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硅晶体制备及外延  译文集
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硅晶体制备及外延 译文集PDF电子书下载

工业技术

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  • 作 者:中国科学技术情报研究所编辑
  • 出 版 社:北京:科学技术文献出版社
  • 出版年份:1974
  • ISBN:15176·27
  • 页数:70 页
图书介绍:
《硅晶体制备及外延 译文集》目录

目录 1

1.初始硅的质量 1

2.用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体 8

3.在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化 13

4.硅外延生长 18

5.在氮中外延淀积硅 24

6.在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅 28

7.外延硅层的高速化学蒸汽淀积 32

8.用热处理消除硅外延层中的堆垛层错 37

9.计算机控制外延生产系统 43

10.单晶氧化物衬底 49

11.结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜 55

12.硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响 58

13.半导体硅痕量分析方法的比较 62

14.切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量 68

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