目录 1
序论 1
第一章 陶瓷在超高频电子器件中的应用 3
1-1 陶瓷和玻璃性能的比较 3
1-2 陶瓷在中小功率三极管中的应用 6
1-3 陶瓷在小功率行波管和速调管中的应用 17
1-4 陶瓷在中、大功率器件中的应用 25
1-5 陶瓷在功率器件输出装置中的应用 30
1-6 陶瓷在气体放电器件中的应用 41
第二章 陶瓷的技术性能 46
2-1 一般要求 46
2-2 化学-矿物组成和结构 49
2-3 真空性能 50
2-4 机械性能 58
2-5 热性能 68
2-6 电性能 72
2-7 二次电子发射 80
2-8 抗辐射性 81
3-1 氧化铝陶瓷 86
第三章 真空-致密陶瓷工艺 86
3-2 氧化铝制备 88
3-3 矿化剂的制备 94
3-4 配合料的制备 100
3-5 零件的成型 106
3-6 陶瓷的固相烧结 113
3-7 陶瓷的液相烧结 126
3-8 制件的焙烧 141
3-9 陶瓷的研磨 144
3-10 氧化铍瓷 151
3-11 硅酸镁陶瓷 154
第四章 结构金属与焊料 164
4-1 总的要求 164
4-2 铜与镍 165
4-3 钼与钨 171
4-4 钛与锆 174
4-5 钽与铌 178
4-6 铁基合金 180
4-7 与高氧化铝瓷匹配封接用的合金 184
4-8 钼-铼与钨-铼合金 188
4-9 铜镍合金 191
4-10 焊料 193
第五章 陶瓷-金属封接件的设计 203
5-1 陶瓷-金属封接件中的机械应力 203
5-2 端面封接的应力计算 206
5-3 端封件中应力的测量 217
5-4 对端封设计的建议 221
5-5 套封的应力计算 226
5-6 套封中应力的实验测量，设计建议 234
5-7 陶瓷-金属封接件结构 245
第六章 陶瓷金属化与封接时的物理-化学过程 252
6-1 金属化层组分和气体介质的相互作用 259
6-2 金属化层的组分与氧化铝的相互作用 259
6-3 金属化层与陶瓷玻璃相的相互作用 267
6-4 金属化层的烧结过程 275
6-5 金属化层与陶瓷形成牢固联结的过程 279
6-6 金属化层的组成与结构 287
6-7 焊料与金属化层及结构金属的相互作用 289
第七章 陶瓷金属化及封接工艺 299
7-1 陶瓷的金属化工艺、金属化层的组成 299
7-2 金属化膏剂制备 303
7-3 陶瓷零件上金属化层的涂敷 305
7-4 金属化层的烧结 315
7-5 二次金属化层的涂敷、零件的超声波清洗 317
7-6 陶瓷-金属封接件的装架和封接 321
7-7 用电介质焊料的封接 325
第八章 陶瓷用活性金属封接 329
8-1 活性封接机理 329
8-2 工艺因素对封接性能的影响 338
8-3 陶瓷-金属部件的封接 344
8-4 工艺设备 350
第九章 热压封接和陶瓷的压力封接 355
9-1 热压封接的基本过程 355
9-2 热压封接的工艺规范 365
9-3 陶瓷-金属封接件的装配与封接 369
9-4 压力封接 373
9-5 工艺设备 376
第十章 陶瓷-金属封接件的检验方法和技术特性 379
10-1 部件的检验 379
10-2 技术性能 385
文献目录 388