一、序言 1
二、实验程序 1
用高压蒸气氧化抑制硅中氧化感应堆垛层错的形成 1
三、实验结果与讨论 2
用1.1.1.三氧乙烷作为改进硅热氧化技术的最佳添加剂 6
摘要 6
化学分析 6
C33被选为最佳添加剂 8
实验步骤 8
结果和讨论 9
结论 14
参考文献 14
参考文献 16
四、结论 16
氮气热处理对硅片表面的影响 17
摘要 17
1．引言2．实验过程 17
3．结果和讨论 18
4．结论 22
磁硅玻璃低压化学气相生长装置 23
PSG膜生长技术 24
过程自动化系统 26
参考文献 27
参考文献 27
结束语 27
外延技术与大规模集成电路技术 28
外延与化学气相生长用装置 28
CVD技术与大规模集成电路技术 29
CVD装置的动向 30
外延生长装置的动向 30
今后展望 35
结论 36
参考文献 36
参考文献 36
从钝化技术看提高LSI可性靠的半导体工艺技术 37
摘要 37
重提表面保护问题 37
第一钝化层 37
第二钝化层 38
MOS栅氧化膜关键在于清洁度 41
微细化的发展容易引起电极迁移 42
不用A1的多层电极结构 42
A1布线技术的改进 43
晶格缺陷对器件可靠性也有影响 44
半导体制造基础关系着可靠性提高 47
参考文献 48
摘要 52
实验步骤 52
大剂量离子注入时产生的表面沾污研究 52
结果和讨论 53
化学干腐蚀技术 57
腐蚀装置的构造和实验手段 57
腐蚀特性 58
腐蚀终点检测 61
在Si3N4膜淀积技术上的应用 61
在表面处理上的应用 63
参考文献 64
结论 64
参考文献 64
结束语 64
园筒型等离子腐蚀装置 65
平扳型等离子腐蚀装置 65
等离子腐蚀硅与介质薄膜 65
平板型等离子腐蚀速率 66
腐蚀速比 68
光刻胶性能 70
参考文献 71
结论 71
等离子腐蚀铝—干湿比较 72
实验结果 73
SiO2薄膜上光刻胶粘附失效问题 76
腐蚀剂钻烛 76
钻蚀机理 77
整块面积的浮胶 79
边缘脱胶 80
远紫外曝光技术及其在器件上的应用 81
远紫外曝光技术的动向 81
远紫外用抗蚀剂 82
光学系统 84
参考文献 87
用MoSi2作栅材料的新型MOS工艺 88
一、序言 88
二、MoSi2薄膜的特性 88
三、电气性能 91
四、LSI方面的应用 92
结束语 93
参考文献 93
用于双极型器件的一种新的多晶硅工艺-PSA技术 94
摘要 94
1．引言2．一种新的多晶硅工艺 94
3．PSA法应用例 96
4．讨论 97
参考文献 98
实验 99
序言 99
塑料封装集成电路金属化的腐蚀试验 99
摘要 99
结果和讨论 100
评价（100）硅的缺陷腐蚀方法 104
摘要 104
实验 104
结论 109
参考文献 109
结论 109
参考文献 109
二、定义 110
四、吸盘形状 110
三、沾污问题 110
摘要 110
硅片平整度的测量原理及有关设备比较 110
一、引言 110
五、抽真空方法 111
装置 112
七、不同系统所得结果比较 113
结论 115
参考文献 115
测量系统 116
掩模和硅片的外观检查 116
掩模套准系统 117
缺陷检测 117
其他技术 118
掩模线宽测量 120
摘要 120
NBS标准 121
使用标准的结果 123