缩略语 3
Part B 制备和特性 3
12 体单晶生长——方法与材料 3
12.1 背景 4
12.2 技术 5
12.3 材料生长 12
12.4 结论 23
参考文献 23
13 单晶硅：生长与特性 27
13.1 综述 28
13.2 原始材料 29
13.3 单晶生长 30
13.4 新型晶体生长方法 38
参考文献 40
14 晶体外延生长：方法与材料 43
14.1 液相外延（LPE） 43
14.2 有机金属化学气相沉积（MOCVD） 52
14.3 分子束外延（MBE） 62
参考文献 71
15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长 75
15.1 体生长技术 76
15.2 液相外延（LPE） 80
15.3 有机金属气相外延（MOVPE） 84
15.4 分子束外延（MBE） 89
15.5 替代CMT 92
参考文献 93
16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长与特性 97
16.1 晶体特性 98
16.2 外延生长 100
16.3 体单晶生长 105
16.4 结论 111
参考文献 112
17 结构特征 115
17.1 辐射-材料作用 116
17.2 粒子-材料作用 117
17.3 X射线衍射 120
17.4 光衍射、成像衍射与电子衍射 123
17.5 功能活动特征 134
17.6 样品制备 134
17.7 案例研究——电子和光电材料互补特性 136
17.8 结论 142
参考文献 142
18 表面化学分析 145
18.1 电子光谱学 145
18.2 辉光放电光谱学（GDOES和GDMS） 148
18.3 二次离子质谱 149
18.4 结论 156
19 热特性与热分析：基础理论、实验技术和应用 157
19.1 热容 158
19.2 热传导 163
19.3 热膨胀 168
19.4 焓的热性能 170
19.5 温度调制DSC（TMDSC） 175
参考文献 178
20 半导体材料与器件的电特性 181
20.1 电阻率 182
20.2 霍尔效应 190
20.3 电容-电压测量 193
20.4 电流-电压测量 198
20.5 电荷泵 200
20.6 低频噪声 202
20.7 深能级瞬态光谱学 206
参考文献 208