Part C 电子材料 3
21 单晶硅：电学与光学特性 3
21.1 硅基 3
21.2 电学特性 13
21.3 光学特性 34
参考文献 40
22 硅-锗：特性、生长和应用 43
22.1 硅-锗物理特性 44
22.2 硅-锗光学特性 50
22.3 硅-锗生长 54
22.4 多晶硅-锗 56
参考文献 59
23 砷化镓 61
23.1 GaAs的体生长 64
23.2 GaAs的外延生长 69
23.3 GaAs的扩散 73
23.4 GaAs离子注入 75
23.5 GaAs晶格缺陷 76
23.6 GaAs的杂质与缺陷分析（化学） 79
23.7 GaAs的杂质与缺陷分析（电学） 80
23.8 GaAs的杂质与缺陷分析（光学） 83
23.9 复杂异质结的评估 84
23.10 GaAs的电接触 86
23.11 GaAs器件（微波） 86
23.12 GaAs器件（电-光） 89
23.13 GaAs的其他应用 94
23.14 结论 94
参考文献 95
24 高温电子材料：碳化硅与金刚石 99
24.1 材料的特性与制备 102
24.2 电子器件 109
24.3 总结 119
参考文献 120
25 非晶态半导体：结构、光学与电学特性 127
25.1 电子态 127
25.2 结构特性 130
25.3 光学特性 132
25.4 电学特性 135
25.5 光诱导现象 137
25.6 纳米非晶态结构 139
参考文献 140
26 非晶态与微晶硅 143
26.1 等离子体SiH4与SiH4H2的反应 143
26.2 表面薄生长 145
26.3 a-Si：H与μc-SI：H缺陷密度测定 151
26.4 器件应用 152
26.5 硅薄膜太阳能电池材料的相关问题研究进展 153
26.6 总结 156
参考文献 156
27 铁电体材料 159
27.1 铁电体材料 163
27.2 铁电体材料制备技术 170
27.3 铁电体应用 178
参考文献 184
28 微电子电介质材料 187
28.1 栅极电介质 192
28.2 隔离电介质 209
28.3 电容电介质 209
28.4 互连电介质 213
28.5 总结 215
参考文献 215
29 薄膜 221
29.1 淀积形成方法 223
29.2 结构 244
29.3 特性 254
29.4 结论 270
参考文献 273
30 厚膜 279
30.1 厚膜工艺 280
30.2 衬底 282
30.3 厚膜材料 283
30.4 组件与装配 286
30.5 传感器 290
参考文献 293