导言 1
第1部分 半导体物理 4
第1章 半导体物理学和半导体性质概要 4
1.1引言 4
1.2晶体结构 5
1.3能带和能隙 8
1.4热平衡时的载流子浓度 11
1.5载流子输运现象 21
1.6声子、光学和热特性 38
1.7异质结和纳米结构 42
1.8基本方程和实例 47
第2部分 器件的基本构件 60
第2章p-n结二极管 60
2.1引言 60
2.2耗尽区 61
2.3电流-电压特性 69
2.4结击穿 78
2.5瞬变特性与噪声 87
2.6端功能 91
2.7异质结 95
第3章 金属-半导体接触 102
3.1引言 102
3.2势垒的形成 103
3.3电流输运过程 117
3.4势垒高度的测量 130
3.5器件结构 138
3.6欧姆接触 142
第4章 金属-绝缘体-半导体电容 151
4.1引言 151
4.2理想MIS电容 151
4.3硅MOS电容 163
第3部分 晶体管 186
第5章 双极晶体管 186
5.1引言 186
5.2静态特性 187
5.3微波特性 201
5.4相关器件结构 211
5.5异质结双极晶体管 215
第6章MOS场效应晶体管 224
6.1引言 224
6.2器件的基本特性 227
6.3非均匀掺杂和埋沟器件 244
6.4器件按比例缩小和短沟道效应 250
6.5 MOSFET的结构 258
6.6电路应用 264
6.7非挥发存储器 266
6.8单电子晶体管 274
第7章JFET, MESFET和MODFET器件 285
7.1引言 285
7.2 JFET和MESFET 286
7.3 MODFET 304
第4部分 负阻器件和功率器件 316
第8章 隧道器件 316
8.1引言 316
8.2隧道二极管 317
8.3相关的隧道器件 329
8.4共振遂穿二极管 343
第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 353
9.1引言 353
9.2静态特性 354
9.3动态特性 359
9.4功率和效率 365
9.5噪声特性 371
9.6器件设计和性能 374
9.7 BARITT二极管 376
9.8 TUNNETT二极管 382
第10章 转移电子器件和实空间转移器件 387
10.1引言 387
10.2转移电子器件 387
10.3实空间转移器件 406
第11章 晶闸管和功率器件 415
11.1引言 415
11.2晶闸管的特性 416
11.3晶闸管的变种 435
11.3其它功率器件 440
第5部分 光学器件和传感器 454
第12章 发光二极管和半导体激光器 454
12.1引言 454
12.2辐射跃迁 455
12.3发光二极管 459
12.4激光器物理 468
12.5激光器工作特性 476
12.6特种激光器 491
第13章 光电探测器和太阳电池 500
13.1引言 500
13.2光电导 503
13.3光电二极管 506
13.4雪崩光电二极管 514
13.5光电晶体管 523
13.6电荷耦合器件（CCD） 525
13.7金属-半导体-金属光电探测器 537
13.8量子阱红外光电探测器 539
13.9太阳电池 541
第14章 传感器 560
14.1引言 560
14.2温度传感器 561
14.3机械传感器 565
14.4磁敏传感器 571
14.5化学传感器 576
附录 583
A.符号表 583
B.国际单位制 592
C.单位词头 593
D.希腊字母表 594
E.物理常数 595
F.重要半导体的特性 596
G.Si和GaAs的特性 597
H.Si O2和Si3 N4的特性 598