1 简介 1
参考文献 4
2 各向异性湿法腐蚀 5
2.1 简介 5
2.2 单晶硅的机械特性 6
2.3 硅的晶体特性 8
2.4 腐蚀过程 10
2.5 实验方法 13
2.6 各向异性腐蚀剂的特性 19
2.7 〈100〉和〈110〉晶向硅片的微机械加工 26
2.8 腐蚀自停止机理 31
2.9 掩模材料 41
2.10 边角补偿 43
2.11 其他 50
参考文献 52
3 湿法化学腐蚀的化学物理机制 55
3.1 简介 55
3.2 晶体知识回顾：表面的原子结构 57
3.3 表面自由能和阶梯自由能 60
3.4 热动力学 61
3.5 动力学 66
3.6 腐蚀速率图 71
3.7 阶梯状的直接显示 77
3.8 总结 79
参考文献 80
4 硅片键合 83
4.1 简介 83
4.2 硅熔融键合（SFB） 83
4.3 阳极键合 92
4.4 低温键合 99
参考文献 101
5 实例和应用 103
5.1 简介 103
5.2 薄膜 103
5.3 梁 115
参考文献 123
6 表面微机械加工 126
6.1 简介 126
6.2 表面微机械处理中的基本制造工艺 126
6.3 应用 133
参考文献 146
7 硅的各向同性湿法化学腐蚀 149
7.1 腐蚀液和腐蚀速率图 149
7.2 扩散和搅拌 150
7.3 掩模材料 151
7.4 阳极HF腐蚀 151
参考文献 158
8 微机械加工技术中干法等离子刻蚀技术简介 159
8.1 微机械加工技术 159
8.2 等离子体 160
8.3 刻蚀 163
8.4 概况 164
参考文献 165
9 为何采用等离子体刻蚀 166
9.1 气体刻蚀 167
9.2 湿法刻蚀 167
9.3 干法刻蚀 168
参考文献 171
10 什么是等离子刻蚀 172
10.1 等离子刻蚀基本原理 175
10.2 物理模型 177
10.3 化学模型 196
10.4 等效电路 228
参考文献 231
11 等离子体系统配置 232
11.1 化学性质 233
11.2 频率 233
11.3 电极排列 234
11.4 负载容量和工艺 234
11.5 等离子和样品的距离 235
11.6 工作压强 239
11.7 刻蚀种类 240
参考文献 242
12 接触式等离子体刻蚀 243
12.1 IBARE中的刻蚀定向性 243
12.2 纯的等离子化学剂 245
12.3 混合等离子化学剂 247
12.4 多步等离子化学剂 250
12.5 等离子体参数／效应 251
12.6 掩模材料／影响 254
12.7 存在的问题和解决方法 258
12.8 数据获取 260
12.9 终点检测和等离子诊断 267
12.10 发展趋势 268
参考文献 271
13 远程等离子体刻蚀 273
13.1 真空刻蚀综述 273
13.2 刻蚀设备 275
13.3 热辅助离子束刻蚀综述 276
13.4 刻蚀机理 276
13.5 毛刺 280
13.6 实验 282
13.7 结果及应用 284
参考文献 286
14 高深宽比沟槽刻蚀 288
14.1 定性分析 289
14.2 设备和实验 294
14.3 HARTs 295
14.4 RIE滞后的定量分析 301
14.5 结论 329
参考文献 332
15 微型结构的铸模 334
15.1 干法刻蚀 334
15.2 电镀 335
15.3 铸模 336
15.4 用光刻胶做掩模版的干法刻蚀 337
参考文献 338
16 可动的微结构的制造 339
16.1 SCREAM 339
16.2 SIMPLE 340
16.3 BSM-ORMS 341
参考文献 344
关键词英汉对照 345