目录 1
第一章 晶体的结构 1
一 晶体的特征 1
二 晶体的基本类型 3
三 晶胞 11
四 晶面 14
五 硅、锗单晶中几种晶面的比较 16
六 器件生产工艺中与晶体结构有关的一些问题 22
第二章 电离平衡 27
一 弱电解质的电离平衡 27
二 弱电解质电离平衡的移动 33
三 多相离子平衡 41
四 络合物、络离子的离解平衡 46
五 络合物在器件生产工艺中的应用 52
第三章 电化学 55
一 原电池 55
二 电极电位 57
三 氧化还原反应进行的方向 62
四 电解、电镀 63
五 阳极氧化 69
第四章 硅的高温氧化、硅的化合物 72
一 硅 72
二 硅的高温氧化 76
三 二氧化硅 79
四 石英玻璃 81
五 有机硅化合物、热分解淀积二氧化硅法 82
六 磷硅玻璃 85
七 碳化硅 87
八 氮化硅 87
九 四氯化硅 89
第五章 化学清洗 90
一 硅片表面沾污的杂质类型和来源 90
二 有机溶剂的去污作用 92
三 合成洗涤剂的去污作用 94
四 无机酸的去杂质作用 98
五 去离子水在清洗中的作用 106
第六章 光刻与扩散工艺中的化学原理 107
一 光刻工艺简介 107
二 光刻胶 110
三 等离子体去胶 121
四 扩散工艺 122
第七章 离子交换树脂与去离子水的制备 139
一 H型阳树脂 139
二 OH型阴树脂 142
三 去离子水的制备原理 145
四 离子交换树脂的再生 147
五 电渗析法脱盐 150
第八章 制版工艺中的化学原理 154
一 制版工艺简介 154
二 乳胶的组成与制备 155
三 乳胶中明胶与卤化银的作用 158
四 光谱增感 162
五 敏化中心、潜影 167
六 灰雾 171
七 显影 174
八 定影 184
九 加厚与减薄 188
十 金属版 190
一 半导体材料及辅助材料的纯度表示法 194
二 化学试剂的级别 194
附录 194
三 酸、碱与盐的溶解性表 196
四 常用有机溶剂的重要物理性质 197
五 王水、洗液的配制 198
六 常用的硅腐蚀液 198
七 半导体材料与金属的常用腐蚀液 199
八 分子筛与105催化剂 200
九 化学镀镍 202
十 硅片的化学机械抛光 206