电子学研究突破PDF电子书下载

第一章　半导体 1

1-1 带电粒子 1

1-2　电场强度电位及能量 1

1-3　能量的“电子伏”单位 2

1-4　移动率与传导系数 2

1-5　本质半导体内之电子与电洞 3

1-6　施体与受体杂质 3

1-7　半导体中的电荷浓度 3

1-9　霍尔的效应 4

1-8　锗与釸的电性 4

1-10　热阻器与敏阻器 5

1-11　扩散 5

1-12　在有阶半导体中电位的变化 6

第二章　接面二极体的特性 13

2-1 断路的P—n接面作为整流器用 13

2-2　P—n接面作为整流器用 14

2-3　伏特——安培特性 14

2-4 V/I特性曲线与温度的关系 15

2-5　二极体电阻 15

2-7　二极体中少数载子之储存 16

2-6 空间电荷或变迁区之电容CT 16

2-8　扩散电容 17

2-9 崩溃二极体 17

2-10　二极体作为一个电路元件 18

2-11　负荷线的观念 18

2-12　片断式线型二极体模型 18

2-13　接面二极体的开关时间 19

第三章　双载子电晶体特性 27

3-1 接面电晶体 27

3-3　电晶体作为放大器 28

3-2 电晶体中各项电流分量 28

3-4 电晶体的制作 29

3-5　共基阻态 29

3-6 共射阻态 30

3-7　共射的截止电流 31

3-8　共射的饱和区 31

3-9 典型电晶体接面电压值 32

3-10　共射的电流增益 32

3-11　反向的操作方式 33

3-12　电晶体的各项额定 33

3-13　附加的电晶体特性 33

3-14　电晶体的交换时间 34

4-1 积体电路的制作术 47

4-2 基本单石积体电路 47

4-3 晶膜增长 47

第四章　积体电路：制法与特性 47

4-4　罩幕与蚀刻 48

4-5　杂质之扩散 48

4-6 单石电路的电晶体 48

4-7　单石二极体 49

4-8 金属与半导体间的接触 50

4-10　积体电容器 51

4-9　积体电阻器 51

第五章　数位电路 55

5-1 系统的数位运算 55

5-2　或闸 55

5-3 及闸 56

5-4 反闸 57

5-5　禁止（致能）运算 57

5-6 互斥或闸 57

5-8　二极体——电晶体式的反及闸与反或闸 58

5-9 修改後的DTL闸 58

5-7　笛摩根定律 58

5-10　高临界逻辑闸（HTL） 59

5-11　电晶体——电晶体逻辑闸（TTL） 59

5-12　输出级 60

5-13　电阻器——电晶体（RTL）和直接耦合的电晶体逻辑（DCTL） 61

5-14　射极耦合的逻辑（ECL） 62

5-15　逻辑种类之比较 63

第六章　组合的数位系统 77

6-1 标准闸的组合 77

6-2　二进位之加法器 77

6-3　算术函数 79

6-4　数位式比较器 80

6-5 同位校对器／产生器 81

6-6 解码器／解多工器 82

6-7　数据选择器／多工器 83

6-8　编码器 85

6-9　只读记忆（ROM） 86

6-10　只读记忆的维位址 86

第七章　序向数位系统 93

7-1 一位的记忆 93

7-3 J-K,T和D型的正反器 94

7-2　时序S-R正反器 94

7-5　涟波计数器 96

7-4 移位暂存器 96

7-6 同步对数器 97

第八章　场效电晶体 103

8-1 接面场效电晶体 103

8-2　接面场纹电晶体的伏特——安培特性曲线 104

8-3　接面场效电晶体制法 104

8-4　增强式金氧半场效电晶体 105

8-5　空乏式金氧半场效体 105

8-7　金氧半场效电晶体反相器 106

8-6 临限电压之改进 106

8-8　金氧半场效电晶体反相器逻辑闸 108

8-9　互补式金氧半场效电晶体 109

第九章　大型积体电路 117

9-1 动态MOS移位暂存器 117

9-2　无比例（Ratioless）的移位暂存级 117

9-3　MOS的只读记忆（ROM） 118

9-4 可规划的逻辑阵列（PLA） 119

9-5　随机出入的记忆（RAM） 119

9-7　积体注入式逻辑（12L） 120

9-6　电荷耦合的装置（Charge-Coupled Decice CCD） 120

第十章　类比式二极体电路 127

10-1 模型与简单应用 127

10-2　二极体的应用 128

第十一章　低频放大器 137

11-1 双载子接面电晶体的操作点 137

11-2 偏压的稳定性 138

11-3 自偏或射极偏压 138

11-4 Ico,VBE及β对Ic的影响 139

11-5 双载子接面电晶体在小讯号下的近似模型 140

11-6　共射极放大器 141

11-7 射极追随器 142

11-8　共基极放大器 143

11-9 有射极电阻的共射极放大器 143

11-10　串接的电晶体放大器 144

11-11　高输入电阻的电晶体 145

11-12　场效电晶体的偏压 146

11-13　场效体的小讯号模型 147

12-3　输入电阻 155

12-2 一般特性 155

第十二章　回馈放大器特性 155

12-1 附加回馈之转换增益 155

12-4　输出电阻 157

第十三章　放大器之频率响应 181

13-1 频率失真 181

13-2 放大器之步阶响应 181

13-3　电晶体之高频等效模型 182

13-4　串接级的频宽 182

14-1 回馈对放大器频宽的影响 193

14-2 双极点之转换函数加上回馈之结果 193

第十四章　回馈电路之频率响应 193

14-3　多极点回馈放大器之近似分析 195

14-4　稳定性 195

第十五章　运算放大器之特性 205

15-1 基本运算放大器 205

15-2　差动放大器 206

15-3　射极耦合差动放大器 206

15-4　差动放大器之转换特性 207

15-5　运算放大器设计技巧 208

15-6　偏差电压与电流 208

16-2　差动放大器 215

第十六章　运算放大器系统 215

16-1 基本运算放大器之应用 215

16-3　类比信号之积分微分 216

16-4　有源滤波器 216

16-5　有源共振带通滤波器 216

第十七章　整波电路及波形产生电路 227

17-1 比较器 227

17-2　再生比较器 227

17-3　移相振荡器 228

17-4　振荡器之一般型式 228

17-6　晶体振荡器 229

17-5　WIEN电桥振荡器 229

第十八章　功率电路与系统 245

18-1 大信号放大器 245

18-2 谐波失真 246

18-3 A类放大器之效率 246

18-4 B类推挽式放大器 247

18-5 AB类失真 248

18-6 电晶体之热效应 249

附录：电研所入学考试试题汇编 257