一、锗、硅半导体材料 1
1、锗材料简介 1
2、锗技术条件 2
3、纯锗锭技术条件 4
4、锗单晶技术条件 7
5、硅材料简介 11
6、高纯硅（多晶）技术条件 12
7、硅单晶技术条件 14
8、硅外延片技术要求 19
二、化合物半导体 20
9、砷化镓单晶体 20
10、锑化铟单晶体 21
三、高纯金属及其常用合金 21
11、高纯硼技术条件 22
12、高纯铝丝技术条件 24
13、高纯镓技术条件 26
14、高纯铟技术条件 29
15、高纯铊技术条件 32
16、高纯磷技术条件 35
17、高纯砷技术条件 37
18、高纯锑技术条件 40
19、高纯铋技术条件 43
20、高纯锌技术条件 46
21、高纯镉技术条件 48
22、高纯硒技术条件 51
23、高纯碲技术条件 54
24、高纯银技术条件 57
25、高纯金技术条件 60
26、高纯锡技术条件 63
27、高纯镍丝技术条件 66
28、常用合金技术条件 68
四、高纯掺杂剂 72
29、高纯五氧化二磷技术条件 72
30、光谱纯三氯化磷技术条件 74
31、高纯三氧化二硼技术条件 76
32、高纯三氯化硼技术条件 78
33、高纯硼酸技术条件 80
34、高纯三氧化硅技术条件 82
35、光谱纯氧化钙技术条件 83
五、金属材料 84
36、镍丝技术要求 84
37、镍带技术要求 86
38、镀铜铁镍合金丝（原称杜镁丝）技术条件 88
39、可伐合金Ni29Co18技术条件 91
40、《МБ》元氧铜技术要求 94
41、优良碳素结构钢（08#、10#） 96
42、银铜焊料（丝、片）技术条件 98
六、表面保护和封装剂 100
43、分子筛 100
44、硅腊（仿英国MS—5）技术条件 102
45、活性氧化铝技术条件 104
46、硅胶技术条件 105
47、Бφ胶液技术条件 108
48、聚三氟氯乙烯树脂 110
49、聚三氟氯乙烯悬浮液 111
50、聚乙烯咔唑技术要求 112
七、高纯腐蚀和清洗剂 112
51、乙醇技术要求 113
52、丙酮技术要求 114
53、特纯乙酸技术要求 116
54、高纯双氧水技术条件 117
55、特纯氢氟酸技术条件 118
56、特纯硝酸技术条件 119
57、特纯硫酸技术条件 120
58、特纯盐酸技术条件 121
59、米吐尔 122
60、米氏铜 123
61、聚乙稀醇桂皮酸酯 124
八、其他辅助材料 125
62、？C-4玻璃技术条件 125
63、？C-8玻璃技术条件 128
64、高纯度石英制品技术条件 129
65、石墨技术条件 130
66、3404环氧树酯基绝缘漆技术条件 132
67、2085φ黑色磁漆技术条件 134
68、2086φ黑色磁漆技术条件 135
69、矽胶技术条件 137
70、氧化铝微粉技术条件 138
71、碳粉技术条件 139
72、李普曼感版条件 140