《电子学研究突破》PDF下载

  • 购买积分:11 如何计算积分?
  • 作  者:研究所丛书编辑委员编著
  • 出 版 社:傅钟出版事业有限公司
  • 出版年份:1983
  • ISBN:
  • 页数:297 页
图书介绍:

第一章 半导体 1

1-1 带电粒子 1

1-2 电场强度电位及能量 1

1-3 能量的“电子伏”单位 2

1-4 移动率与传导系数 2

1-5 本质半导体内之电子与电洞 3

1-6 施体与受体杂质 3

1-7 半导体中的电荷浓度 3

1-9 霍尔的效应 4

1-8 锗与釸的电性 4

1-10 热阻器与敏阻器 5

1-11 扩散 5

1-12 在有阶半导体中电位的变化 6

第二章 接面二极体的特性 13

2-1 断路的P—n接面作为整流器用 13

2-2 P—n接面作为整流器用 14

2-3 伏特——安培特性 14

2-4 V/I特性曲线与温度的关系 15

2-5 二极体电阻 15

2-7 二极体中少数载子之储存 16

2-6 空间电荷或变迁区之电容CT 16

2-8 扩散电容 17

2-9 崩溃二极体 17

2-10 二极体作为一个电路元件 18

2-11 负荷线的观念 18

2-12 片断式线型二极体模型 18

2-13 接面二极体的开关时间 19

第三章 双载子电晶体特性 27

3-1 接面电晶体 27

3-3 电晶体作为放大器 28

3-2 电晶体中各项电流分量 28

3-4 电晶体的制作 29

3-5 共基阻态 29

3-6 共射阻态 30

3-7 共射的截止电流 31

3-8 共射的饱和区 31

3-9 典型电晶体接面电压值 32

3-10 共射的电流增益 32

3-11 反向的操作方式 33

3-12 电晶体的各项额定 33

3-13 附加的电晶体特性 33

3-14 电晶体的交换时间 34

4-1 积体电路的制作术 47

4-2 基本单石积体电路 47

4-3 晶膜增长 47

第四章 积体电路:制法与特性 47

4-4 罩幕与蚀刻 48

4-5 杂质之扩散 48

4-6 单石电路的电晶体 48

4-7 单石二极体 49

4-8 金属与半导体间的接触 50

4-10 积体电容器 51

4-9 积体电阻器 51

第五章 数位电路 55

5-1 系统的数位运算 55

5-2 或闸 55

5-3 及闸 56

5-4 反闸 57

5-5 禁止(致能)运算 57

5-6 互斥或闸 57

5-8 二极体——电晶体式的反及闸与反或闸 58

5-9 修改後的DTL闸 58

5-7 笛摩根定律 58

5-10 高临界逻辑闸(HTL) 59

5-11 电晶体——电晶体逻辑闸(TTL) 59

5-12 输出级 60

5-13 电阻器——电晶体(RTL)和直接耦合的电晶体逻辑(DCTL) 61

5-14 射极耦合的逻辑(ECL) 62

5-15 逻辑种类之比较 63

第六章 组合的数位系统 77

6-1 标准闸的组合 77

6-2 二进位之加法器 77

6-3 算术函数 79

6-4 数位式比较器 80

6-5 同位校对器/产生器 81

6-6 解码器/解多工器 82

6-7 数据选择器/多工器 83

6-8 编码器 85

6-9 只读记忆(ROM) 86

6-10 只读记忆的维位址 86

第七章 序向数位系统 93

7-1 一位的记忆 93

7-3 J-K,T和D型的正反器 94

7-2 时序S-R正反器 94

7-5 涟波计数器 96

7-4 移位暂存器 96

7-6 同步对数器 97

第八章 场效电晶体 103

8-1 接面场效电晶体 103

8-2 接面场纹电晶体的伏特——安培特性曲线 104

8-3 接面场效电晶体制法 104

8-4 增强式金氧半场效电晶体 105

8-5 空乏式金氧半场效体 105

8-7 金氧半场效电晶体反相器 106

8-6 临限电压之改进 106

8-8 金氧半场效电晶体反相器逻辑闸 108

8-9 互补式金氧半场效电晶体 109

第九章 大型积体电路 117

9-1 动态MOS移位暂存器 117

9-2 无比例(Ratioless)的移位暂存级 117

9-3 MOS的只读记忆(ROM) 118

9-4 可规划的逻辑阵列(PLA) 119

9-5 随机出入的记忆(RAM) 119

9-7 积体注入式逻辑(12L) 120

9-6 电荷耦合的装置(Charge-Coupled Decice CCD) 120

第十章 类比式二极体电路 127

10-1 模型与简单应用 127

10-2 二极体的应用 128

第十一章 低频放大器 137

11-1 双载子接面电晶体的操作点 137

11-2 偏压的稳定性 138

11-3 自偏或射极偏压 138

11-4 Ico,VBE及β对Ic的影响 139

11-5 双载子接面电晶体在小讯号下的近似模型 140

11-6 共射极放大器 141

11-7 射极追随器 142

11-8 共基极放大器 143

11-9 有射极电阻的共射极放大器 143

11-10 串接的电晶体放大器 144

11-11 高输入电阻的电晶体 145

11-12 场效电晶体的偏压 146

11-13 场效体的小讯号模型 147

12-3 输入电阻 155

12-2 一般特性 155

第十二章 回馈放大器特性 155

12-1 附加回馈之转换增益 155

12-4 输出电阻 157

第十三章 放大器之频率响应 181

13-1 频率失真 181

13-2 放大器之步阶响应 181

13-3 电晶体之高频等效模型 182

13-4 串接级的频宽 182

14-1 回馈对放大器频宽的影响 193

14-2 双极点之转换函数加上回馈之结果 193

第十四章 回馈电路之频率响应 193

14-3 多极点回馈放大器之近似分析 195

14-4 稳定性 195

第十五章 运算放大器之特性 205

15-1 基本运算放大器 205

15-2 差动放大器 206

15-3 射极耦合差动放大器 206

15-4 差动放大器之转换特性 207

15-5 运算放大器设计技巧 208

15-6 偏差电压与电流 208

16-2 差动放大器 215

第十六章 运算放大器系统 215

16-1 基本运算放大器之应用 215

16-3 类比信号之积分微分 216

16-4 有源滤波器 216

16-5 有源共振带通滤波器 216

第十七章 整波电路及波形产生电路 227

17-1 比较器 227

17-2 再生比较器 227

17-3 移相振荡器 228

17-4 振荡器之一般型式 228

17-6 晶体振荡器 229

17-5 WIEN电桥振荡器 229

第十八章 功率电路与系统 245

18-1 大信号放大器 245

18-2 谐波失真 246

18-3 A类放大器之效率 246

18-4 B类推挽式放大器 247

18-5 AB类失真 248

18-6 电晶体之热效应 249

附录:电研所入学考试试题汇编 257