半导体器件物理 第3版PDF电子书下载

导言 1

第1部分 半导体物理 4

第1章 半导体物理学和半导体性质概要 4

1.1引言 4

1.2晶体结构 5

1.3能带和能隙 8

1.4热平衡时的载流子浓度 11

1.5载流子输运现象 21

1.6声子、光学和热特性 38

1.7异质结和纳米结构 42

1.8基本方程和实例 47

第2部分 器件的基本构件 60

第2章p-n结二极管 60

2.1引言 60

2.2耗尽区 61

2.3电流-电压特性 69

2.4结击穿 78

2.5瞬变特性与噪声 87

2.6端功能 91

2.7异质结 95

第3章 金属-半导体接触 102

3.1引言 102

3.2势垒的形成 103

3.3电流输运过程 117

3.4势垒高度的测量 130

3.5器件结构 138

3.6欧姆接触 142

第4章 金属-绝缘体-半导体电容 151

4.1引言 151

4.2理想MIS电容 151

4.3硅MOS电容 163

第3部分 晶体管 186

第5章 双极晶体管 186

5.1引言 186

5.2静态特性 187

5.3微波特性 201

5.4相关器件结构 211

5.5异质结双极晶体管 215

第6章MOS场效应晶体管 224

6.1引言 224

6.2器件的基本特性 227

6.3非均匀掺杂和埋沟器件 244

6.4器件按比例缩小和短沟道效应 250

6.5 MOSFET的结构 258

6.6电路应用 264

6.7非挥发存储器 266

6.8单电子晶体管 274

第7章JFET, MESFET和MODFET器件 285

7.1引言 285

7.2 JFET和MESFET 286

7.3 MODFET 304

第4部分 负阻器件和功率器件 316

第8章 隧道器件 316

8.1引言 316

8.2隧道二极管 317

8.3相关的隧道器件 329

8.4共振遂穿二极管 343

第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 353

9.1引言 353

9.2静态特性 354

9.3动态特性 359

9.4功率和效率 365

9.5噪声特性 371

9.6器件设计和性能 374

9.7 BARITT二极管 376

9.8 TUNNETT二极管 382

第10章 转移电子器件和实空间转移器件 387

10.1引言 387

10.2转移电子器件 387

10.3实空间转移器件 406

第11章 晶闸管和功率器件 415

11.1引言 415

11.2晶闸管的特性 416

11.3晶闸管的变种 435

11.3其它功率器件 440

第5部分 光学器件和传感器 454

第12章 发光二极管和半导体激光器 454

12.1引言 454

12.2辐射跃迁 455

12.3发光二极管 459

12.4激光器物理 468

12.5激光器工作特性 476

12.6特种激光器 491

第13章 光电探测器和太阳电池 500

13.1引言 500

13.2光电导 503

13.3光电二极管 506

13.4雪崩光电二极管 514

13.5光电晶体管 523

13.6电荷耦合器件（CCD） 525

13.7金属-半导体-金属光电探测器 537

13.8量子阱红外光电探测器 539

13.9太阳电池 541

第14章 传感器 560

14.1引言 560

14.2温度传感器 561

14.3机械传感器 565

14.4磁敏传感器 571

14.5化学传感器 576

附录 583

A.符号表 583

B.国际单位制 592

C.单位词头 593

D.希腊字母表 594

E.物理常数 595

F.重要半导体的特性 596

G.Si和GaAs的特性 597

H.Si O2和Si3 N4的特性 598