主要参数符号表 1
第一章 半导体中的电子状态 5
1.1 半导体的晶格结构和结合性质 5
1.2 半导体中的电子状态和能带 8
1.3 半导体中电子的运动 有效质量 15
1.4 本征半导体的导电机构 空穴 18
1.5 回旋共振 21
1.6 硅和锗的能带结构 24
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 29
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 32
习题 32
参考资料 33
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 34
第二章 半导体中杂质和缺陷能级 34
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 41
2.3 缺陷、位错能级 45
思考题及习题 48
参考资料 48
第三章 半导体中载流子的统计分布 50
3.1 状态密度 50
3.2 费米能级和载流子的统计分布 53
3.3 本征半导体的载流子浓度 58
3.4 杂质半导体的载流子浓度 61
3.5 一般情况下的载流子统计分布 70
3.6 简并半导体 74
补充材料：电子占据杂质能级的几率 78
习题 81
参考资料 82
4.1 载流子的漂移运动 迁移率 84
第四章 半导体的导电性 84
4.2 载流子的散射 86
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 93
4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 98
4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论 100
4.6 强电场下的效应 热载流子 105
4.7 多能谷散射 耿氏效应 110
习题 113
参考资料 114
第五章 非平衡载流子 116
5.1 非平衡载流子的注入与复合 116
5.2 非平衡载流子的寿命 117
5.3 准费米能级 119
5.4 复合理论 120
5.5 陷阱效应 132
5.6 载流子的扩散运动 134
5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 137
5.8 连续性方程式 139
习题 144
参考文献 145
第六章 p-n结 146
6.1 p-n结及其能带图 146
6.2 p-n结电流电压特性 152
6.3 p-n结电容 162
6.4 p-n结击穿 171
6.5 p-n结隧道效应 174
习题 176
参考资料 177
第七章 金属和半导体的接触 178
7.1 金属半导体接触及其能级图 178
7.2 金属半导体接触整流理论 183
7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 191
习题 194
参考资料 194
第八章 半导体表面与MIS结构 195
8.1 表面态 195
8.2 表面电场效应 198
8.3 MIS结构的电容-电压特性 206
8.4 硅-二氧化硅系统的性质 213
8.5 表面电导及迁移率 219
8.6 表面电场对p-n结特性的影响 221
习题 226
参考资料 227
9.1 异质结及其能带图 228
第九章 异质结 228
9.2 异质结的电流输运机构 237
9.3 异质结在器件中的应用 245
9.4 半导体超晶格 247
思考题及习题 250
参考资料 251
第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象 253
10.1 半导体的光学常数 253
10.2 半导体的光吸收 256
10.3 半导体的光电导 264
10.4 半导体的光生伏特效应 271
10.5 半导体发光 273
10.6 半导体激光 278
习题 283
参考资料 284
11.1 热电效应的一般描述 286
第十一章 半导体的热电性质 286
11.2 半导体的温差电动势率 289
11.3 半导体的珀耳帖效应 294
11.4 半导体的汤姆孙效应 295
11.5 半导体的热导率 296
11.6 半导体热电效应的应用 298
习题 299
参考资料 300
第十二章 半导体磁和压阻效应 301
12.1 霍耳效应 301
12.2 磁阻效应 308
12.3 磁光效应 312
12.4 量子化霍耳效应 316
12.5 热磁效应 318
12.6 光磁电效应 319
12.7 压阻效应 323
12.8 声波和载流子的相互作用 330
习题 338
参考资料 339
第十三章 非晶态半导体 340
13.1 非晶态半导体的结构 340
13.2 非晶态半导体中的电子态 343
13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应 348
13.4 非晶态半导体中的电学性质 354
13.5 非晶态半导体中的光学性质 359
13.6 α-Si:H的p-n结与金-半接触特性 363
参考资料 364
附录 366
附录1 常用物理常数和能量表达变换表 366
附表1-1 常用物理常数表 366