目录 1
1．初始硅的质量 1
2．用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体 8
3．在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化 13
4．硅外延生长 18
5．在氮中外延淀积硅 24
6．在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅 28
7．外延硅层的高速化学蒸汽淀积 32
8．用热处理消除硅外延层中的堆垛层错 37
9．计算机控制外延生产系统 43
10．单晶氧化物衬底 49
11．结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜 55
12．硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响 58
13．半导体硅痕量分析方法的比较 62
14．切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量 68