目 录 1
绪论 1
第一章半导体物理基础 1
第一节 量子论简述 1
第二节 波函数和薛定锷方程 8
第三节 晶体的能带 19
第四节 平衡载流子浓度计算 32
第五节 非平衡载流子 40
第六节 载流子的运动 49
习题 60
参考文献 62
附录 63
［A1-1］电子能量与波矢的关系 63
［A1-2］波包的运动速度 65
［A1-3］复合率公式 66
第二章PN结 69
第一节 概述 69
第二节 PN结的伏安特性 75
第三节 PN结反向击穿 89
第四节PN结的电容效应 104
第五节 二极管端部的金属化 110
第六节 二极管的特性分析 114
习题 124
参考文献 125
附录二 126
［A2-1］缓变结正向电流表达式 126
［A2-2］线性结的雪崩击穿电压 128
［A2-3］P+一i-N+二极管1区电压降UM的表达式 129
第三章功率晶体管 132
第一节 概述 132
第二节 晶体管的直流短路电流增益 135
第三节 晶体管的反向漏电流与击穿电压 146
第四节 大功率晶体管 150
第五节 晶体管的开关特性 164
第六节 功率MOS场效应晶体管 172
习题 184
参考文献 184
附录三 185
［A3-1］晶体管的低频小信号参数 185
第四章晶闸管 187
第一节 概述 187
第二节 阻断特性 195
第三节 门极特性 206
第四节 开通特性上 211
第五章 关断特性 225
第六节 耗散功率与散热 236
第七节 应用举例 240
习题 250
思考题 250
参考文献 250
附录四 251
（A4-1］注入效率表达式 251
［A4-2］基区输运因子表达式 252
［A4 3］dIA/dIg表达式 254
［A4-4］阴极短路点中心点间的横向电压降Uy表达式 255
［A4-5］温升与散热分析 257
第五章特殊晶闸管 261
第一节 高频晶闸管 261
第二节 逆导晶闸管 273
第三节 双向晶闸管 278
第四节 场控晶闸管 284
第五节 其他晶闸管 290
思考题 293
参考文献 293
附录五 294
［A5-1］挤流速度与蓄积时间 294
［A5-2］下降时间 297
第一节 太阳电池的发展 299
第六章大功率光电器件 299
第二节 太阳光与半导体 300
第三节 常规硅太阳电池 304
第四节 背面场硅太阳电池 312
第五节 聚光硅太阳电池 313
第六节 其他太阳电池 315
习题 317
思考题 317
参考文献 317
［A6-1］太阳光的聚集 318
附录六 318
第七章器件特性测试 320
第一节 晶闸管电参数测试 320
第二节 基本参数测量 325
第三节 太阳能电池特性测试 329
参考文献 332
附表 333
附表一 典型半导体材料的本征特性 333
附表二 硅和锗半导体材料的性质 333
附表三 常用物理常数 334
附表四 方块电阻的修正系数 335