可靠性设计手册 第2卷PDF电子书下载

1.0 范围 1

1.1 一般信息 2

1.1.1 元器件可靠性历史 2

1.1.1.1 引言 2

1.1.1.2 真空管时代(1940～1950) 2

1.1.1.3 可靠性的10年和晶体管的崛起(1950～1960) 3

1.1.1.4 集成电路的10年(1960～1970) 5

1.1.1.5 大规模集成电路的10年(1970～1980) 6

1.1.1.6 超大规模集成电路(VLSI)和超高速集成电路(VHSIC)的10年(1980～) 7

1.1.1.7 结束语 8

1.1.2 采用可靠元器件的必要性 8

1.1.2.1 引言 8

1.1.2.3 不可修复设备的情况 9

1.1.2.2 元器件的安全性 9

1.1.2.4 关键功能的应用 10

1.1.2.5 元器件寿命周期费用 10

1.1.2.4-1 在元器件或电路不同组装等级排除失效所需费用 10

1.1.2.3-1 元器件类型及筛选标志 10

1.1.2.5-3 非标准元器件后勤保障费用 11

1.1.2.5-2 非标准元器件鉴定或试验费用 11

1.1.2.5-1 文件编制费用(非标准元器件) 11

1.1.3 目前的技术水平 12

1.1.3.1 半导体技术和材料 12

1.1.3.1.1 半导体器件的类别 12

1.1.3.1.1-1 半导体器件类别 12

1.1.3.2.1-1 制造双极集成电路的一系列掩模 13

1.1.3.2-1 半导体器件的材料和制造过程 13

1.1.3.2 半导体器件的材料和制造过程 13

1.1.3.2.1 照像制造法 13

1.1.3.2.3 膜式集成电路 14

1.1.3.2.2 光刻法 14

1.1.3.3 封装方法 15

1.1.3.4 电子元器件的试验方法 16

1.1.3.4-1 环境试验方法(100类) 16

1.1.3.4-2 物理特性试验方法(200类) 16

1.1.3.4-3 电特性试验方法(300类) 16

1.1.4 发展趋势 17

1.1.4.1 超高速集成电路 18

1.1.4-1 小型化趋势 18

1.1.4.2 其它新技术 19

1.1.4.2-1 硅和砷化镓在300度K的特性 19

1.1.4.2-2 数字技术的速度和功率能力的比较 20

参考文献 21

1.1.4.2-3 砷化镓实验室器件的噪声系数特性 21

2.1 文件版本 23

2.0 参照文件 23

3.0 定义 28

4.1.1 定义 31

4.1 引言 31

4.0 可靠性理论 31

4.2 概率分布 31

4.2.2 可靠性分析中应用的分布 31

4.2.1-1 正态分布 31

4.2.2.1 指数分布 32

4.2.1-2 典型的概率密度函数 32

4.2.2.1-1 指数分布 33

4.2.2.3 威布尔分布 34

4.2.2.2-1 对数正态分布 34

4.2.2.2 对数正态分布 34

4.2.2.3-1 威布尔概率纸 36

4.2.2.3-2 失效前的时间、秩序号、百分位 37

4.2.2.3-1 估计平均寿命百用的分比 37

4.2.2.3-2 威布尔图示例 38

4.2.2.4-1 伽玛分布 39

4.2.2.4 伽玛分布 39

4.2.3.1 指数分布均值的置信度 40

4.2.3 置信区间 40

4.2.4-1 理想的工作特性曲线 41

4.2.4 统计质量控制 41

4.2.4-2 典型的工作特性曲线 42

4.3.1 阿列尼厄斯模型 42

4.3 失效率与温度的关系 42

4.3.3-1 失效率与温度的关系 43

4.3.3 激活能 43

4.3.2 艾林模型 43

4.2.1 概述 43

参考文献 44

5.1-1 元器件选择和控制基本规则 45

5.0 元器件可靠性设计考虑 45

5.1 元器件的选择与控制 45

5.1.1 元器件控制 45

5.1.1-1 计划项目的元器件选择清单编制流程 46

5.1.2 元器件选择 47

5.1.2.1 微型电路可靠性估计程序和半导体器件可靠性估计程序 47

5.1.3 元器件的批准 48

5.1.3.1 元器件的合理性 48

5.1.3.2 元器件的应用 48

5.1.3.3 元器件参数 48

5.1.4 关键元器件 49

5.1.5 失效率预计 50

5.1.5.1 MIL-HDBK-217电子设备可靠性预计 50

5.2 元器件选择准则 51

5.2.1 微型电路 51

5.2.1.1-1 微型电路选择准则 51

5.2.1.1 选择准则 52

5.2.1.1.2-1 备选微型电路组件的制造和设计细节 55

5.2.1.1.2-2 备选微型电路组件的速度和功率权衡 55

5.2.1.1.2-3 SSI-MSI逻辑性能与功率的关系 56

5.2.1.2 应用考虑 56

5.2.1.1.2-4 备选微型电路组件的速度和应用场合 57

5.2.1.1.2-1 LSI组件特性 58

5.2.1.2.3-1 噪声类型和设计考虑 60

5.2.1.2.3-2 不良的传输线回路产生的噪声 61

5.2.1.2.3-1 电阻器比较图 62

5.2.1.2.3-2 用于数据转换的电容器 64

5.2.1.2.3.5 对“虚假接地”负载优化的负电源去耦 65

5.2.1.2.3-3 电阻器安装方法 65

5.2.1.2.3-3 精密电阻器温度考虑 65

5.2.1.2.3-4 对“接地”负载优化的负电源去耦 65

5.2.1.2.3-6 减法放大器解决接地问题 65

5.2.1.2.3-6 印制电路板应用辅助手段 66

5.2.1.2.3-4 印制电路板改善电性能的机会和缺陷 66

5.2.1.2.3-5 要求慎重使用印制电路技术的典型场合 66

5.2.1.3 通用线性集成电路的应用说明 68

5.2.1.3-1 电压输出器电路 69

5.2.1.3-2 电流放大器反馈回路 70

5.2.1.3-3 采样和保持电路 71

5.2.1.3-4 正电压调节器 72

5.2.1.3-5 用R-2R电阻梯形网络构成的D/A转换器 73

5.2.1.3-6 加权电阻器网络 73

5.2.1.3-7 “闪现”或并联A/D转换器 74

5.2.1.3-1 数目147的A/D转换 74

5.2.1.3-8 双斜率积分算法 75

5.2.1.3-9 锁相回路方框图 75

5.2.1.4 通用数字微型电路的应用信息 76

5.2.1.3-10 555定时器简化电路图 76

5.2.1.4-1 激励能力为100毫安的单端器件基本结构 78

5.2.1.6-1 处理部件特征 80

5.2.1.5 通用大规模集成微型电路的应用信息 83

5.2.1.6 微处理机、微型计算机和位片处理机 85

5.2.2 分立半导体器件 91

5.2.2.2 器件的选择 91

5.2.2.1 引言 91

5.2.1.7 降额 91

5.2.1.7-1 线性微型电路降额 91

5.2.1.7-2 数字微型电路降额 91

5.2.1.7-3 混合器件降额 91

5.2.2.3 一般应用信息 92

5.2.2.2-1 半导体器件选择准则 92

5.2.2.3-1 时间温度回归 93

5.2.2.3.3 二次击穿(安全工作范围) 96

5.2.2.3-2 极端工作条件下的二次击穿 96

5.2.2.3-4 双极和MOSFET器件的电符号 97

5.2.2.2-5 电流激励的双极晶体管和电压激励的MOSFET 97

5.2.2.3-9 漏-源极特性方框图 98

5.2.2.3-7 典型的开关波形 99

5.2.2.3-8 栅加速电路 99

5.2.2.3-9 栅加速电路及开关时间值 99

5.2.2.3-10 有和无栅加速电路的开关时间与漏极电流的一般关系 100

5.2.2.3-11 开关效率 101

5.2.2.3-12 箝位的电感性试验电路 101

5.2.3 电阻器 103

5.2.2.4 降额 103

5.2.2.4-1 晶体管降额因子 103

5.2.3.1 引言 103

5.2.2.4-2 二极管降额 104

5.2.2.4-1 应力温度降额图 104

5.2.2.4-2 晶体管保护 105

5.2.2.4-4 CMOS保护 106

5.2.2.4-3 可控硅整流器保护 106

5.2.2.4-5 CMOS处理注意事项 106

5.2.2.4-6 TTL保护 107

5.2.2.4-7 二极管保护 107

5.2.2.4-8 脉冲波形 107

5.2.3.2 选择 108

5.2.3.2-1 电阻器选择准则 108

5.2.3.2-2 电阻器应用和选择 108

5.2.3.3 一般应用信息 112

5.2.3.3-1 固定电阻器在自由空气中的散热 113

5.2.3.4-1 电阻分布特性 116

5.2.3.4-2 降额曲线 116

5.2.3.4 MIL-R-19 RA型低工作温度的线绕可变电阻器 116

5.2.3.6-1 降额曲线 117

5.2.3.7 MIL-R-94 RV型合成可变电阻器 117

5.2.3.6 MIL-R-26 RW型功率型线绕固定电阻器 117

5.2.3.5 MIL-R-22 RP型功率型非封闭式线绕可变电阻器 117

5.2.3.5-1 降额曲线 117

5.2.3.7-1 降额曲线 118

5.2.3.8-1 降额曲线 118

5.2.3.9-1 降额曲线 118

5.2.3.9 MIL-R-12934 RR型精密线绕可变电阻器 118

5.2.3.8 MIL-R-11804 RD型功率型非绝缘膜式固定电阻器 118

5.2.3.11-1 降额曲线 119

5.2.3.10-1 降额曲线 119

5.2.3.11 MIL-R-22097 RJ型调节型非线绕可变电阻器 119

5.2.3.10 MIL-R-18546 RE型功率型底座安装线绕固定电阻器 119

5.2.3.12-1 电阻分布特性 120

5.2.3.12-2 降额曲线 120

5.2.4.2-2 电容器的选择和使用指南 120

5.2.3.13 MIL-R-27208 RT型调节型线绕可变电阻器 120

5.2.3.12 MIL-R-23285 RVC型非线绕可变电阻器 120

5.2.3.14-1 降额曲线 121

5.2.3.15-1 降额曲线 121

5.2.3.13-1 降额曲线 121

5.2.3.16 MIL-R-39007 有可靠性要求的RWR型功率型线绕固定电阻器 121

5.2.3.14 MIL-R-39002 RK型半精密线绕可变电阻器 121

5.2.3.15 MIL-R-39005 有可靠性要求的RBR型精密线绕固定电阻器 121

5.2.3.18 MIL-R-39009 有可靠性要求的RER型功率型底座安装线绕固定电阻器 122

5.2.3.17 MIL-R-39008 有可靠性要求的RCR型绝缘合成固定电阻器 122

5.2.3.17-1 降额曲线 122

5.2.3.16-1 降额曲线 122

5.2.3.20 MIL-R-39017 有可靠性要求的RLR型绝缘的膜式固定电阻器 123

5.2.3.19 MIL-R-39015 有可靠性要求的RTR型螺杆驱动线绕可变电阻器 123

5.2.3.19-1 降额曲线 123

5.2.3.18-1 降额曲线 123

5.2.3.21 MIL-R-39023 RQ型精密非线绕可变电器 124

5.2.3.20-2 降额曲线 124

5.2.3.20-1 高频工作特性 124

5.2.3.22 MIL-R-39035 有可靠性要求的RJR型螺杆驱动非线绕可变电阻器 125

5.2.3.23 MIL-R-55182 有可靠性要求的RNR型膜式固定电阻器 125

5.2.3.21-1 降额曲线 125

5.2.3.22-1 降额曲线 125

5.2.3.24 MIL-R-55342 有可靠性要求的片状膜式固定电阻器 126

5.2.3.25 MIL-R-83401 RZ靠膜式固定电阻器网络 126

5.2.3.23-1 降额曲线 126

5.2.3.24-1 降额曲线 126

5.2.3.25-1 降额曲线 127

5.2.3.26-1 降额曲线 127

5.2.4 电容器 127

5.2.4.1 引言 127

5.2.3.26 MIL-T-23648 RTH型绝缘热敏电阻器 127

5.2.4.2 电容器选择 129

5.2.4.2-1 电容器选择准则 129

5.2.4.3 一般应用考虑 135

5.2.4.3-1 各类电容器的工作频率限制 136

5.2.4.4 MIL-C-20 有可靠性要求的CCR型瓷介温度补偿固定电容器 138

5.2.4.5 MIL-C-81 CV型瓷介可变电容器 139

5.2.4.6 MIL-C-10950 CB型钮扣式云母介质固定电容器 139

5.2.4.8 MIL-C-14409 PC型活塞式管状微调可变电容器 139

5.2.4.9 MIL-C-19978 有可靠性要求的COR型金属壳气密封塑料(或纸-塑料)介质固定电容器 139

5.2.4.7 MIL-C-11015 CK型通用瓷介固定电容器 139

5.2.4.10 MIL-C-23183 CG型气体或真空介质、陶瓷或玻璃外壳固定或可变电容器 140

5.2.4.9-1 MIL-C-19978金属外壳管状电容器的最大直流电压与高度额定值之间的关系 140

5.2.4.14 MIL-C-39006 有可靠性要求的CLR型非固体电解质钽电解固定电容器 141

5.2.4.13 MIL-C-39003 有可靠性要求的CSR型固体电解质钽电解固定电容器 141

5.2.4.12 MIL-C-39001 有可靠性要求的CMR型云母介质固定电容器 141

5.2.4.11 MIL-C-23269 有可靠性要求的CYR型玻璃介质固定电容器 141

5.2.4.15 MIL-C-39014 有可靠性要求的CKR型通用瓷介质固定电容器 142

5.2.4.17 MIL-C-30922 有可靠性要求的CHR型气密封金属外壳金属化纸塑料薄膜或塑料介质交直流固定电容器 143

5.2.4.16 MIL-C-39018 有可靠性和无可靠性要求的CU和CUR型铝氧化物电解固定电容器 143

5.2.4.18 MIL-C-55365 有可靠性要求的CWR型片状钽固定电容器 144

5.2.4.20 MIL-C-55681 有可靠性要求的CDR型片状多层瓷介固定电容器 144

5.2.4.21-1 电容器降额 144

5.2.4.21 降额因子 144

5.2.5.1 引言 145

5.2.5 磁性元件 145

5.2.5.2-1 磁性元件选择准则 146

5.2.5.2-2 磁性元件的选择和使用指南 146

5.2.5.2 元件选择 146

5.2.5.3 一般应用考虑 146

5.2.5.2-3 规范规定的使用期和环境引起的参数变化 148

5.2.5.3-1 变压器、电感器和线圈的降额准则 149

5.2.5.3-2 对应于变压器、电感器和线圈中所用导线尺寸的电流降额值 149

5.2.6 继电器 149

5.2.6.1 引言 149

5.2.6.2-1 继电器的功能及其选择指南 150

5.2.6.2-2 继电器选择准则 150

5.2.6.2 继电器选择 150

5.2.6.3 应用考虑 151

5.2.6.3-1 适用于继电器的军用规范 151

5.2.6.3-1 电流对工作寿命的影响(典型特性) 151

5.2.6.3-2 直流灭弧法 152

5.2.6.3-2 降额因子 153

5.2.7.1 引言 155

5.2.7 开关 155

5.2.7.2-1 几种开关选择准则 156

5.2.7.2-2 开关的使用和选择指南 156

5.2.7.2 开关选择 156

5.2.7.3 应用考虑 158

5.2.7.3-1 电流对工作寿命的影响(典型特性) 159

5.2.7.5 降额 160

5.2.7.4 环境考虑 160

5.2.8.2 连接器选择 161

5.2.8.2-1 连接器选择准则 161

5.2.7.5-1 降额 161

5.2.8.1 引言 161

5.2.8 电连接器 161

5.2.8.2-2 电连接器选择和使用指南 162

5.2.8.2-1 使用寿命与热点温度的关系 168

5.2.8.3 降额要求 169

5.2.8.3-1 连接器降额(海平面) 169

5.2.9 电子管 170

5.2.9.1 引言 170

5.2.8.3-2 不同高度的电压降额 170

5.2.9.2 电子管选择准则 170

5.2.10.2-1 电缆选择准则 171

5.2.9.2-1 电子管选择准则 171

5.2.9.3 失效模式和机理 171

5.2.10 电缆 171

5.2.10.1 引言 171

5.2.10.2 选择 171

5.2.10.3 选择和应用考虑 172

5.2.11.2 规范和标准 173

5.2.11 电-光学或纤维光学 173

5.2.11.1 引言 173

5.2.11.2-1 军用规范和标准 174

5.2.12.1 引言 175

5.2.12 印制电路 175

5.2.12.2 印制电路设计和处理准则 175

5.2.12.2-2 焊料连接的材料和工艺准则 176

5.2.12.2-1 印制电路的设计和处理准则 176

5.2.12.3 元器件安装(焊接) 177

5.2.12.4 印制电路板的选择 177

5.2.12.4-1 互连组件使用和选择指南 178

5.2.13 标准电子模块(SEM)计划 179

5.2.13.1 引言 179

5.2.13.2 SEM计划的目标 179

5.2.13.3 标准电子模块的选择和使用准则 179

5.2.13.4 SEM计划的要求 179

参考文献 180

5.2.13.3-1 标准电子模块的选择和使用准则 180

5.2.13.5 质量和可靠性 180

6.1.1 耐环境特性 182

6.1 环境考虑 182

6.0 应用指南 182

6.1.2-1 电子设备的环境应力、影响和可靠性提高方法 182

6.1.2 环境因素 182

6.1.2.1 温度影响 183

6.1.2.4 电磁和核辐射 184

6.1.2.2 机械冲击 184

6.1.2.3 潮气和盐雾 184

6.1.2.5 其它应力因素 185

6.1.3 耐环境措施 185

6.1.3.1 热防护 185

6.1.3.1-1 元器件的低温下使用时可能得到的可靠性改善(以失效率表示) 186

6.1.3.3 冲击和振动防护 187

6.1.3.1-2 减少元器件过热的设计指南 187

6.1.3.2 机械防护 187

6.1.3.4 湿度、盐雾和砂尘的防护 188

6.1.4 组装的一般考虑 188

6.1.4-1 组装方法对比 189

6.1.3.5 辐射防护 189

6.1.5 生产环境应力 189

6.1.6.2 静电放电敏感元器件的失效类型、失效模式和失效机理 190

6.1.6.1 引言 190

6.1.6 静电放电控制(ESD) 190

6.1.6.3 失效模式和机理 191

6.1.6.4 静电放电敏感度试验(VZAP试验) 192

6.1.6.5 静电放电防护器材和设备 192

6.1.6.5-1 摩擦生电样本材料系列 195

6.1.6.6 设计中的静电放电防护措施 196

6.1.6.7 静电放电控制计划 197

6.1.6.8 资料来源 198

6.2 可靠电路设计指南 198

6.2.1 电降额 198

6.2.1-1 分立半导体器件基本失效率参数 199

6.2.1-2 第一组晶体管(硅，NPN)的基本失效率 200

6.2.1-1 第一组晶体管(硅，NPN)的应力/温度曲线 201

6.2.1-2 半导体器件典型降额曲线 201

6.2.1-4 功率二极管IN3263 的多点降额曲线 202

6.2.1-3 实际的恒结温曲线 202

6.2.2.1 温度对可靠性的影响 203

6.2.2 热设计 203

6.2.2.2 热和传热理论 204

6.2.2.2-1 元器件的等效热回路 205

6.2.3.1-1 采用普通冷却方法时每单位面积的最大热耗散量 206

6.2.3.1 冷却方法的限制 206

6.2.3 可靠热设计指南 206

6.2.3.1-2 模块式微电子器件采用强迫空气冷却方法的限制 206

6.2.2.2-2 散热片的热回路 206

6.2.3.1-3 各种冷却方法的限制 207

6.2.3.2 元器件的位置和布局 207

6.2.3.2-3 自由对流冷却设备 207

6.2.3.2-2 强迫对流冷却设备 207

6.2.3.2-1 利用自由对流冷却设备时，不要将元器件正好放在高耗能元器件的上方 207

6.2.3.3-1 混合微型电路的安装 208

6.2.3.3 元器件安装 208

6.2.3.3-2 大功率元器件的安装 208

6.2.4 热设计的管理 209

6.2.3.3-5 冷壁冷却插件的安装 209

6.2.3.3-4 多层印制线路板冷却方法 209

6.2.3.3-3 导热化合物的利用 209

6.2.4-1 热系统管理过程流程图 210

参考文献 211

6.2.5 当前技术水平的限制 211

7.0 采购期间的技术要求和控制 212

7.1.1 筛选的理论和目的 212

7.1 元器件筛选 212

7.1-1 寿命特性曲线 212

7.1.2 元器件筛选的设计 213

7.1.1-1 可靠性筛选 213

7.1.2.1 有可靠性要求的无源元件 214

7.1.2.2 JAN、JANTX、JANTXV和JANS半导体 214

7.1.2.1-1 MIL-STD-202 试验方法一览表 215

7.1.2.2-1 JAN、JANTX和JANTXV类器件的程序安排框图 216

7.1.2.2-2 JAN、AJNTX和JANTXV类器件的另一种程序安排框图 217

7.1.2.2-3 JANS类器件的程序安排框图 217

7.1.2.2-1 失效率的相对差别 218

7.1.2.2-2 MIL-STD-750的分立半导体器件试验方法 218

7.1.2.3 微型电路的质量和可靠性等级 220

7.1.2.3-1 MIL-STD-883的微型电路试验方法 221

7.1.3 筛选的费用效能 222

7.1.3-1 微型电路缺陷和筛选 222

7.1.3-2 筛选法比较 224

7.1.3-1 筛选的费用效能 227

7.3.3-4 MIL-STD-883试验的效果 228

7.1.3-3 MIL-STD-883 5094 法的筛选顺序 228

7.2 微型电路测试 229

7.2.1 测试概念 229

7.1.3-5 B类器件的筛选试验费用 229

7.2.1.1 逻辑整体测试 230

7.2.1.2 交流测试 230

7.2.1.3 直流(静态)测试 230

7.2.2 存储器测试 231

7.2.2-1 测试方法比较 232

7.2.3 大规模集成电路和随机逻辑测试 233

7.2.2-2 各种测试类型的成功率比较 233

7.3.1 元器件选择和控制 234

7.2.3-1 典型特征信号产生算法 234

7.3 可靠元器件的管理 234

7.3.2 可靠性计划 235

参考文献 236

8.1 贮存 237

8.0 后勤保障 237

8.1-1 电子元器件在贮存期间的失效模式 238

8.1.1 元器件贮存的一般考虑 239

8.1.2 微型电路贮存特性 240

8.1.2-3 存储器/大规模集成器件的失效模式和机理的信息记录 241

8.1.2-1 数字和线性器件的主要失效机理 241

8.1.2-2 金属氧化物半导体小规模集成/中规模集成器件的失效率模式和机理的信息记录 241

8.1.3 分立半导体贮存特性 242

8.1.4 电阻器贮存环境 242

8.1.5 电容器贮存特性 243

8.1.5-1 固体钽电容器失效机理分析 243

8.1.6 电感性器件贮存特性 244

8.1.5-2 钽箔电容器的失效机理分析 244

8.1.6-1 受各种使用和贮存条件影响的失效模式 244

8.1.8 防护方法 245

8.1.7 印制电路贮存特性 245

8.2.1.2 空军的备件要求 246

8.2.1.1 主要武器系统的元器件控制 246

8.2.1 已装备的军用设备和系统的元器件控制 246

8.2 备件供应 246

8.2.2 备件供应方法 247

8.2.2.1.1-1 雷达的主要组件 248

8.2.2.1 备件和维修设施的优化 248

8.2.2.1.1 问题 248

8.2.2.1.1-2 数字印制电路板的数量 249

8.2.2.1.1-3 维修方针 249

8.2.2.1.2 问题的求解 249

8.2.2.1.1-1 维修方针 250

8.2.2.1.1-2 各修理线的任务 250

8.2.2.1.2-1 D1和D2的重迭区 251

8.2.2.1.2-2 修理时间的分布 251

8.2.2.1.2-1 转换矩阵 252

8.2.2.1.2-3 马可夫过程 252

8.2.2.1.2-4 货源模式及库存水平 253

8.2.2.1.3-1 供应线路 254

8.2.2.1.3 修理设施 254

参考文献 255

9.0 故障报告和分析 256

9.1 故障报告 256

9.1.1 闭环境报告和改正措施系统 256

9.1.1-1 闭环故障报告和改正措施系统 257

9.1.3 故障报告表 258

9.1.4.1 用户数据报告系统 258

9.1.4 数据收集和保存 258

9.1.2 故障报告系统 258

9.1.3-1 故障报告表(样件) 259

9.1.3-2 故障分析报告表(样件) 260

9.1.3-3 改正措施申请表(样件) 261

9.2 故障分析 264

9.2.2 故障分析仪器 265

9.2.1 故障分析的一般考虑 265

9.2.1-1 故障分析研究流程图 266

9.2.1-2 通用故障分析流程图(第一部分) 267

9.2.1-2 通用故障分析流程图(第二部分) 268

9.2.3 由故障分析获得的信息 269

9.2.4 零件故障的共同原因 269

9.2.5 故障种类 269

9.2.2-1 初步故障分析实验室 269

参考文献 270

附录A 影响元器件失效率的因素 271

附录A 271

1 影响失效率的因素 271

2 (a)电阻器 272

2 (b)电容器 272

2 (c)继电器、开关和连接器 272

3 半导体器件的其它失效率影响因素 272

4 单片和混合微型电路的其它失效率因素 272

5 微型电路的熟练因子/失效率系数 272

附录B 电子管的基本失效率(包括偶然和耗损失效) 273

5.2.4.19 MIL-C-55514 有可靠性要求的CFR型非金属外壳塑料或金属化塑料介质直流固定电容器 1444