一、半导体物理 1
半导体 1
量子力学 1
能级 2
格矢 2
倒格子 2
倒格矢 2
波矢 2
k空间 3
动量空间 3
布里渊区 3
能带 3
空带 3
满带 3
价带 4
导带 4
禁带 4
带尾 4
能谷 4
子能谷 4
多能谷半导体 4
等能面 5
态密度 5
有效质量 5
杂质能级 5
深能级 5
浅能线 6
简并 6
费米分布函数 6
费米能级 6
准费米能级 7
玻尔兹曼分布函数 7
载流子 7
空穴 7
少数载流子 7
多数载流子 8
非平衡载流子 8
平衡载流子 8
平衡载流子密度 8
注入 8
施主 8
受主 9
N型半导体 9
P型半导体 9
本征半导体 9
复合 10
体内复合 10
表面复合 10
复合中心 10
寿命 10
陷阱 10
俘获 10
等电子复合中心 11
散射 11
自由程 11
弛豫时间 11
漂移运动 11
迁移率 12
微分迁移率 12
载流子的扩散运动 12
扩散系数 13
扩散长度 13
负阻效应 13
功函数 13
功函数差 13
势垒 13
接触势垒 13
肖特基势垒 13
表面现象 14
理想表面 14
表面势 14
表面势垒 15
表面积累层 15
表面耗尽层 15
表面反型层 15
强反型 15
场感应结 15
表面沟道 15
表面态 15
快态 16
慢态 16
界面态 16
固定表面电荷 16
氧化层中的可动电荷 16
平带电压 16
PN结 16
自建电场 17
PN结势垒 17
PN结耗尽层宽度 18
PN结电容 18
正偏结 18
反偏结 18
PN结电击穿 19
雪崩击穿 19
齐纳击穿 19
硬击穿 19
软击穿 20
PN结的热击穿 20
元激发 20
基态 20
激发态 20
激发 20
跃迁 21
格波 21
激子 21
极化子 21
光子 21
跃迁几率 21
垂直跃迁 22
非垂直跃迁 22
光吸收 22
吸收光谱 23
光生载流子 23
光注入 23
光电导 23
光生伏特效应 23
二、半导体材料 24
半导体材料 24
元素半导体 24
锗 24
硅 24
硒 25
化合物半导体 25
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 25
砷化镓 25
磷化镓 25
磷化铟 26
锑化铟 26
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 26
硫化镉 26
硫化锌 26
氧化物半导体 26
有机半导体 26
固溶体半导体 26
镓铝砷 27
镓砷磷 27
碲镉汞 27
玻璃半导体 27
极性半导体 27
离子晶体半导体 27
金属间化合物半导体 28
直接跃迁半导体 28
间接跃迁半导体 28
磁性半导体 28
磁阻半导体 28
压电半导体 28
气敏半导体 28
晶体 29
完美晶体 29
单晶 29
多晶 29
无位错单晶 29
孪晶 29
晶胞 29
晶格 29
晶面 29
晶向 30
空间点阵 30
晶格常数 30
晶向指数 30
晶面指数 30
密勒指数 30
金刚石结构 30
闪锌矿结构 31
滑移面 31
解理面 31
晶体缺陷 31
点缺陷 31
位错 32
位错密度 32
层错 32
堆垛层错 33
微缺陷 33
空位团 33
杂质团 33
微杂质沉淀 33
环形缺陷 34
应力图形 34
导电类型 34
电阻率 34
电导率 34
霍耳迁移率 35
霍耳系数 35
磁阻迁移率 35
磁阻 35
含氧量 36
含碳量 36
光点定向 36
腐蚀坑法 37
X射线形貌技术 37
热探针法 37
直流二探针法 37
直流四探针法 38
单探针扩展电阻法 38
范德堡法 39
霍耳法 39
几何磁阻法 39
双脉冲法 40
高频光电导法 40
光电导衰减法 41
光谱分析 41
质谱分析 42
活化分析 42
离子微探针分析法 42
红外测氧 42
红外测碳 43
三、半导体分立器件 44
半导体二极管 44
微波二极管 44
欧姆接触 44
整流接触 44
起始电压 45
正向微分电阻 45
二极管反向击穿电压 45
点接触二极管 45
面接触二极管 45
面结型二极管 46
异质结二极管 46
半导体整流器 46
硅整流二极管 46
硅整流器 47
硅整流桥组 47
高压硅堆 47
硒整流器 47
快速恢复硅整流器 48
硅雪崩整流器 48
齐纳二极管 48
稳压二极管 48
参考二极管 48
开关二极管 48
半导体二极管开关时间 49
双基极二极管 49
检波二极管 49
检波灵敏度 49
检波效率 49
混频二极管 49
宽频带混频二极管 50
变频损耗 50
抗烧毁能量 50
隧道效应 50
隧道二极管 51
峰谷比 51
峰值电流 51
谷值电容 51
阴道二极管负阻 52
阴道二极管优值 52
负阻截止频率 52
自谐振频率 52
反向二极管 52
变容二极管 53
电容变化比 53
变容管优值 53
电调谐变容二极管 54
参放变容二极管 54
功率变容二极管 54
PIN二极管 54
肖特基势垒二极管 55
表面势垒二极管 55
莫特势垒二极管 55
阶跃恢复二极管 55
电荷储存二极管 56
急变二极管 56
微波雪崩二极管 56
崩越二极管 56
俘越二极管 57
双漂移雪崩二极管 58
肖特基势垒崩越二极管 58
势越二极管 58
晶体管 59
微波晶体管 59
双极晶体管 59
单极晶体管 59
晶体三极管 59
发射极 60
基极 60
集电极 60
收集极 60
共基极接法晶体管 60
共发射极接法晶体管 60
共集电极接法晶体管 60
双极晶体管放大 60
对称双极晶体管 61
双向双极晶体管 61
合金双极晶体管 61
台面双极晶体管 61
平面双极晶体管 61
开关双极晶体管 62
高反压双极晶体管 62
功率双极晶体管 63
微波功率双极晶体管 63
覆盖式晶体管 63
梳状双极晶体管 64
网状双极晶体管 64
高频双极晶体管 64
微波低噪声双极晶体管 65
单结晶体管 65
金属基区晶体管 65
薄膜晶体管 65
共基极电流放大系数α 66
共发射极电流放大系数β 66
直流β 66
双极晶体管反向电流Iebo、Icbo、Iceo 66
双极晶体管击穿电压BVebo、BVcbo、BVceo 67
二次击穿 67
安全工作区 68
双极晶体管输入特性 68
双极晶体管输出特性 68
共发射极正向饱和压降Vbes 69
饱和压降Vces 69
基极电阻rb 70
集电结电容Cc 70
α截止频率fα 70
β截止频率fβ 71
特征频率fT 71
双极晶体管输出功率P0 71
功率增益Kp 71
最高振荡频率fm 72
集电极最大电流Icm 72
热阻RT 72
集电结最高温度Tfmax 73
集电极最大功耗Pcmax 73
噪声系数NF 73
双极晶体管的噪声-频率响应 74
双极晶体管开关时间 74
延迟时间td 75
上升时间tr 75
存储时间ts 76
下降时间tf 76
双极晶体管等效电路 77
h参数 77
Y参数 77
Z参数 78
S参数 78
双极晶体管集电结耗尽层电导调制效应(柯克效应) 79
双极晶体管发射极电流集中效应 79
双极晶体管基区宽度调制效应(尔来效应) 79
双极晶体管的穿通及穿通电压 79
双极晶体管基区自偏压效应 80
双极晶体管发射极电流集边效应 80
双极晶体管基区电导调制 80
场效应 80
场效应晶体管 80
结栅场效应晶体管 81
场效应四极管 81
绝缘栅场效应晶体管 82
金属-氧化物-半导体效应晶体管 82
N沟道场效应晶体管 82
P沟道场效应晶体管 82
增强型场效应晶体管 82
耗尽型场效应晶体管 83
阈值电压 83
肖特基势垒栅场效应晶体管 83
夹断电压 83
跨导 83
场效应晶体管的输出特性 83
微波场效应晶体管 83
微波低噪声场效应晶体管 84
微波大功率场效应晶体管 84
微波大功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管 84
隐栅场效应晶体管 85
大功率V型场效应晶体管 85
微波大功率MOS场效应晶体管 86
硅闸流管 86
可控硅整流器 86
高频可控硅 87
控制极可关断可控硅 87
可控硅开关(反向阻断四极硅闸流管) 87
反向通导三极硅闸流管(逆导可控硅) 88
反向阻断硅二极闸流管 88
硅单向开关 88
光激可控硅 89
双向可控硅 89
双向二极硅闸流管(双向可控硅二极管) 89
硅双向开关 90
不对称交流触发开关 90
可控硅堆 90
半导体光电子器件 90
内光电效应 91
外光电效应 91
半导体激光器 91
粒子数的反转分布 91
光学谐振腔 92
脉冲工作 92
连续工作 92
阈电流 92
阈电流密度 92
内量子效率 92
外量子效率 92
外微分量子效率 92
功率效率 92
激光二极管的突然退化 93
自损坏 93
激光二极管的逐渐退化 93
同质结激光器 93
单异质结激光器 93
双异质结激光器 93
大光腔激光器 94
PNPN负阻激光器 94
电子束半导体激光器 95
光激励半导体激光器 95
半导体分布反馈激光器 95
集成光学 96
双二极管激光器 96
半导体激光器放大效应 97
激光器间的猝灭效应 97
激光器的双稳态工作 97
开关作用 98
内部Q开关 98
注入式激光逻辑功能器件 98
注入式激光半加器 98
光逻辑元件 99
砷化镓光耦合器件 99
光电二极管 99
PIN光电二极管 100
雪崩光电二极管 100
肖特基势垒雪崩光电二极管 100
光电器件阵列 100
光电晶体管 100
红外探测器 101
体掺杂红外探测器 101
光电池 101
氧化亚铜光电池 101
硒光电池 102
薄膜光电池 102
紫光电池 102
硅光电池(硅太阳电池) 102
异质结光电池 103
发光二极管 103
半导体荧光二极管 103
电荧光二极管 103
四、集成电路 104
集成电路 104
微电子技术 104
有源元件 104
无源元件 104
集成度 104
小规模集成电路 105
中规模集成电路 105
适当规模集成电路 105
大规模集成电路 105
甚大规模集成电路 105
半导体集成电路 105
双极集成电路 105
金属-氧化物-半导体集成电路(MOS集成电路) 106
P沟MOS集成电路 106
N沟MOS集成电路 106
固体电路 106
单片集成电路 106
多片电路 106
混合集成电路 106
薄膜集成电路 107
厚膜集成电路 107
微模组件 107
组件 107
混合微型结构 107
微型电子电路 107
微型结构 107
梁式引线集成电路 108
毫微瓦集成电路 108
微功耗集成电路 108
集成晶体管 108
寄生PNP晶体管 108
横向晶体管 108
横向PNP晶体管 109
衬底PNP管 109
超β晶体管 109
射极跟随器 109
数字集成电路 109
逻辑集成电路 110
中、低速数字集成电路 110
高速数字集成电路 110
超高速数字集成电路 110
MNOS集成电路(金属-氮化硅-氧化硅-半导体集成电路) 110
互补MOS集成电路 110
自对准MOS集成电路 111
硅栅MOS集成电路 111
钼栅MOS集成电路 111
耐熔金属栅MOS集成电路 112
离子注入MOS集成电路 112
双扩散型MOS集成电路 112
扩散自对准MOS集成电路 112
绝缘衬底上外延硅MOS电路 112
金属-半导体势垒场效应晶体管电路 112
肖特基势垒栅场效应电路 113
饱和型逻辑电路 113
非饱和型逻辑电路 113
抗饱和型逻辑电路 113
直接耦合晶体管逻辑电路 114
电阻-晶体管逻辑电路 114
电阻-电容-晶体管逻辑电路 114
二极管-晶体管逻辑电路 114
改进型二极管-晶体管逻辑电路 115
高阈值逻辑电路 115
可变阈值逻辑电路 116
阈值逻辑电路 116
多发射极晶体管 116
晶体管-晶体管逻辑电路 117
三态逻辑电路 117
肖特基箝位晶体管-晶体管逻辑电路 117
发射极耦合逻辑电路 118
电流型逻辑电路 118
互补晶体管逻辑电路 118
非阈值逻辑电路 118
发射极功能逻辑电路 119
集成注入逻辑电路 119
三层结构逻辑电路 120
合并晶体管逻辑电路 120
电流参差逻辑电路 120
衬底馈电逻辑电路 121
互补恒流逻辑电路 121
约瑟夫逊隧道逻辑电路 121
超晶格高速开关器件 122
触发器集成电路 122
半导体存储器 122
大规模集成存储器 122
半导体静态存储器 122
半导体动态存储器 123
双极存储器 123
MOS存储器 123
玻璃半导体存储器 123
不挥发性导体存储器 123
MNOS存储器(金属-氮化硅-氧化硅-半导体存储器) 124
MAOS存储器(金属-氧化铝-氧化硅-半导体存储器) 124
MAS存储器(金属-氧化铝-半导体存储器)雪崩注入MOS(AMOS)存储器 125
浮栅雪崩注入MOS存储器 125
叠栅雪崩注入MOS存储器 125
单片计算机 125
线性集成电路 125
非线性集成电路 125
模拟集成电路 126
差分放大器 126
达林顿放大器 126
达林顿对管 126
低噪声放大器 126
稳压电源 127
运算放大器 127
高输入阻抗型运算放大器 127
高增益低漂移运算放大器 127
高速型运算放大器 127
集成数/模转换器 128
集成模/数转换器 128
多功能集成电路 128
线性大规模集成电路 128
微波集成电路 129
微波混合集成电路 129
微波单片集成电路 129
集总参数集成电路 129
分布参数集成电路 129
衬底 130
集成鳍状线 130
集成定向耦合器 130
微波集成环行器 130
集成功率分配器 131
集成功率合成器 131
微波集成控制器 131
微波集成移相器 131
微波集成限幅器 132
微波集成保护器 132
微波集成衰减器 132
微波集成半导体开关 132
微波集成半导体双工器 133
集成低噪声微波晶体管放大器 133
集成超高频功率晶体管放大器 133
微波集成肖特基二极管混频器 134
平衡混频器 134
双平衡混频器 134
镜象抵制混频器 135
镜频回收混频器 135
微波集成功率振荡器 135
体效应集成振荡器 135
雪崩二极管集成振荡器 136
电压控制雪崩管振荡器 136
雪崩管集成功率放大器 137
体效应功率放大器 137
微波集成参量放大器 138
电荷耦合器件 138
转移时间 139
转移效率 139
存储时间 139
“肥零”模式 140
埋沟电荷耦合器件 140
蠕动式电荷耦合器件 140
电导联结电荷耦合器件 140
体电荷转移器件 141
斗链器件 141
表面电荷晶体管 141
电荷转移器件 142
电荷耦合延迟线 142
电荷耦合移位寄存器 142
电荷耦合存储器 143
不挥发性电荷耦合器件存储器 143
电荷耦合横向滤波器 144
电荷耦合摄象器 145
红外电荷耦合器件 145
五、半导体工艺 146
半导体工艺 146
锗的富集 146
锗的制备 146
多晶硅的制备 146
三氯氢硅氢还原法 146
四氯化硅氢还原法 147
四氯化硅锌还原法 147
硅烷热分解法 147
精馏 147
镓的提纯 147
砷的提纯 148
分凝效应 148
区域提纯 148
晶体生长 148
横拉法 149
直拉法 149
气相单晶生长 150
悬浮区熔法 150
枝蔓蹼状晶体生长 151
基座法 151
磁阻尼法 151
液封直拉法 151
高压液封直拉法 152
磁拉法 152
布里支曼法 152
合成溶质扩散法 152
表面制备工艺 153
切割 153
超声切割 153
电子束切割 153
研磨 153
抛光 153
机械抛光 153
化学抛光 153
电抛光 154
化学机械抛光 154
二氧化硅胶体抛光 154
铜离子抛光 154
铬离子抛光 154
离子束抛光 154
清洗 155
离子束清洗 155
电形成工艺 155
合金工艺 155
微合金工艺 155
蒸发合金工艺 155
合金扩散工艺 155
台面工艺 156
平面工艺 156
衬底 156
基片 156
外延生长工艺 156
硅外延 157
砷化镓外延 157
开管外延 157
闭管外延 157
同质外延 158
异质外延 158
气相外延 158
液相外延 158
正外延 158
反外延 159
低温外延 159
薄层外延 159
选择外延 159
变温外延 159
分子束外延 159
高阻层外延 160
外延层性能测试 160
三探针法 160
二次谐波法 160
解理法 161
椭圆计法 161
电容电压法 161
红外干涉法 161
扩散工艺 162
扩散杂质源 162
闭管真空扩散 162
开管携带气体扩散 162
箱法扩散 163
半闭管扩散 163
气态源扩散 163
液态源扩散 163
固态源扩散 163
固-固扩散 163
掺杂氧化物扩散 164
掺杂多晶硅扩散 164
选择扩散 164
掩蔽扩散 164
浅结扩散 164
双扩散 164
三次扩散 165
预扩散 165
主扩散 165
发射极陷落效应 165
磷扩散 165
硼扩散 165
砷扩散 166
锑扩散 166
镓扩散 166
金扩散 166
锡扩散 166
扩散层性能测试 166
磨角染色法 166
滚槽法 167
薄层电阻 167
四探针法 167
阳极氧化测杂质分布法 167
离子注入工艺 167
氧化工艺 168
热氧化法 168
干氧氧化法 168
湿氧氧化法 168
高压水汽氧化法 168
氯化氢氧化法 168
热分解淀积法 169
低温氧化法 169
选择氧化 169
氧化层厚度测试 169
针孔 170
填密工艺 170
表面钝化工艺 170
磷硅玻璃钝化法 170
氮化硅钝化法 170
三氧化二铝钝化法 171
多层介质钝化法 171
阳极氧化钝化法 171
化学气相淀积钝化法 172
低温钝化法 172
泡发射极工艺 173
制版工艺 173
原图制备 173
初缩 173
精缩 174
分步重复 174
复印 174
母版 174
中间掩模 174
分辨率 174
干版 174
乳胶版 174
超微粒干版 174
铬版 174
彩色版 175
计算机辅助制版 175
光刻工艺 175
光刻掩模 175
铬掩模 176
透明掩模 176
彩色掩模 176
接触式曝光 176
接近式曝光 176
光学投影曝光 176
电子投影曝光 177
电子束曝光 177
X射线曝光 178
离子束成象 178
钻蚀 178
套刻 178
套刻精度 178
去胶 178
氧化去胶 178
等离子去胶 178
紫外线去胶 179
光刻干工艺 179
离子铣技术 179
隔离工艺 179
PN结隔离 179
外延隔离 180
介质隔离 180
空气隔离 181
集电极扩散隔离 181
自隔离 181
等平面隔离 181
V形槽隔离 182
V形槽隔离介质再填工艺 182
V形槽隔离多晶再填工艺 182
局部氧化隔离 182
多孔性硅氧化隔离 183
硅-蓝宝石技术 183
绝缘衬底上外延硅技术 183
埋层 183
硅栅自对准工艺 183
扩散自对准工艺 184
三次掩模技术 184
真空蒸发工艺 184
电阻加热蒸发 185
电子束蒸发 185
离子束蒸发 185
反应蒸发 185
溅射工艺 185
阴极溅射 185
反应溅射 185
偏压溅射 185
射频溅射 186
等离子溅射 186
离子束溅射 186
金属剥离工艺 186
划片 186
激光划片 187
互连 187
内连 187
梁式引线 187
多层布线 188
固定布线法 188
选择布线法 188
接点重布法 188
母片法 189
多单元法 189
微矩阵法 189
计算机辅助设计 189
计算机辅助测试 190
装架工艺 190
倒焊 190
引线框式键合 190
引线焊接 190
热压焊 190
点焊 191
球焊 191
缝焊 191
楔焊 191
冷焊 191
超声焊 191
红外焊 191
激光焊 191
电子束焊 192
封装工艺 192
管壳 192
金属封装 192
陶瓷封装 192
陶瓷金属化 192
玻璃封装 193
塑料封装 193
扁平封装 193
双列直插式封装 193
检漏 193
去离子水 193
超纯水 194
超纯气体 194
三氯氧磷 194
三氯化砷 194
三氯化硼 194
溴化硼 194
硼酸三甲酯 194
硼酸三乙酯 195
硼酸三丙酯 195
氮化硼 195
硅酸乙酯 195
五氧化二磷 195
硼烷 195
硅烷 196
磷烷 196
砷烷 196
光致抗蚀剂 197
高分辨率抗蚀剂 197
电致抗蚀剂 197
导电胶 197
明胶 197
六、体效应器件及其半导体器件 199
体效应 199
转移电子效应 199
耿效应 199
耿二极管 200
体效应二极管 200
限累模式 201
功能器件 201
功能块 201
高场畴功能器件 201
电场下降率 202
最小触发电场 202
电场触发性能指数 202
最小触发脉冲宽度 202
触发灵敏度 202
电压触发性能指数 202
电流触发性能指数 202
高场畴雪崩 203
高场畴雪崩振荡 203
电压调谐振荡器 203
固定波形发生器 204
模拟信息-数字信息变换器 204
比较器 205
禁止器 205
神经器件 205
肖特基势垒栅高场畴数字功能器件 206
超高速脉冲再生器 206
肖特基势垒栅高场畴全加器 207
变截面肖特基势垒栅高场畴功能器件 207
凹槽肖特基势垒栅功能器件固定延迟线 207
相码调制器 208
凹槽肖特基势垒栅功能器件存储器 208
高场畴横向扩展 208
H型横向扩展高速进位发生器 208
梳状横向扩展全加器 209
静止高场畴 209
等离子体耦合器件 210
等离子体耦合移位寄存器 210
等离子体耦合神经线 210
霍耳效应 211
霍耳器件 211
乘积灵敏度KH 211
最大磁感应强度灵敏度KBmax 211
磁阻效应 211
热电效应 212
热电器件 212
温差发电器 212
温差电致冷器 212
奥氏效应 213
玻璃半导体器件 213