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一、序言 1

二、实验程序 1

用高压蒸气氧化抑制硅中氧化感应堆垛层错的形成 1

三、实验结果与讨论 2

用1.1.1.三氧乙烷作为改进硅热氧化技术的最佳添加剂 6

摘要 6

化学分析 6

C33被选为最佳添加剂 8

实验步骤 8

结果和讨论 9

结论 14

参考文献 14

参考文献 16

四、结论 16

氮气热处理对硅片表面的影响 17

摘要 17

1．引言2．实验过程 17

3．结果和讨论 18

4．结论 22

磁硅玻璃低压化学气相生长装置 23

PSG膜生长技术 24

过程自动化系统 26

参考文献 27

参考文献 27

结束语 27

外延技术与大规模集成电路技术 28

外延与化学气相生长用装置 28

CVD技术与大规模集成电路技术 29

CVD装置的动向 30

外延生长装置的动向 30

今后展望 35

结论 36

参考文献 36

参考文献 36

从钝化技术看提高LSI可性靠的半导体工艺技术 37

摘要 37

重提表面保护问题 37

第一钝化层 37

第二钝化层 38

MOS栅氧化膜关键在于清洁度 41

微细化的发展容易引起电极迁移 42

不用A1的多层电极结构 42

A1布线技术的改进 43

晶格缺陷对器件可靠性也有影响 44

半导体制造基础关系着可靠性提高 47

参考文献 48

摘要 52

实验步骤 52

大剂量离子注入时产生的表面沾污研究 52

结果和讨论 53

化学干腐蚀技术 57

腐蚀装置的构造和实验手段 57

腐蚀特性 58

腐蚀终点检测 61

在Si3N4膜淀积技术上的应用 61

在表面处理上的应用 63

参考文献 64

结论 64

参考文献 64

结束语 64

园筒型等离子腐蚀装置 65

平扳型等离子腐蚀装置 65

等离子腐蚀硅与介质薄膜 65

平板型等离子腐蚀速率 66

腐蚀速比 68

光刻胶性能 70

参考文献 71

结论 71

等离子腐蚀铝—干湿比较 72

实验结果 73

SiO2薄膜上光刻胶粘附失效问题 76

腐蚀剂钻烛 76

钻蚀机理 77

整块面积的浮胶 79

边缘脱胶 80

远紫外曝光技术及其在器件上的应用 81

远紫外曝光技术的动向 81

远紫外用抗蚀剂 82

光学系统 84

参考文献 87

用MoSi2作栅材料的新型MOS工艺 88

一、序言 88

二、MoSi2薄膜的特性 88

三、电气性能 91

四、LSI方面的应用 92

结束语 93

参考文献 93

用于双极型器件的一种新的多晶硅工艺-PSA技术 94

摘要 94

1．引言2．一种新的多晶硅工艺 94

3．PSA法应用例 96

4．讨论 97

参考文献 98

实验 99

序言 99

塑料封装集成电路金属化的腐蚀试验 99

摘要 99

结果和讨论 100

评价（100）硅的缺陷腐蚀方法 104

摘要 104

实验 104

结论 109

参考文献 109

结论 109

参考文献 109

二、定义 110

四、吸盘形状 110

三、沾污问题 110

摘要 110

硅片平整度的测量原理及有关设备比较 110

一、引言 110

五、抽真空方法 111

装置 112

七、不同系统所得结果比较 113

结论 115

参考文献 115

测量系统 116

掩模和硅片的外观检查 116

掩模套准系统 117

缺陷检测 117

其他技术 118

掩模线宽测量 120

摘要 120

NBS标准 121

使用标准的结果 123