目 录 1
译者的话 1
第一章晶体生长方法导论 1
1-1 引言 1
1-2晶体生长的文献 1
1-3固相生长方法 2
1-4熔体生长方法 2
1-5区域熔炼 4
1-6汽相生长方法 4
1-7 α因子分类法 5
1-8结论 6
第二章成核和生长理论 10
2-1 引言 10
2-2 晶体模型 11
2-3过饱和、过冷和体积能 13
2-4三维成核 15
2-5晶体表面的生长 22
2-6晶体生长中的材料和热流 27
2-7晶体形态的动力学成因 28
第三章界面稳定性理论 33
3-1引言 33
3-2组分过冷 34
3-3平界面稳定性的动力学理论 38
3-4熔化界面 48
3-5有对流时平凝固界面的稳定性 54
3-6在过冷液相中生长的固相球体的稳定性 58
3-7在过冷液相中生长的固相圆柱体的稳定性 65
3-8枝蔓晶体和共晶的稳定性 73
3-9结论 74
第四章区域熔化及其应用技术 78
4-1 引言 78
4-2区域熔化的理论概述 79
4-3影响区域熔化实践的因素 97
4-4区熔设备的设计和选择 101
4-5区域熔化技术的新进展 108
4-6非常规技术和联合技术 109
4-7结论 113
第五章砷化镓单晶体和薄膜的生长 118
5-1 引言 118
5-2相平衡和蒸气压 118
5-3理想配比和点缺陷 120
5-4块状晶体的生长 122
5-5外延薄膜 124
5-6结晶缺陷 135
5-7结论 136
第六章熔盐法 138
6-1 引言 138
6-2助熔剂的选择 138
6-3相图测定 140
6-4生长机理 142
6-5生长稳定性 144
6-6一般实用原理 146
6-7缓慢冷却法 147
6-8限制成核的方法 152
6-9加籽晶生长 152
6-10溶剂蒸发法 153
6-11温度梯度法 153
6-12其他方法 156
6-13晶体缺陷 157
6-14结论 159
7-1引言：方法的通用性与局限性 162
第七章 自发成核熔盐法的实际应用 162
7-2文献 163
7-3装置 166
7-4坩埚 168
7-5成核 173
7-6溶质扩散和晶体生长 178
7-7关于氧化物材料用的助熔剂的标志 187
7-8关于氟化物材料用的助熔剂的注释 204
7-9讨论 207
7-10结论 215
第八章工业结晶法 225
8-1过饱和、成核和生长 226
8-2结晶方法和设备 237
8-3结晶器的设计和操作 245
第九章晶体生长环境的建立、测量和控制 253
9-1引言 253
9-2温度 254
9-3气氛 290
9-4容器材料 297
9-5生长速度 299
9-6结语 299
第十章汽相生长 304
10-1引言 304
10-2汽相生长原理 304
10-3物理输运技术 306
10-4化学输运技术 311
10-5成核与外延膜的继续生长 317
10-6归纳和结论 323
第十一章熔融金属溶液生长法 326
11-1引言 326
11-2相关系 332
11-3动力学 339
11-4熔融金属溶液生长法 342
11-5从熔融金属溶液中长出的半导体的性能 357
12-1引言 381
第十二章晶体提拉法 381
12-2熔体 382
12-3坩埚 383
12-4加热和控制的方法 385
12-5 引晶 387
12-6保护气氛 389
12-7拉速和转速 389
12-8 掺杂 391
12-9后加热器 392
12-10典型生长条件的例子 393
第十三章在压力下生长晶体的方法 398
13-1引言 398
13-2电阻加热 399
13-3感应加热 404
13-4用液封法（L.E.）生长晶体 412
13-5新方法展望 419
13-6摘要和结论 420
14-1生长方法 422
第十四章水溶液法 422
14-2晶相 423
14-3晶体生长装置 424
14-4水热法生长晶体 428
14-5晶体形态和生长速率 432
14-6晶体缺陷 434
第十五章枝蔓生长 436
15-1引言 436
15-2枝蔓生长的影响 439
15-3引起枝蔓生长的不稳定因素 442
15-4 “稳态”枝蔓生长速度 443
15-5实验数据与理论推算值的比较 448
15-6附录 451
第十六章液晶 454
16-1 引言 454
16-2由纯二亲性化合物形成的热致液晶 457
16-3由二亲性化合物形成的溶致液晶 467
16-4多肽类溶液的胆甾型介晶相 471
16-5生物体中的液晶 472
16-6热致液晶的应用 474
第十七章晶体完美性的鉴定 480
17-1引言 480
17-2体缺陷、面缺陷、线缺陷和点缺陷 480
17-3晶体缺陷的阈值浓度 483
17-4测定结构欠完美性的方法 484
主题索引 503