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一、半导体物理 1

半导体 1

量子力学 1

能级 2

格矢 2

倒格子 2

倒格矢 2

波矢 2

k空间 3

动量空间 3

布里渊区 3

能带 3

空带 3

满带 3

价带 4

导带 4

禁带 4

带尾 4

能谷 4

子能谷 4

多能谷半导体 4

等能面 5

态密度 5

有效质量 5

杂质能级 5

深能级 5

浅能线 6

简并 6

费米分布函数 6

费米能级 6

准费米能级 7

玻尔兹曼分布函数 7

载流子 7

空穴 7

少数载流子 7

多数载流子 8

非平衡载流子 8

平衡载流子 8

平衡载流子密度 8

注入 8

施主 8

受主 9

N型半导体 9

P型半导体 9

本征半导体 9

复合 10

体内复合 10

表面复合 10

复合中心 10

寿命 10

陷阱 10

俘获 10

等电子复合中心 11

散射 11

自由程 11

弛豫时间 11

漂移运动 11

迁移率 12

微分迁移率 12

载流子的扩散运动 12

扩散系数 13

扩散长度 13

负阻效应 13

功函数 13

功函数差 13

势垒 13

接触势垒 13

肖特基势垒 13

表面现象 14

理想表面 14

表面势 14

表面势垒 15

表面积累层 15

表面耗尽层 15

表面反型层 15

强反型 15

场感应结 15

表面沟道 15

表面态 15

快态 16

慢态 16

界面态 16

固定表面电荷 16

氧化层中的可动电荷 16

平带电压 16

PN结 16

自建电场 17

PN结势垒 17

PN结耗尽层宽度 18

PN结电容 18

正偏结 18

反偏结 18

PN结电击穿 19

雪崩击穿 19

齐纳击穿 19

硬击穿 19

软击穿 20

PN结的热击穿 20

元激发 20

基态 20

激发态 20

激发 20

跃迁 21

格波 21

激子 21

极化子 21

光子 21

跃迁几率 21

垂直跃迁 22

非垂直跃迁 22

光吸收 22

吸收光谱 23

光生载流子 23

光注入 23

光电导 23

光生伏特效应 23

二、半导体材料 24

半导体材料 24

元素半导体 24

锗 24

硅 24

硒 25

化合物半导体 25

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 25

砷化镓 25

磷化镓 25

磷化铟 26

锑化铟 26

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 26

硫化镉 26

硫化锌 26

氧化物半导体 26

有机半导体 26

固溶体半导体 26

镓铝砷 27

镓砷磷 27

碲镉汞 27

玻璃半导体 27

极性半导体 27

离子晶体半导体 27

金属间化合物半导体 28

直接跃迁半导体 28

间接跃迁半导体 28

磁性半导体 28

磁阻半导体 28

压电半导体 28

气敏半导体 28

晶体 29

完美晶体 29

单晶 29

多晶 29

无位错单晶 29

孪晶 29

晶胞 29

晶格 29

晶面 29

晶向 30

空间点阵 30

晶格常数 30

晶向指数 30

晶面指数 30

密勒指数 30

金刚石结构 30

闪锌矿结构 31

滑移面 31

解理面 31

晶体缺陷 31

点缺陷 31

位错 32

位错密度 32

层错 32

堆垛层错 33

微缺陷 33

空位团 33

杂质团 33

微杂质沉淀 33

环形缺陷 34

应力图形 34

导电类型 34

电阻率 34

电导率 34

霍耳迁移率 35

霍耳系数 35

磁阻迁移率 35

磁阻 35

含氧量 36

含碳量 36

光点定向 36

腐蚀坑法 37

X射线形貌技术 37

热探针法 37

直流二探针法 37

直流四探针法 38

单探针扩展电阻法 38

范德堡法 39

霍耳法 39

几何磁阻法 39

双脉冲法 40

高频光电导法 40

光电导衰减法 41

光谱分析 41

质谱分析 42

活化分析 42

离子微探针分析法 42

红外测氧 42

红外测碳 43

三、半导体分立器件 44

半导体二极管 44

微波二极管 44

欧姆接触 44

整流接触 44

起始电压 45

正向微分电阻 45

二极管反向击穿电压 45

点接触二极管 45

面接触二极管 45

面结型二极管 46

异质结二极管 46

半导体整流器 46

硅整流二极管 46

硅整流器 47

硅整流桥组 47

高压硅堆 47

硒整流器 47

快速恢复硅整流器 48

硅雪崩整流器 48

齐纳二极管 48

稳压二极管 48

参考二极管 48

开关二极管 48

半导体二极管开关时间 49

双基极二极管 49

检波二极管 49

检波灵敏度 49

检波效率 49

混频二极管 49

宽频带混频二极管 50

变频损耗 50

抗烧毁能量 50

隧道效应 50

隧道二极管 51

峰谷比 51

峰值电流 51

谷值电容 51

阴道二极管负阻 52

阴道二极管优值 52

负阻截止频率 52

自谐振频率 52

反向二极管 52

变容二极管 53

电容变化比 53

变容管优值 53

电调谐变容二极管 54

参放变容二极管 54

功率变容二极管 54

PIN二极管 54

肖特基势垒二极管 55

表面势垒二极管 55

莫特势垒二极管 55

阶跃恢复二极管 55

电荷储存二极管 56

急变二极管 56

微波雪崩二极管 56

崩越二极管 56

俘越二极管 57

双漂移雪崩二极管 58

肖特基势垒崩越二极管 58

势越二极管 58

晶体管 59

微波晶体管 59

双极晶体管 59

单极晶体管 59

晶体三极管 59

发射极 60

基极 60

集电极 60

收集极 60

共基极接法晶体管 60

共发射极接法晶体管 60

共集电极接法晶体管 60

双极晶体管放大 60

对称双极晶体管 61

双向双极晶体管 61

合金双极晶体管 61

台面双极晶体管 61

平面双极晶体管 61

开关双极晶体管 62

高反压双极晶体管 62

功率双极晶体管 63

微波功率双极晶体管 63

覆盖式晶体管 63

梳状双极晶体管 64

网状双极晶体管 64

高频双极晶体管 64

微波低噪声双极晶体管 65

单结晶体管 65

金属基区晶体管 65

薄膜晶体管 65

共基极电流放大系数α 66

共发射极电流放大系数β 66

直流β 66

双极晶体管反向电流Iebo、Icbo、Iceo 66

双极晶体管击穿电压BVebo、BVcbo、BVceo 67

二次击穿 67

安全工作区 68

双极晶体管输入特性 68

双极晶体管输出特性 68

共发射极正向饱和压降Vbes 69

饱和压降Vces 69

基极电阻rb 70

集电结电容Cc 70

α截止频率fα 70

β截止频率fβ 71

特征频率fT 71

双极晶体管输出功率P0 71

功率增益Kp 71

最高振荡频率fm 72

集电极最大电流Icm 72

热阻RT 72

集电结最高温度Tfmax 73

集电极最大功耗Pcmax 73

噪声系数NF 73

双极晶体管的噪声-频率响应 74

双极晶体管开关时间 74

延迟时间td 75

上升时间tr 75

存储时间ts 76

下降时间tf 76

双极晶体管等效电路 77

h参数 77

Y参数 77

Z参数 78

S参数 78

双极晶体管集电结耗尽层电导调制效应(柯克效应) 79

双极晶体管发射极电流集中效应 79

双极晶体管基区宽度调制效应(尔来效应) 79

双极晶体管的穿通及穿通电压 79

双极晶体管基区自偏压效应 80

双极晶体管发射极电流集边效应 80

双极晶体管基区电导调制 80

场效应 80

场效应晶体管 80

结栅场效应晶体管 81

场效应四极管 81

绝缘栅场效应晶体管 82

金属-氧化物-半导体效应晶体管 82

N沟道场效应晶体管 82

P沟道场效应晶体管 82

增强型场效应晶体管 82

耗尽型场效应晶体管 83

阈值电压 83

肖特基势垒栅场效应晶体管 83

夹断电压 83

跨导 83

场效应晶体管的输出特性 83

微波场效应晶体管 83

微波低噪声场效应晶体管 84

微波大功率场效应晶体管 84

微波大功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管 84

隐栅场效应晶体管 85

大功率V型场效应晶体管 85

微波大功率MOS场效应晶体管 86

硅闸流管 86

可控硅整流器 86

高频可控硅 87

控制极可关断可控硅 87

可控硅开关(反向阻断四极硅闸流管) 87

反向通导三极硅闸流管(逆导可控硅) 88

反向阻断硅二极闸流管 88

硅单向开关 88

光激可控硅 89

双向可控硅 89

双向二极硅闸流管(双向可控硅二极管) 89

硅双向开关 90

不对称交流触发开关 90

可控硅堆 90

半导体光电子器件 90

内光电效应 91

外光电效应 91

半导体激光器 91

粒子数的反转分布 91

光学谐振腔 92

脉冲工作 92

连续工作 92

阈电流 92

阈电流密度 92

内量子效率 92

外量子效率 92

外微分量子效率 92

功率效率 92

激光二极管的突然退化 93

自损坏 93

激光二极管的逐渐退化 93

同质结激光器 93

单异质结激光器 93

双异质结激光器 93

大光腔激光器 94

PNPN负阻激光器 94

电子束半导体激光器 95

光激励半导体激光器 95

半导体分布反馈激光器 95

集成光学 96

双二极管激光器 96

半导体激光器放大效应 97

激光器间的猝灭效应 97

激光器的双稳态工作 97

开关作用 98

内部Q开关 98

注入式激光逻辑功能器件 98

注入式激光半加器 98

光逻辑元件 99

砷化镓光耦合器件 99

光电二极管 99

PIN光电二极管 100

雪崩光电二极管 100

肖特基势垒雪崩光电二极管 100

光电器件阵列 100

光电晶体管 100

红外探测器 101

体掺杂红外探测器 101

光电池 101

氧化亚铜光电池 101

硒光电池 102

薄膜光电池 102

紫光电池 102

硅光电池(硅太阳电池) 102

异质结光电池 103

发光二极管 103

半导体荧光二极管 103

电荧光二极管 103

四、集成电路 104

集成电路 104

微电子技术 104

有源元件 104

无源元件 104

集成度 104

小规模集成电路 105

中规模集成电路 105

适当规模集成电路 105

大规模集成电路 105

甚大规模集成电路 105

半导体集成电路 105

双极集成电路 105

金属-氧化物-半导体集成电路(MOS集成电路) 106

P沟MOS集成电路 106

N沟MOS集成电路 106

固体电路 106

单片集成电路 106

多片电路 106

混合集成电路 106

薄膜集成电路 107

厚膜集成电路 107

微模组件 107

组件 107

混合微型结构 107

微型电子电路 107

微型结构 107

梁式引线集成电路 108

毫微瓦集成电路 108

微功耗集成电路 108

集成晶体管 108

寄生PNP晶体管 108

横向晶体管 108

横向PNP晶体管 109

衬底PNP管 109

超β晶体管 109

射极跟随器 109

数字集成电路 109

逻辑集成电路 110

中、低速数字集成电路 110

高速数字集成电路 110

超高速数字集成电路 110

MNOS集成电路(金属-氮化硅-氧化硅-半导体集成电路) 110

互补MOS集成电路 110

自对准MOS集成电路 111

硅栅MOS集成电路 111

钼栅MOS集成电路 111

耐熔金属栅MOS集成电路 112

离子注入MOS集成电路 112

双扩散型MOS集成电路 112

扩散自对准MOS集成电路 112

绝缘衬底上外延硅MOS电路 112

金属-半导体势垒场效应晶体管电路 112

肖特基势垒栅场效应电路 113

饱和型逻辑电路 113

非饱和型逻辑电路 113

抗饱和型逻辑电路 113

直接耦合晶体管逻辑电路 114

电阻-晶体管逻辑电路 114

电阻-电容-晶体管逻辑电路 114

二极管-晶体管逻辑电路 114

改进型二极管-晶体管逻辑电路 115

高阈值逻辑电路 115

可变阈值逻辑电路 116

阈值逻辑电路 116

多发射极晶体管 116

晶体管-晶体管逻辑电路 117

三态逻辑电路 117

肖特基箝位晶体管-晶体管逻辑电路 117

发射极耦合逻辑电路 118

电流型逻辑电路 118

互补晶体管逻辑电路 118

非阈值逻辑电路 118

发射极功能逻辑电路 119

集成注入逻辑电路 119

三层结构逻辑电路 120

合并晶体管逻辑电路 120

电流参差逻辑电路 120

衬底馈电逻辑电路 121

互补恒流逻辑电路 121

约瑟夫逊隧道逻辑电路 121

超晶格高速开关器件 122

触发器集成电路 122

半导体存储器 122

大规模集成存储器 122

半导体静态存储器 122

半导体动态存储器 123

双极存储器 123

MOS存储器 123

玻璃半导体存储器 123

不挥发性导体存储器 123

MNOS存储器(金属-氮化硅-氧化硅-半导体存储器) 124

MAOS存储器(金属-氧化铝-氧化硅-半导体存储器) 124

MAS存储器(金属-氧化铝-半导体存储器)雪崩注入MOS(AMOS)存储器 125

浮栅雪崩注入MOS存储器 125

叠栅雪崩注入MOS存储器 125

单片计算机 125

线性集成电路 125

非线性集成电路 125

模拟集成电路 126

差分放大器 126

达林顿放大器 126

达林顿对管 126

低噪声放大器 126

稳压电源 127

运算放大器 127

高输入阻抗型运算放大器 127

高增益低漂移运算放大器 127

高速型运算放大器 127

集成数/模转换器 128

集成模/数转换器 128

多功能集成电路 128

线性大规模集成电路 128

微波集成电路 129

微波混合集成电路 129

微波单片集成电路 129

集总参数集成电路 129

分布参数集成电路 129

衬底 130

集成鳍状线 130

集成定向耦合器 130

微波集成环行器 130

集成功率分配器 131

集成功率合成器 131

微波集成控制器 131

微波集成移相器 131

微波集成限幅器 132

微波集成保护器 132

微波集成衰减器 132

微波集成半导体开关 132

微波集成半导体双工器 133

集成低噪声微波晶体管放大器 133

集成超高频功率晶体管放大器 133

微波集成肖特基二极管混频器 134

平衡混频器 134

双平衡混频器 134

镜象抵制混频器 135

镜频回收混频器 135

微波集成功率振荡器 135

体效应集成振荡器 135

雪崩二极管集成振荡器 136

电压控制雪崩管振荡器 136

雪崩管集成功率放大器 137

体效应功率放大器 137

微波集成参量放大器 138

电荷耦合器件 138

转移时间 139

转移效率 139

存储时间 139

“肥零”模式 140

埋沟电荷耦合器件 140

蠕动式电荷耦合器件 140

电导联结电荷耦合器件 140

体电荷转移器件 141

斗链器件 141

表面电荷晶体管 141

电荷转移器件 142

电荷耦合延迟线 142

电荷耦合移位寄存器 142

电荷耦合存储器 143

不挥发性电荷耦合器件存储器 143

电荷耦合横向滤波器 144

电荷耦合摄象器 145

红外电荷耦合器件 145

五、半导体工艺 146

半导体工艺 146

锗的富集 146

锗的制备 146

多晶硅的制备 146

三氯氢硅氢还原法 146

四氯化硅氢还原法 147

四氯化硅锌还原法 147

硅烷热分解法 147

精馏 147

镓的提纯 147

砷的提纯 148

分凝效应 148

区域提纯 148

晶体生长 148

横拉法 149

直拉法 149

气相单晶生长 150

悬浮区熔法 150

枝蔓蹼状晶体生长 151

基座法 151

磁阻尼法 151

液封直拉法 151

高压液封直拉法 152

磁拉法 152

布里支曼法 152

合成溶质扩散法 152

表面制备工艺 153

切割 153

超声切割 153

电子束切割 153

研磨 153

抛光 153

机械抛光 153

化学抛光 153

电抛光 154

化学机械抛光 154

二氧化硅胶体抛光 154

铜离子抛光 154

铬离子抛光 154

离子束抛光 154

清洗 155

离子束清洗 155

电形成工艺 155

合金工艺 155

微合金工艺 155

蒸发合金工艺 155

合金扩散工艺 155

台面工艺 156

平面工艺 156

衬底 156

基片 156

外延生长工艺 156

硅外延 157

砷化镓外延 157

开管外延 157

闭管外延 157

同质外延 158

异质外延 158

气相外延 158

液相外延 158

正外延 158

反外延 159

低温外延 159

薄层外延 159

选择外延 159

变温外延 159

分子束外延 159

高阻层外延 160

外延层性能测试 160

三探针法 160

二次谐波法 160

解理法 161

椭圆计法 161

电容电压法 161

红外干涉法 161

扩散工艺 162

扩散杂质源 162

闭管真空扩散 162

开管携带气体扩散 162

箱法扩散 163

半闭管扩散 163

气态源扩散 163

液态源扩散 163

固态源扩散 163

固-固扩散 163

掺杂氧化物扩散 164

掺杂多晶硅扩散 164

选择扩散 164

掩蔽扩散 164

浅结扩散 164

双扩散 164

三次扩散 165

预扩散 165

主扩散 165

发射极陷落效应 165

磷扩散 165

硼扩散 165

砷扩散 166

锑扩散 166

镓扩散 166

金扩散 166

锡扩散 166

扩散层性能测试 166

磨角染色法 166

滚槽法 167

薄层电阻 167

四探针法 167

阳极氧化测杂质分布法 167

离子注入工艺 167

氧化工艺 168

热氧化法 168

干氧氧化法 168

湿氧氧化法 168

高压水汽氧化法 168

氯化氢氧化法 168

热分解淀积法 169

低温氧化法 169

选择氧化 169

氧化层厚度测试 169

针孔 170

填密工艺 170

表面钝化工艺 170

磷硅玻璃钝化法 170

氮化硅钝化法 170

三氧化二铝钝化法 171

多层介质钝化法 171

阳极氧化钝化法 171

化学气相淀积钝化法 172

低温钝化法 172

泡发射极工艺 173

制版工艺 173

原图制备 173

初缩 173

精缩 174

分步重复 174

复印 174

母版 174

中间掩模 174

分辨率 174

干版 174

乳胶版 174

超微粒干版 174

铬版 174

彩色版 175

计算机辅助制版 175

光刻工艺 175

光刻掩模 175

铬掩模 176

透明掩模 176

彩色掩模 176

接触式曝光 176

接近式曝光 176

光学投影曝光 176

电子投影曝光 177

电子束曝光 177

X射线曝光 178

离子束成象 178

钻蚀 178

套刻 178

套刻精度 178

去胶 178

氧化去胶 178

等离子去胶 178

紫外线去胶 179

光刻干工艺 179

离子铣技术 179

隔离工艺 179

PN结隔离 179

外延隔离 180

介质隔离 180

空气隔离 181

集电极扩散隔离 181

自隔离 181

等平面隔离 181

V形槽隔离 182

V形槽隔离介质再填工艺 182

V形槽隔离多晶再填工艺 182

局部氧化隔离 182

多孔性硅氧化隔离 183

硅-蓝宝石技术 183

绝缘衬底上外延硅技术 183

埋层 183

硅栅自对准工艺 183

扩散自对准工艺 184

三次掩模技术 184

真空蒸发工艺 184

电阻加热蒸发 185

电子束蒸发 185

离子束蒸发 185

反应蒸发 185

溅射工艺 185

阴极溅射 185

反应溅射 185

偏压溅射 185

射频溅射 186

等离子溅射 186

离子束溅射 186

金属剥离工艺 186

划片 186

激光划片 187

互连 187

内连 187

梁式引线 187

多层布线 188

固定布线法 188

选择布线法 188

接点重布法 188

母片法 189

多单元法 189

微矩阵法 189

计算机辅助设计 189

计算机辅助测试 190

装架工艺 190

倒焊 190

引线框式键合 190

引线焊接 190

热压焊 190

点焊 191

球焊 191

缝焊 191

楔焊 191

冷焊 191

超声焊 191

红外焊 191

激光焊 191

电子束焊 192

封装工艺 192

管壳 192

金属封装 192

陶瓷封装 192

陶瓷金属化 192

玻璃封装 193

塑料封装 193

扁平封装 193

双列直插式封装 193

检漏 193

去离子水 193

超纯水 194

超纯气体 194

三氯氧磷 194

三氯化砷 194

三氯化硼 194

溴化硼 194

硼酸三甲酯 194

硼酸三乙酯 195

硼酸三丙酯 195

氮化硼 195

硅酸乙酯 195

五氧化二磷 195

硼烷 195

硅烷 196

磷烷 196

砷烷 196

光致抗蚀剂 197

高分辨率抗蚀剂 197

电致抗蚀剂 197

导电胶 197

明胶 197

六、体效应器件及其半导体器件 199

体效应 199

转移电子效应 199

耿效应 199

耿二极管 200

体效应二极管 200

限累模式 201

功能器件 201

功能块 201

高场畴功能器件 201

电场下降率 202

最小触发电场 202

电场触发性能指数 202

最小触发脉冲宽度 202

触发灵敏度 202

电压触发性能指数 202

电流触发性能指数 202

高场畴雪崩 203

高场畴雪崩振荡 203

电压调谐振荡器 203

固定波形发生器 204

模拟信息-数字信息变换器 204

比较器 205

禁止器 205

神经器件 205

肖特基势垒栅高场畴数字功能器件 206

超高速脉冲再生器 206

肖特基势垒栅高场畴全加器 207

变截面肖特基势垒栅高场畴功能器件 207

凹槽肖特基势垒栅功能器件固定延迟线 207

相码调制器 208

凹槽肖特基势垒栅功能器件存储器 208

高场畴横向扩展 208

H型横向扩展高速进位发生器 208

梳状横向扩展全加器 209

静止高场畴 209

等离子体耦合器件 210

等离子体耦合移位寄存器 210

等离子体耦合神经线 210

霍耳效应 211

霍耳器件 211

乘积灵敏度KH 211

最大磁感应强度灵敏度KBmax 211

磁阻效应 211

热电效应 212

热电器件 212

温差发电器 212

温差电致冷器 212

奥氏效应 213

玻璃半导体器件 213