第1章 硅和锗的化学制备 5
1-1硅和锗的物理化学性质 5
1-2高纯硅的制备 7
1-3锗的富集与提纯 15
第2章 区熔提纯 19
2-1分凝现象与分凝系数 19
2-2区熔原理 24
2-3锗的区熔提纯 33
第3章 晶体生长 35
3-1晶体生长理论基础 35
3-2熔体的晶体生长 54
3-3硅、锗单晶生长 61
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 69
4-1硅、锗晶体中杂质的性质 69
4-2硅、锗晶体的掺杂 73
4-3硅、锗单晶的位错 92
4-4硅单晶中的微缺陷 98
第5章 硅外延生长 102
5-1外延生长概述 102
5-2硅的气相外延生长 104
5-3硅外延层电阻率的控制 116
5-4硅外延层的缺陷 122
5-5硅的异质外延 127
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 133
6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 134
6-2砷化镓单晶的生长方法 140
6-3砷化镓单晶中杂质的控制 147
6-4砷化镓单晶的完整性 152
6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 155
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 160
7-1气相外延生长（VPE） 160
7-2金属有机物气相外延生长（MOVPE） 164
7-3液相外延生长（LPE） 173
7-4分子束外延生长（MBE） 181
7-5化学束外延生长（CBE） 186
7-6其他外延生长技术 188
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 194
8-1异质结与晶格失配 195
8-2GaAlAs外延生长 196
8-3InGaaN外延生长 201
8-4InGaAsP外延生长 202
8-5超晶格与量子阱 208
8-6应变超晶格 217
8-7能带工程 218
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 222
9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 222
9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 229
9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 233
9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 238
第10章 氧化物半导体材料 241
10-1氧化物半导体材料的制备 241
10-2氧化物半导体材料的电学性质 245
10-3氧化物半导体材料的应用 248
第11章 其他半导体材料 255
11-1窄带隙半导体 255
11-2黄铜矿型半导体 258
11-3纳米晶材料 259
11-4非晶态半导体材料 260
11-5有机半导体材料 261
参考文献 264