第1章 混合微波集成电路与单片微波集成电路 1
参考文献 5
第2章 基本概念 6
2.1 引言 6
2.2 麦克斯韦定律 7
2.3 介电常数与磁导率 8
2.4 自由空间波长 9
2.5 传播速度 11
2.6 分贝（dB） 11
2.7 Q值测量 12
2.8 小信号（S参数） 13
参考文献 14
第3章 平面波导 15
3.1 阻抗 15
3.2 微带 17
3.2.1 波导波长（λg） 20
3.3 共面波导 23
3.4 带状线 27
参考文献 29
4.1 介质损耗 30
第4章 电流及损耗 30
4.1.1 tanδ 31
4.1.2 各向异性 32
4.2 导体损耗 36
4.2.1 波导波长损耗 37
4.2.2 衰减 37
4.2.3 回波损耗 39
4.2.4 电压驻波比（VSWR） 40
4.2.5 趋肤深度 41
4.2.6 附着层 48
4.2.7 表面粗糙度 52
参考文献 56
第5章 基片 58
5.1 玻璃 59
5.2 单晶 60
5.3 多晶陶瓷 61
5.3.1 制造 61
5.3.2 基片的特性 68
5.4 低温共烧陶瓷（LTCC） 75
5.5.1 玻璃转化温度Tg 78
5.5.2 材料性能 78
5.5 覆铜板材料 78
5.5.3 制造 87
5.5.4 机械刻图 92
5.6 清洗 94
5.6.1 湿法清洗工艺 95
5.6.2 干法清洗工艺 95
5.7 安全事项 97
参考文献 98
6.1 丝网印刷 101
第6章 厚膜 101
6.2 金属箔掩模 107
6.3 光刻厚膜 111
6.3.1 光刻厚膜 111
6.3.2 光敏厚膜 111
6.4 加法工艺 115
6.4.1 金属有机物 115
6.4.2 直接绘图 117
6.4.3 直接键铜（DBCu） 119
参考文献 121
7.1.1 蒸发沉积 123
7.1 物理气相沉积 123
第7章 薄膜 123
7.1.2 溅射 126
参考文献 131
第8章 介质沉积 132
8.1 等离子增强低压化学气相沉积（PELPCVD） 132
8.2 阳极化 133
参考文献 136
第9章 聚合物 137
9.1.1 吸湿性 139
9.1.2 机械性能 139
9.1 材料性能 139
9.1.3 玻璃转化温度（Tg） 141
9.1.4 平坦化 141
9.2 沉积 142
9.2.1 旋涂 142
9.2.2 喷涂 144
9.2.3 丝网印刷 144
9.2.4 其他沉积方法 145
9.3 图形化 145
9.3.1 湿法刻蚀 145
9.3.2 干法刻蚀 146
9.3.3 光敏聚合物 147
参考文献 150
第10章 加工方法 151
第11章 光刻 153
11.1 光刻胶 153
11.1.1 旋涂 157
11.1.2 喷涂 160
11.1.3 辊涂 160
11.1.4 半月涂覆 161
11.1.5 电沉积 161
11.1.6 干膜 162
11.1.7 浸涂 166
11.2 原图和掩模 167
11.3 曝光 173
11.3.1 非准直光光源 173
11.3.2 大泛光光源 173
11.3.3 短泛光光源 174
11.3.4 准直光光源 175
11.3.5 激光曝光 177
参考文献 180
12.1 综述 181
第12章 电镀 181
12.2 无机添加剂 184
12.3 有机添加剂 185
12.4 波形 187
12.4.1 非均衡直流 189
12.4.2 脉冲 189
12.5 电场密度 195
12.6 化学镀 197
参考文献 199
13.1 湿法刻蚀 200
第13章 刻蚀 200
13.2 干法刻蚀 203
13.2.1 溅射刻蚀 203
13.2.2 离子束研磨 203
13.2.3 反应刻蚀技术 207
13.3 刻蚀对阻抗的影响 208
参考文献 210
第14章 元件 211
14.1 无源元件 211
14.1.1 电阻 211
14.1.2 衰减器 220
14.1.3 电容器 222
14.1.4 电感器 236
14.2 传输线元件 239
14.2.1 互易功分器／功合器 239
14.2.2 滤波器 243
参考文献 246
第15章 封装 249
15.1 集成化 251
15.2 互连 252
15.2.1 圆线 253
15.2.2 条带 257
15.2.3 修正的载带自动键合（TAB） 259
15.2.4 集成的跨接线 261
15.2.5 外壳 261
15.2.6 热膨胀 263
15.2.7 基板贴装 264
15.2.8 接地 266
15.2.9 通孔 267
15.2.10 可电镀性 274
15.2.11 时域反射计（TDR） 275
参考文献 278
第16章 超导 280
16.1 高转变温度（Tc）材料的性质 282
16.2 材料因素 284
16.3 基板材料 285
16.4 膨胀系数 286
16.5 缓冲（阻挡）层 286
16.6 膜的形成 287
16.6.1 偏轴（off～axis）溅射 287
16.6.2 脉冲激光沉积 288
16.6.4 有机金属化学气相沉积（MOCVD） 289
16.6.3 蒸发 289
16.7 图形制作 290
16.7.1 湿法刻蚀 290
16.7.2 干法刻蚀 291
参考文献 292
第17章 微机电系统（MEMS） 294
参考文献 295
附录A 符号定义 297
附录B 公司名录 299
附录C 单位换算 302
附录D 对微带的w/h和εeff的图解评估 303