目录 1
第一篇 金属氧化物半导体基础 4
第一章 金属氧化物的晶体结构和能带结构 4
1-1金属氧化物的晶体结构 4
1-1-1一些预备知识 4
1-1-2MO型金属氧化物的典型晶体结构 15
1-1-3MO2型金属氧化物的典型晶体结构 21
1-1-4AB2O4型复合金属氧化物的晶体结构 23
1-1-5M2O3型金属氧化物的晶体结构 25
1-1-6ABO3型复合金属氧化物的晶体结构 26
1-1-7ReO3型金属氧化物的晶体结构 28
1-2金属氧化物的能带 29
1-2-1引言 29
1-2-2八面体间隙中的d电子 31
1-2-3过渡金属氧化物的能带难题 34
1-2-4金属氧化物晶体的能带结构 36
1-2-5实际金属氧化物的能带结构 41
主要参考文献 42
第二章 金属氧化物的点缺陷理论基础 44
2-1金属氧化物晶体中的点缺陷 44
2-1-1克勒格尔—温克点缺陷符号 45
2-1-2固有原子缺陷 45
2-1-3金属氧化物中的杂质 48
2-1-4原子点缺陷的施主或受主作用及它们的能级位置 49
2-1-5金属氧化物晶体中的电子点缺陷 51
2-2-1质量作用定律 52
2-2金属氧化物晶体的点缺陷理论基础 52
2-2-2描写点缺陷形成及转化过程的准化学反应式 54
2-2-3质量作用定律的简单应用——MO型晶体和环境气氛间的平衡 55
2-2-4只有金属子晶格中含有费伦克尔缺陷的MO型金属氧化物的平衡缺陷浓度 59
2-2-5解点缺陷浓度联立方程组的布劳威尔（Brouwer）方法 61
2-3固态点缺陷理论小结 71
主要参考文献 74
3-1-1费伦克尔缺陷全部电离时MO型金属氧化物的K—V图 76
第三章 金属氧化物晶体中各种典型点缺陷结构的K—V图 76
3-1纯金属氧化物MO的K—V图 76
3-1-2肖脱基缺陷全部电离时MO型金属氧化物的K—V图 79
3-1-3肖脱基缺陷部分电离时MO型金属氧化物的K—V图 83
3-1-4只有反结构缺陷的MO型金属氧化物的K—V图 88
3-1-5含有肖脱基和反结构缺陷的MO型金属氧化物的K—V图 91
3-2含有杂质的MO型金属氧化物的K—V图 96
3-2-1只有一种杂质的MO型金属氧化物的K—V图 97
3-2-2含有两种类裂杂质的MO型金属氧化物的K—V图 108
3-3低温K—V图 113
3-3-1只有氧空位的MO型晶体的低温载流子浓度 114
3-3-2金属子晶格有费伦克尔缺陷的MO型蕊体的低温K—V图 115
3-4一个实际氧化物半导体材料的K—V图 119
3-5点缺陷平衡浓度和温度的关系 128
主要参考文献 133
第四章 非化学计量金属氧化物和点缺陷 134
4-1非化学计量金属氧化物和原子点缺陷 135
4-2非化学计量金属氧化物MO1+δ的δ与气氛分压的关系 137
4-3复合缺陷和非化学计量金属氧化物 140
4-4非化学计量金属氧化物实例 144
4-4-1岩盐矿结构的MO型金属氧化物 145
4-4-2金红石结构的MO2型金属氧化物 146
4-4-3ReO3型结构的金属氧化物 147
4-4-4钙钛矿型结构和类钙钛矿型结构的金属氧化物 148
4-5点欲陷有序化和结构相变 159
主要参考文献 160
第五章 典型金属氧化物的缺陷结构和输运性质 162
5-1金属氧化物材料中的输运现象 162
5-1-1金属氧化物中的电子输运现象 162
5-1-2金属氧化物中的离子输运现象 167
5-1-3由输运现象得到缺陷结构的有用信息 172
5-2氧化镁（MgO）及其固溶体 175
5-2-1氧化镁 175
5-2-2固溶体Co1-xMgxO 191
5-3氧化镍（NiO）的输运性质和缺陷结构 194
5-3-1一般性质和输运机制 194
5-3-2点缺陷结构和高温电导 198
5-3-3杂质的影响 201
5-4氧化铁的电性质与缺陷结构 205
5-4-1相图和晶体结构 205
5-4-2输运性质和缺陷结构 208
5-5二氧化钛（TiO2）和二氧化锡（SnO2）的电性质和缺陷结构 212
5-5-1能带结构 214
5-5-2电子输运性质 215
5-5-3缺陷结构 219
5-5-4作为气敏材料的SnO2 221
5-6高电导金属氧化物ReO3和RuO2 225
5-6-1三氧化铼ReO3 225
5-6-2二氧化钌RuO2 227
5-7α-Al2O3 234
5-8钛酸钡（BaTiO3）和钛酸锶（SrTiO3） 242
5-8-1电导和固有原子缺陷 243
5-8-2杂质的影响 248
5-8-3BaTiO3陶瓷的PTC效应 255
5-9铁酸镧（LaFeO3）及其固溶体 256
5-9-1LaFeO3 257
5-9-2固溶体La1-χSrχFeO3 264
5-10V2O3，金属—绝缘体相变 268
5-10-1晶体结构及电阻率 269
5-10-2V2O3及其固溶体（V1-xMx）2O3的相图 271
5-10-3V2O3的输运性质 272
5-10-4V2O3的能带结构 273
5-10-5V2O3的相变理沦 275
5-11金属氧化物陶瓷高温超导材料 278
5-11-1陶瓷高温超导材料的发现 278
5-11-2陶瓷高温超导材料的晶体结构和电子结构 280
5-11-3陶瓷高温超导材料的制备研究 284
5-11-4陶瓷高温超导材料的现况和问题 285
主要参考文献 288
第二篇 化合物半导体基础 291
第六章 化合物半导体的能带结构和缺陷结构 291
6-1化合物半导体的能带结构 293
6-1-1引言 293
6-1-2化合物半导体的能带结构 297
6-1-3混溶晶体——固溶体的能带 308
6-2化合物半导体中的杂质和缺陷结构 315
6-2-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质 315
6-2-2Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的杂质 320
6-2-3化合物半导体中的缺陷 321
6-3化合物半导体中的点缺陷K—V图 326
6-3-1引言 326
6-3-2CdTe中的点缺陷平衡 327
主要参考文献 334
7-1化合物半导体的特点及其应用 336
第七章 典型化合物半导体的缺陷结构及电子输运性质 336
7-2化合物半导体的散射机制和输运性质 341
7-2-1散射机制 341
7-2-2输运性质 343
7-3各种重要化合物半导体的输运性质和缺陷结构 348
7-3-1重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 349
7-3-2Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体和ZnO 358
7-3-3Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体 361
7-3-4混溶晶体 363
主要参考文献 368
附录一 测量金属氧化物半导体材料的高温电导率的四探针法 369
1．高温电导率与氧分压关系的测定 369
2．电导率与温度关系的测量 371
附录二 电子输运现象的数值解法 371
1．用迭代法计算输运系数的计算机程序 372
2．用蒙多卡罗法计算热电子电导率和扩散系数的计算机程序 386
附录三 主要导电金属氧化物的室温电阻率 395
主要参考文献 396