半导体材料手册PDF电子书下载

一、锗、硅半导体材料 1

1、锗材料简介 1

2、锗技术条件 2

3、纯锗锭技术条件 4

4、锗单晶技术条件 7

5、硅材料简介 11

6、高纯硅（多晶）技术条件 12

7、硅单晶技术条件 14

8、硅外延片技术要求 19

二、化合物半导体 20

9、砷化镓单晶体 20

10、锑化铟单晶体 21

三、高纯金属及其常用合金 21

11、高纯硼技术条件 22

12、高纯铝丝技术条件 24

13、高纯镓技术条件 26

14、高纯铟技术条件 29

15、高纯铊技术条件 32

16、高纯磷技术条件 35

17、高纯砷技术条件 37

18、高纯锑技术条件 40

19、高纯铋技术条件 43

20、高纯锌技术条件 46

21、高纯镉技术条件 48

22、高纯硒技术条件 51

23、高纯碲技术条件 54

24、高纯银技术条件 57

25、高纯金技术条件 60

26、高纯锡技术条件 63

27、高纯镍丝技术条件 66

28、常用合金技术条件 68

四、高纯掺杂剂 72

29、高纯五氧化二磷技术条件 72

30、光谱纯三氯化磷技术条件 74

31、高纯三氧化二硼技术条件 76

32、高纯三氯化硼技术条件 78

33、高纯硼酸技术条件 80

34、高纯三氧化硅技术条件 82

35、光谱纯氧化钙技术条件 83

五、金属材料 84

36、镍丝技术要求 84

37、镍带技术要求 86

38、镀铜铁镍合金丝（原称杜镁丝）技术条件 88

39、可伐合金Ni29Co18技术条件 91

40、《МБ》元氧铜技术要求 94

41、优良碳素结构钢（08#、10#） 96

42、银铜焊料（丝、片）技术条件 98

六、表面保护和封装剂 100

43、分子筛 100

44、硅腊（仿英国MS—5）技术条件 102

45、活性氧化铝技术条件 104

46、硅胶技术条件 105

47、Бφ胶液技术条件 108

48、聚三氟氯乙烯树脂 110

49、聚三氟氯乙烯悬浮液 111

50、聚乙烯咔唑技术要求 112

七、高纯腐蚀和清洗剂 112

51、乙醇技术要求 113

52、丙酮技术要求 114

53、特纯乙酸技术要求 116

54、高纯双氧水技术条件 117

55、特纯氢氟酸技术条件 118

56、特纯硝酸技术条件 119

57、特纯硫酸技术条件 120

58、特纯盐酸技术条件 121

59、米吐尔 122

60、米氏铜 123

61、聚乙稀醇桂皮酸酯 124

八、其他辅助材料 125

62、？C-4玻璃技术条件 125

63、？C-8玻璃技术条件 128

64、高纯度石英制品技术条件 129

65、石墨技术条件 130

66、3404环氧树酯基绝缘漆技术条件 132

67、2085φ黑色磁漆技术条件 134

68、2086φ黑色磁漆技术条件 135

69、矽胶技术条件 137

70、氧化铝微粉技术条件 138

71、碳粉技术条件 139

72、李普曼感版条件 140