半导体材料 第2版PDF电子书下载

第1章 硅和锗的化学制备 5

1-1硅和锗的物理化学性质 5

1-2高纯硅的制备 7

1-3锗的富集与提纯 15

第2章 区熔提纯 19

2-1分凝现象与分凝系数 19

2-2区熔原理 24

2-3锗的区熔提纯 33

第3章 晶体生长 35

3-1晶体生长理论基础 35

3-2熔体的晶体生长 54

3-3硅、锗单晶生长 61

第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 69

4-1硅、锗晶体中杂质的性质 69

4-2硅、锗晶体的掺杂 73

4-3硅、锗单晶的位错 92

4-4硅单晶中的微缺陷 98

第5章 硅外延生长 102

5-1外延生长概述 102

5-2硅的气相外延生长 104

5-3硅外延层电阻率的控制 116

5-4硅外延层的缺陷 122

5-5硅的异质外延 127

第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 133

6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 134

6-2砷化镓单晶的生长方法 140

6-3砷化镓单晶中杂质的控制 147

6-4砷化镓单晶的完整性 152

6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 155

第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 160

7-1气相外延生长（VPE） 160

7-2金属有机物气相外延生长（MOVPE） 164

7-3液相外延生长（LPE） 173

7-4分子束外延生长（MBE） 181

7-5化学束外延生长（CBE） 186

7-6其他外延生长技术 188

第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 194

8-1异质结与晶格失配 195

8-2GaAlAs外延生长 196

8-3InGaaN外延生长 201

8-4InGaAsP外延生长 202

8-5超晶格与量子阱 208

8-6应变超晶格 217

8-7能带工程 218

第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 222

9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 222

9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 229

9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 233

9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 238

第10章 氧化物半导体材料 241

10-1氧化物半导体材料的制备 241

10-2氧化物半导体材料的电学性质 245

10-3氧化物半导体材料的应用 248

第11章 其他半导体材料 255

11-1窄带隙半导体 255

11-2黄铜矿型半导体 258

11-3纳米晶材料 259

11-4非晶态半导体材料 260

11-5有机半导体材料 261

参考文献 264