1.0 范围 1
1.1 一般信息 2
1.1.1 元器件可靠性历史 2
1.1.1.1 引言 2
1.1.1.2 真空管时代(1940～1950) 2
1.1.1.3 可靠性的10年和晶体管的崛起(1950～1960) 3
1.1.1.4 集成电路的10年(1960～1970) 5
1.1.1.5 大规模集成电路的10年(1970～1980) 6
1.1.1.6 超大规模集成电路(VLSI)和超高速集成电路(VHSIC)的10年(1980～) 7
1.1.1.7 结束语 8
1.1.2 采用可靠元器件的必要性 8
1.1.2.1 引言 8
1.1.2.3 不可修复设备的情况 9
1.1.2.2 元器件的安全性 9
1.1.2.4 关键功能的应用 10
1.1.2.5 元器件寿命周期费用 10
1.1.2.4-1 在元器件或电路不同组装等级排除失效所需费用 10
1.1.2.3-1 元器件类型及筛选标志 10
1.1.2.5-3 非标准元器件后勤保障费用 11
1.1.2.5-2 非标准元器件鉴定或试验费用 11
1.1.2.5-1 文件编制费用(非标准元器件) 11
1.1.3 目前的技术水平 12
1.1.3.1 半导体技术和材料 12
1.1.3.1.1 半导体器件的类别 12
1.1.3.1.1-1 半导体器件类别 12
1.1.3.2.1-1 制造双极集成电路的一系列掩模 13
1.1.3.2-1 半导体器件的材料和制造过程 13
1.1.3.2 半导体器件的材料和制造过程 13
1.1.3.2.1 照像制造法 13
1.1.3.2.3 膜式集成电路 14
1.1.3.2.2 光刻法 14
1.1.3.3 封装方法 15
1.1.3.4 电子元器件的试验方法 16
1.1.3.4-1 环境试验方法(100类) 16
1.1.3.4-2 物理特性试验方法(200类) 16
1.1.3.4-3 电特性试验方法(300类) 16
1.1.4 发展趋势 17
1.1.4.1 超高速集成电路 18
1.1.4-1 小型化趋势 18
1.1.4.2 其它新技术 19
1.1.4.2-1 硅和砷化镓在300度K的特性 19
1.1.4.2-2 数字技术的速度和功率能力的比较 20
参考文献 21
1.1.4.2-3 砷化镓实验室器件的噪声系数特性 21
2.1 文件版本 23
2.0 参照文件 23
3.0 定义 28
4.1.1 定义 31
4.1 引言 31
4.0 可靠性理论 31
4.2 概率分布 31
4.2.2 可靠性分析中应用的分布 31
4.2.1-1 正态分布 31
4.2.2.1 指数分布 32
4.2.1-2 典型的概率密度函数 32
4.2.2.1-1 指数分布 33
4.2.2.3 威布尔分布 34
4.2.2.2-1 对数正态分布 34
4.2.2.2 对数正态分布 34
4.2.2.3-1 威布尔概率纸 36
4.2.2.3-2 失效前的时间、秩序号、百分位 37
4.2.2.3-1 估计平均寿命百用的分比 37
4.2.2.3-2 威布尔图示例 38
4.2.2.4-1 伽玛分布 39
4.2.2.4 伽玛分布 39
4.2.3.1 指数分布均值的置信度 40
4.2.3 置信区间 40
4.2.4-1 理想的工作特性曲线 41
4.2.4 统计质量控制 41
4.2.4-2 典型的工作特性曲线 42
4.3.1 阿列尼厄斯模型 42
4.3 失效率与温度的关系 42
4.3.3-1 失效率与温度的关系 43
4.3.3 激活能 43
4.3.2 艾林模型 43
4.2.1 概述 43
参考文献 44
5.1-1 元器件选择和控制基本规则 45
5.0 元器件可靠性设计考虑 45
5.1 元器件的选择与控制 45
5.1.1 元器件控制 45
5.1.1-1 计划项目的元器件选择清单编制流程 46
5.1.2 元器件选择 47
5.1.2.1 微型电路可靠性估计程序和半导体器件可靠性估计程序 47
5.1.3 元器件的批准 48
5.1.3.1 元器件的合理性 48
5.1.3.2 元器件的应用 48
5.1.3.3 元器件参数 48
5.1.4 关键元器件 49
5.1.5 失效率预计 50
5.1.5.1 MIL-HDBK-217电子设备可靠性预计 50
5.2 元器件选择准则 51
5.2.1 微型电路 51
5.2.1.1-1 微型电路选择准则 51
5.2.1.1 选择准则 52
5.2.1.1.2-1 备选微型电路组件的制造和设计细节 55
5.2.1.1.2-2 备选微型电路组件的速度和功率权衡 55
5.2.1.1.2-3 SSI-MSI逻辑性能与功率的关系 56
5.2.1.2 应用考虑 56
5.2.1.1.2-4 备选微型电路组件的速度和应用场合 57
5.2.1.1.2-1 LSI组件特性 58
5.2.1.2.3-1 噪声类型和设计考虑 60
5.2.1.2.3-2 不良的传输线回路产生的噪声 61
5.2.1.2.3-1 电阻器比较图 62
5.2.1.2.3-2 用于数据转换的电容器 64
5.2.1.2.3.5 对“虚假接地”负载优化的负电源去耦 65
5.2.1.2.3-3 电阻器安装方法 65
5.2.1.2.3-3 精密电阻器温度考虑 65
5.2.1.2.3-4 对“接地”负载优化的负电源去耦 65
5.2.1.2.3-6 减法放大器解决接地问题 65
5.2.1.2.3-6 印制电路板应用辅助手段 66
5.2.1.2.3-4 印制电路板改善电性能的机会和缺陷 66
5.2.1.2.3-5 要求慎重使用印制电路技术的典型场合 66
5.2.1.3 通用线性集成电路的应用说明 68
5.2.1.3-1 电压输出器电路 69
5.2.1.3-2 电流放大器反馈回路 70
5.2.1.3-3 采样和保持电路 71
5.2.1.3-4 正电压调节器 72
5.2.1.3-5 用R-2R电阻梯形网络构成的D/A转换器 73
5.2.1.3-6 加权电阻器网络 73
5.2.1.3-7 “闪现”或并联A/D转换器 74
5.2.1.3-1 数目147的A/D转换 74
5.2.1.3-8 双斜率积分算法 75
5.2.1.3-9 锁相回路方框图 75
5.2.1.4 通用数字微型电路的应用信息 76
5.2.1.3-10 555定时器简化电路图 76
5.2.1.4-1 激励能力为100毫安的单端器件基本结构 78
5.2.1.6-1 处理部件特征 80
5.2.1.5 通用大规模集成微型电路的应用信息 83
5.2.1.6 微处理机、微型计算机和位片处理机 85
5.2.2 分立半导体器件 91
5.2.2.2 器件的选择 91
5.2.2.1 引言 91
5.2.1.7 降额 91
5.2.1.7-1 线性微型电路降额 91
5.2.1.7-2 数字微型电路降额 91
5.2.1.7-3 混合器件降额 91
5.2.2.3 一般应用信息 92
5.2.2.2-1 半导体器件选择准则 92
5.2.2.3-1 时间温度回归 93
5.2.2.3.3 二次击穿(安全工作范围) 96
5.2.2.3-2 极端工作条件下的二次击穿 96
5.2.2.3-4 双极和MOSFET器件的电符号 97
5.2.2.2-5 电流激励的双极晶体管和电压激励的MOSFET 97
5.2.2.3-9 漏-源极特性方框图 98
5.2.2.3-7 典型的开关波形 99
5.2.2.3-8 栅加速电路 99
5.2.2.3-9 栅加速电路及开关时间值 99
5.2.2.3-10 有和无栅加速电路的开关时间与漏极电流的一般关系 100
5.2.2.3-11 开关效率 101
5.2.2.3-12 箝位的电感性试验电路 101
5.2.3 电阻器 103
5.2.2.4 降额 103
5.2.2.4-1 晶体管降额因子 103
5.2.3.1 引言 103
5.2.2.4-2 二极管降额 104
5.2.2.4-1 应力温度降额图 104
5.2.2.4-2 晶体管保护 105
5.2.2.4-4 CMOS保护 106
5.2.2.4-3 可控硅整流器保护 106
5.2.2.4-5 CMOS处理注意事项 106
5.2.2.4-6 TTL保护 107
5.2.2.4-7 二极管保护 107
5.2.2.4-8 脉冲波形 107
5.2.3.2 选择 108
5.2.3.2-1 电阻器选择准则 108
5.2.3.2-2 电阻器应用和选择 108
5.2.3.3 一般应用信息 112
5.2.3.3-1 固定电阻器在自由空气中的散热 113
5.2.3.4-1 电阻分布特性 116
5.2.3.4-2 降额曲线 116
5.2.3.4 MIL-R-19 RA型低工作温度的线绕可变电阻器 116
5.2.3.6-1 降额曲线 117
5.2.3.7 MIL-R-94 RV型合成可变电阻器 117
5.2.3.6 MIL-R-26 RW型功率型线绕固定电阻器 117
5.2.3.5 MIL-R-22 RP型功率型非封闭式线绕可变电阻器 117
5.2.3.5-1 降额曲线 117
5.2.3.7-1 降额曲线 118
5.2.3.8-1 降额曲线 118
5.2.3.9-1 降额曲线 118
5.2.3.9 MIL-R-12934 RR型精密线绕可变电阻器 118
5.2.3.8 MIL-R-11804 RD型功率型非绝缘膜式固定电阻器 118
5.2.3.11-1 降额曲线 119
5.2.3.10-1 降额曲线 119
5.2.3.11 MIL-R-22097 RJ型调节型非线绕可变电阻器 119
5.2.3.10 MIL-R-18546 RE型功率型底座安装线绕固定电阻器 119
5.2.3.12-1 电阻分布特性 120
5.2.3.12-2 降额曲线 120
5.2.4.2-2 电容器的选择和使用指南 120
5.2.3.13 MIL-R-27208 RT型调节型线绕可变电阻器 120
5.2.3.12 MIL-R-23285 RVC型非线绕可变电阻器 120
5.2.3.14-1 降额曲线 121
5.2.3.15-1 降额曲线 121
5.2.3.13-1 降额曲线 121
5.2.3.16 MIL-R-39007 有可靠性要求的RWR型功率型线绕固定电阻器 121
5.2.3.14 MIL-R-39002 RK型半精密线绕可变电阻器 121
5.2.3.15 MIL-R-39005 有可靠性要求的RBR型精密线绕固定电阻器 121
5.2.3.18 MIL-R-39009 有可靠性要求的RER型功率型底座安装线绕固定电阻器 122
5.2.3.17 MIL-R-39008 有可靠性要求的RCR型绝缘合成固定电阻器 122
5.2.3.17-1 降额曲线 122
5.2.3.16-1 降额曲线 122
5.2.3.20 MIL-R-39017 有可靠性要求的RLR型绝缘的膜式固定电阻器 123
5.2.3.19 MIL-R-39015 有可靠性要求的RTR型螺杆驱动线绕可变电阻器 123
5.2.3.19-1 降额曲线 123
5.2.3.18-1 降额曲线 123
5.2.3.21 MIL-R-39023 RQ型精密非线绕可变电器 124
5.2.3.20-2 降额曲线 124
5.2.3.20-1 高频工作特性 124
5.2.3.22 MIL-R-39035 有可靠性要求的RJR型螺杆驱动非线绕可变电阻器 125
5.2.3.23 MIL-R-55182 有可靠性要求的RNR型膜式固定电阻器 125
5.2.3.21-1 降额曲线 125
5.2.3.22-1 降额曲线 125
5.2.3.24 MIL-R-55342 有可靠性要求的片状膜式固定电阻器 126
5.2.3.25 MIL-R-83401 RZ靠膜式固定电阻器网络 126
5.2.3.23-1 降额曲线 126
5.2.3.24-1 降额曲线 126
5.2.3.25-1 降额曲线 127
5.2.3.26-1 降额曲线 127
5.2.4 电容器 127
5.2.4.1 引言 127
5.2.3.26 MIL-T-23648 RTH型绝缘热敏电阻器 127
5.2.4.2 电容器选择 129
5.2.4.2-1 电容器选择准则 129
5.2.4.3 一般应用考虑 135
5.2.4.3-1 各类电容器的工作频率限制 136
5.2.4.4 MIL-C-20 有可靠性要求的CCR型瓷介温度补偿固定电容器 138
5.2.4.5 MIL-C-81 CV型瓷介可变电容器 139
5.2.4.6 MIL-C-10950 CB型钮扣式云母介质固定电容器 139
5.2.4.8 MIL-C-14409 PC型活塞式管状微调可变电容器 139
5.2.4.9 MIL-C-19978 有可靠性要求的COR型金属壳气密封塑料(或纸-塑料)介质固定电容器 139
5.2.4.7 MIL-C-11015 CK型通用瓷介固定电容器 139
5.2.4.10 MIL-C-23183 CG型气体或真空介质、陶瓷或玻璃外壳固定或可变电容器 140
5.2.4.9-1 MIL-C-19978金属外壳管状电容器的最大直流电压与高度额定值之间的关系 140
5.2.4.14 MIL-C-39006 有可靠性要求的CLR型非固体电解质钽电解固定电容器 141
5.2.4.13 MIL-C-39003 有可靠性要求的CSR型固体电解质钽电解固定电容器 141
5.2.4.12 MIL-C-39001 有可靠性要求的CMR型云母介质固定电容器 141
5.2.4.11 MIL-C-23269 有可靠性要求的CYR型玻璃介质固定电容器 141
5.2.4.15 MIL-C-39014 有可靠性要求的CKR型通用瓷介质固定电容器 142
5.2.4.17 MIL-C-30922 有可靠性要求的CHR型气密封金属外壳金属化纸塑料薄膜或塑料介质交直流固定电容器 143
5.2.4.16 MIL-C-39018 有可靠性和无可靠性要求的CU和CUR型铝氧化物电解固定电容器 143
5.2.4.18 MIL-C-55365 有可靠性要求的CWR型片状钽固定电容器 144
5.2.4.20 MIL-C-55681 有可靠性要求的CDR型片状多层瓷介固定电容器 144
5.2.4.21-1 电容器降额 144
5.2.4.21 降额因子 144
5.2.5.1 引言 145
5.2.5 磁性元件 145
5.2.5.2-1 磁性元件选择准则 146
5.2.5.2-2 磁性元件的选择和使用指南 146
5.2.5.2 元件选择 146
5.2.5.3 一般应用考虑 146
5.2.5.2-3 规范规定的使用期和环境引起的参数变化 148
5.2.5.3-1 变压器、电感器和线圈的降额准则 149
5.2.5.3-2 对应于变压器、电感器和线圈中所用导线尺寸的电流降额值 149
5.2.6 继电器 149
5.2.6.1 引言 149
5.2.6.2-1 继电器的功能及其选择指南 150
5.2.6.2-2 继电器选择准则 150
5.2.6.2 继电器选择 150
5.2.6.3 应用考虑 151
5.2.6.3-1 适用于继电器的军用规范 151
5.2.6.3-1 电流对工作寿命的影响(典型特性) 151
5.2.6.3-2 直流灭弧法 152
5.2.6.3-2 降额因子 153
5.2.7.1 引言 155
5.2.7 开关 155
5.2.7.2-1 几种开关选择准则 156
5.2.7.2-2 开关的使用和选择指南 156
5.2.7.2 开关选择 156
5.2.7.3 应用考虑 158
5.2.7.3-1 电流对工作寿命的影响(典型特性) 159
5.2.7.5 降额 160
5.2.7.4 环境考虑 160
5.2.8.2 连接器选择 161
5.2.8.2-1 连接器选择准则 161
5.2.7.5-1 降额 161
5.2.8.1 引言 161
5.2.8 电连接器 161
5.2.8.2-2 电连接器选择和使用指南 162
5.2.8.2-1 使用寿命与热点温度的关系 168
5.2.8.3 降额要求 169
5.2.8.3-1 连接器降额(海平面) 169
5.2.9 电子管 170
5.2.9.1 引言 170
5.2.8.3-2 不同高度的电压降额 170
5.2.9.2 电子管选择准则 170
5.2.10.2-1 电缆选择准则 171
5.2.9.2-1 电子管选择准则 171
5.2.9.3 失效模式和机理 171
5.2.10 电缆 171
5.2.10.1 引言 171
5.2.10.2 选择 171
5.2.10.3 选择和应用考虑 172
5.2.11.2 规范和标准 173
5.2.11 电-光学或纤维光学 173
5.2.11.1 引言 173
5.2.11.2-1 军用规范和标准 174
5.2.12.1 引言 175
5.2.12 印制电路 175
5.2.12.2 印制电路设计和处理准则 175
5.2.12.2-2 焊料连接的材料和工艺准则 176
5.2.12.2-1 印制电路的设计和处理准则 176
5.2.12.3 元器件安装(焊接) 177
5.2.12.4 印制电路板的选择 177
5.2.12.4-1 互连组件使用和选择指南 178
5.2.13 标准电子模块(SEM)计划 179
5.2.13.1 引言 179
5.2.13.2 SEM计划的目标 179
5.2.13.3 标准电子模块的选择和使用准则 179
5.2.13.4 SEM计划的要求 179
参考文献 180
5.2.13.3-1 标准电子模块的选择和使用准则 180
5.2.13.5 质量和可靠性 180
6.1.1 耐环境特性 182
6.1 环境考虑 182
6.0 应用指南 182
6.1.2-1 电子设备的环境应力、影响和可靠性提高方法 182
6.1.2 环境因素 182
6.1.2.1 温度影响 183
6.1.2.4 电磁和核辐射 184
6.1.2.2 机械冲击 184
6.1.2.3 潮气和盐雾 184
6.1.2.5 其它应力因素 185
6.1.3 耐环境措施 185
6.1.3.1 热防护 185
6.1.3.1-1 元器件的低温下使用时可能得到的可靠性改善(以失效率表示) 186
6.1.3.3 冲击和振动防护 187
6.1.3.1-2 减少元器件过热的设计指南 187
6.1.3.2 机械防护 187
6.1.3.4 湿度、盐雾和砂尘的防护 188
6.1.4 组装的一般考虑 188
6.1.4-1 组装方法对比 189
6.1.3.5 辐射防护 189
6.1.5 生产环境应力 189
6.1.6.2 静电放电敏感元器件的失效类型、失效模式和失效机理 190
6.1.6.1 引言 190
6.1.6 静电放电控制(ESD) 190
6.1.6.3 失效模式和机理 191
6.1.6.4 静电放电敏感度试验(VZAP试验) 192
6.1.6.5 静电放电防护器材和设备 192
6.1.6.5-1 摩擦生电样本材料系列 195
6.1.6.6 设计中的静电放电防护措施 196
6.1.6.7 静电放电控制计划 197
6.1.6.8 资料来源 198
6.2 可靠电路设计指南 198
6.2.1 电降额 198
6.2.1-1 分立半导体器件基本失效率参数 199
6.2.1-2 第一组晶体管(硅，NPN)的基本失效率 200
6.2.1-1 第一组晶体管(硅，NPN)的应力/温度曲线 201
6.2.1-2 半导体器件典型降额曲线 201
6.2.1-4 功率二极管IN3263 的多点降额曲线 202
6.2.1-3 实际的恒结温曲线 202
6.2.2.1 温度对可靠性的影响 203
6.2.2 热设计 203
6.2.2.2 热和传热理论 204
6.2.2.2-1 元器件的等效热回路 205
6.2.3.1-1 采用普通冷却方法时每单位面积的最大热耗散量 206
6.2.3.1 冷却方法的限制 206
6.2.3 可靠热设计指南 206
6.2.3.1-2 模块式微电子器件采用强迫空气冷却方法的限制 206
6.2.2.2-2 散热片的热回路 206
6.2.3.1-3 各种冷却方法的限制 207
6.2.3.2 元器件的位置和布局 207
6.2.3.2-3 自由对流冷却设备 207
6.2.3.2-2 强迫对流冷却设备 207
6.2.3.2-1 利用自由对流冷却设备时，不要将元器件正好放在高耗能元器件的上方 207
6.2.3.3-1 混合微型电路的安装 208
6.2.3.3 元器件安装 208
6.2.3.3-2 大功率元器件的安装 208
6.2.4 热设计的管理 209
6.2.3.3-5 冷壁冷却插件的安装 209
6.2.3.3-4 多层印制线路板冷却方法 209
6.2.3.3-3 导热化合物的利用 209
6.2.4-1 热系统管理过程流程图 210
参考文献 211
6.2.5 当前技术水平的限制 211
7.0 采购期间的技术要求和控制 212
7.1.1 筛选的理论和目的 212
7.1 元器件筛选 212
7.1-1 寿命特性曲线 212
7.1.2 元器件筛选的设计 213
7.1.1-1 可靠性筛选 213
7.1.2.1 有可靠性要求的无源元件 214
7.1.2.2 JAN、JANTX、JANTXV和JANS半导体 214
7.1.2.1-1 MIL-STD-202 试验方法一览表 215
7.1.2.2-1 JAN、JANTX和JANTXV类器件的程序安排框图 216
7.1.2.2-2 JAN、AJNTX和JANTXV类器件的另一种程序安排框图 217
7.1.2.2-3 JANS类器件的程序安排框图 217
7.1.2.2-1 失效率的相对差别 218
7.1.2.2-2 MIL-STD-750的分立半导体器件试验方法 218
7.1.2.3 微型电路的质量和可靠性等级 220
7.1.2.3-1 MIL-STD-883的微型电路试验方法 221
7.1.3 筛选的费用效能 222
7.1.3-1 微型电路缺陷和筛选 222
7.1.3-2 筛选法比较 224
7.1.3-1 筛选的费用效能 227
7.3.3-4 MIL-STD-883试验的效果 228
7.1.3-3 MIL-STD-883 5094 法的筛选顺序 228
7.2 微型电路测试 229
7.2.1 测试概念 229
7.1.3-5 B类器件的筛选试验费用 229
7.2.1.1 逻辑整体测试 230
7.2.1.2 交流测试 230
7.2.1.3 直流(静态)测试 230
7.2.2 存储器测试 231
7.2.2-1 测试方法比较 232
7.2.3 大规模集成电路和随机逻辑测试 233
7.2.2-2 各种测试类型的成功率比较 233
7.3.1 元器件选择和控制 234
7.2.3-1 典型特征信号产生算法 234
7.3 可靠元器件的管理 234
7.3.2 可靠性计划 235
参考文献 236
8.1 贮存 237
8.0 后勤保障 237
8.1-1 电子元器件在贮存期间的失效模式 238
8.1.1 元器件贮存的一般考虑 239
8.1.2 微型电路贮存特性 240
8.1.2-3 存储器/大规模集成器件的失效模式和机理的信息记录 241
8.1.2-1 数字和线性器件的主要失效机理 241
8.1.2-2 金属氧化物半导体小规模集成/中规模集成器件的失效率模式和机理的信息记录 241
8.1.3 分立半导体贮存特性 242
8.1.4 电阻器贮存环境 242
8.1.5 电容器贮存特性 243
8.1.5-1 固体钽电容器失效机理分析 243
8.1.6 电感性器件贮存特性 244
8.1.5-2 钽箔电容器的失效机理分析 244
8.1.6-1 受各种使用和贮存条件影响的失效模式 244
8.1.8 防护方法 245
8.1.7 印制电路贮存特性 245
8.2.1.2 空军的备件要求 246
8.2.1.1 主要武器系统的元器件控制 246
8.2.1 已装备的军用设备和系统的元器件控制 246
8.2 备件供应 246
8.2.2 备件供应方法 247
8.2.2.1.1-1 雷达的主要组件 248
8.2.2.1 备件和维修设施的优化 248
8.2.2.1.1 问题 248
8.2.2.1.1-2 数字印制电路板的数量 249
8.2.2.1.1-3 维修方针 249
8.2.2.1.2 问题的求解 249
8.2.2.1.1-1 维修方针 250
8.2.2.1.1-2 各修理线的任务 250
8.2.2.1.2-1 D1和D2的重迭区 251
8.2.2.1.2-2 修理时间的分布 251
8.2.2.1.2-1 转换矩阵 252
8.2.2.1.2-3 马可夫过程 252
8.2.2.1.2-4 货源模式及库存水平 253
8.2.2.1.3-1 供应线路 254
8.2.2.1.3 修理设施 254
参考文献 255
9.0 故障报告和分析 256
9.1 故障报告 256
9.1.1 闭环境报告和改正措施系统 256
9.1.1-1 闭环故障报告和改正措施系统 257
9.1.3 故障报告表 258
9.1.4.1 用户数据报告系统 258
9.1.4 数据收集和保存 258
9.1.2 故障报告系统 258
9.1.3-1 故障报告表(样件) 259
9.1.3-2 故障分析报告表(样件) 260
9.1.3-3 改正措施申请表(样件) 261
9.2 故障分析 264
9.2.2 故障分析仪器 265
9.2.1 故障分析的一般考虑 265
9.2.1-1 故障分析研究流程图 266
9.2.1-2 通用故障分析流程图(第一部分) 267
9.2.1-2 通用故障分析流程图(第二部分) 268
9.2.3 由故障分析获得的信息 269
9.2.4 零件故障的共同原因 269
9.2.5 故障种类 269
9.2.2-1 初步故障分析实验室 269
参考文献 270
附录A 影响元器件失效率的因素 271
附录A 271
1 影响失效率的因素 271
2 (a)电阻器 272
2 (b)电容器 272
2 (c)继电器、开关和连接器 272
3 半导体器件的其它失效率影响因素 272
4 单片和混合微型电路的其它失效率因素 272
5 微型电路的熟练因子/失效率系数 272
附录B 电子管的基本失效率(包括偶然和耗损失效) 273
5.2.4.19 MIL-C-55514 有可靠性要求的CFR型非金属外壳塑料或金属化塑料介质直流固定电容器 1444