位置 720
二 缺陷的移动和定位 725
§7.4 离子注入层的电学性质 727
一 离子注入机的概念和类型 735
§7.5 离子注入系统 735
二 弱流和中等流强注入机 737
三 强流注入机 740
四 离子注入设备的物理限制 744
五 离子注入机的在线控制 753
§7.6 离子注入器件的应用 759
一 平面扩散工艺和离子注入法 759
二 全离子注入晶体管的电参量控制 766
三 离子注入MOS场效应晶体管 773
四 离子注入制备集成电路中的高值电阻 777
五 离子注入在硅加工中的发展 780
§7.7 离子注入化合物半导体 787
一 离子注入化合物半导体的特点和化学配比 787
二 退火保护问题 792
三 大规模高速集成电路的制备和离子注入化合物半导体（GaAs）器件 797
§7.8 离子注入对金属的改性 800
一 金属中离子注入的特点和物理因素 801
二 离子注入表面的力学性质 804
三 提高金属表面抗腐蚀能力 815
§7.9 离子注入超导体的研究 821
一 超导电性和超导临界温度 822
二 离子注入对超导临界温度Tc的影响 824
三 注入金属氢化物的超导性和超导体中氢的作用 826
§7.10 离子注入合金的穆斯堡尔研究 833
一 内转换电子穆斯堡尔测量 833
二 磨损改善的机理——N+或C+注入铁 835
三 扩散的影响 837
四 磨损前后相的变化——锡注入铁 838
附录 射程计算机程序 841
参考文献 855
§8.1 能量淀积和损伤分布 861
第八章 辐照损伤 861
一 离子注入产生的缺陷 862
二 级联碰撞和原子位移 870
三 能量淀积的WSS理论 876
四 矩方程及其求解 881
五 “高能”离子在固体中能量淀积的“直接法” 897
六 沟道作用和聚焦作用 905
七 损伤及损伤分布 913
§8.2 缺陷的迁移和退火 923
一 缺陷迁移速率和聚集 923
二 热退火 927
三 激光退火 935
四 电子束退火 946
§8.3 金属中的辐射损伤 950
一 辐射缺陷的产生及其相互作用 951
二 金属玻璃辐射损伤的特性 962
一 超精细相互作用 967
§8.4 超精细相互作用和缺陷 967
二 扰动角关联和穆斯堡尔效应 969
三 辐射缺陷的研究 975
四 缺陷-反缺陷反应 981
五 133Xe注入金属形成空位簇 982
§8.5 辐射对有机物质的作用 985
一 聚合物的辐射交联和降解 986
二 辐射交联的机理 990
三 固态有机材料的辐射损伤 995
四 辐照剂量率和温度效应 1000
§8.6 电子自旋共振（ESR）对极低温（4K）下聚合物辐射损伤的研究 1003
一 电子自旋共振和基浓度的测量 1003
二 辐照对基在空间分布的影响 1011
三 氢原子迁移的减弱 1014
四 极低温度（4K）下氢原子的反应率 1014
§8.7 重离子轰击固态生物体产生自由基 1016
一 室温下自由基的产生 1016
二 低温下（77K）自由基的产生 1027
三 “热钉扎”模型及其检验 1028
§8.8 正电子洇灭研究辐照损伤 1033
一 正电子洇灭的物理基础和实验技术 1033
二 捕获模型和金属中的辐照损伤 1045
三 电子辐照钼的损伤及退火效应 1048
四 辐照聚四氟乙烯的正电子寿命谱的分析 1055
附录Ⅰ 三维碰撞级联 1058
附录Ⅱ 矩积分 1059
附录Ⅲ 捕获模型 1061
参考文献 1067
第九章 离子束引起原子混合 1072
§9.1 薄膜系统中离子引起的反应 1072
一 离子感生反应的特点 1073
二 硅化物和金属间化合物 1078
三 热退火引起的相互混合 1080
四 金属固熔体的形成 1083
§9.2 碰撞混合的理论 1089
一 原子位置重排截面 1091
二 基体原子重排及多次重排 1095
三 各向同性的级联混合 1097
四 多次反冲注入 1101
五 含有铂标记层硅中的离子束混合 1103
§9.3 离子束混合机理的实验研究 1109
一 长程混合和短程混合 1109
二 化学效应对混合率的影响 1115
三 原子混合率的温度关联 1118
§9.4 界面反应和原子混合的唯象模型 1119
一 原子的重排和反应 1120
二 扩散控制和反应控制的界面反应 1122
三 扩散混合与碰撞混合的统一描述 1125
§9.5 离子束混合的应用 1128
一 离子束混合在一些物理过程中的作用 1128
二 离子束混合用于材料改性 1128
三 离子束混合微合金 1130
附录Ⅰ 方程（9.2-19）和（9.2-20）的推导 1131
附录Ⅱ 级联混合的随机走动模型 1133
参考文献 1134
第十章 沟道辐射 1137
§10.1 带电轻粒子在晶格沟道中运动的特点 1137
一 横向运动方程 1138
二 相互作用势和束缚态 1143
§10.2 沟道辐射谱学 1149
二 平面沟道 1154
§10.3 实验安排 1162
§10.4 沟道辐射与其他几种辐射的比较 1165
一 相干轫致辐射 1165
二 跃迁辐射 1167
三 同步辐射 1168
§10.5 沟道辐射的应用前景 1168
参考文献 1169