电子与光子材料手册 第2册 影印版PDF电子书下载

缩略语 3

Part B 制备和特性 3

12 体单晶生长——方法与材料 3

12.1 背景 4

12.2 技术 5

12.3 材料生长 12

12.4 结论 23

参考文献 23

13 单晶硅：生长与特性 27

13.1 综述 28

13.2 原始材料 29

13.3 单晶生长 30

13.4 新型晶体生长方法 38

参考文献 40

14 晶体外延生长：方法与材料 43

14.1 液相外延（LPE） 43

14.2 有机金属化学气相沉积（MOCVD） 52

14.3 分子束外延（MBE） 62

参考文献 71

15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长 75

15.1 体生长技术 76

15.2 液相外延（LPE） 80

15.3 有机金属气相外延（MOVPE） 84

15.4 分子束外延（MBE） 89

15.5 替代CMT 92

参考文献 93

16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长与特性 97

16.1 晶体特性 98

16.2 外延生长 100

16.3 体单晶生长 105

16.4 结论 111

参考文献 112

17 结构特征 115

17.1 辐射-材料作用 116

17.2 粒子-材料作用 117

17.3 X射线衍射 120

17.4 光衍射、成像衍射与电子衍射 123

17.5 功能活动特征 134

17.6 样品制备 134

17.7 案例研究——电子和光电材料互补特性 136

17.8 结论 142

参考文献 142

18 表面化学分析 145

18.1 电子光谱学 145

18.2 辉光放电光谱学（GDOES和GDMS） 148

18.3 二次离子质谱 149

18.4 结论 156

19 热特性与热分析：基础理论、实验技术和应用 157

19.1 热容 158

19.2 热传导 163

19.3 热膨胀 168

19.4 焓的热性能 170

19.5 温度调制DSC（TMDSC） 175

参考文献 178

20 半导体材料与器件的电特性 181

20.1 电阻率 182

20.2 霍尔效应 190

20.3 电容-电压测量 193

20.4 电流-电压测量 198

20.5 电荷泵 200

20.6 低频噪声 202

20.7 深能级瞬态光谱学 206

参考文献 208