射频和微波混合电路 基础、材料和工艺 basics， materials and processesPDF电子书下载

第1章　混合微波集成电路与单片微波集成电路 1

参考文献 5

第2章　基本概念 6

2.1　引言 6

2.2　麦克斯韦定律 7

2.3　介电常数与磁导率 8

2.4　自由空间波长 9

2.5　传播速度 11

2.6　分贝（dB） 11

2.7　Q值测量 12

2.8　小信号（S参数） 13

参考文献 14

第3章　平面波导 15

3.1　阻抗 15

3.2　微带 17

3.2.1　波导波长（λg） 20

3.3　共面波导 23

3.4　带状线 27

参考文献 29

4.1　介质损耗 30

第4章　电流及损耗 30

4.1.1　tanδ 31

4.1.2　各向异性 32

4.2　导体损耗 36

4.2.1　波导波长损耗 37

4.2.2　衰减 37

4.2.3　回波损耗 39

4.2.4 电压驻波比（VSWR） 40

4.2.5　趋肤深度 41

4.2.6　附着层 48

4.2.7　表面粗糙度 52

参考文献 56

第5章　基片 58

5.1　玻璃 59

5.2　单晶 60

5.3　多晶陶瓷 61

5.3.1　制造 61

5.3.2　基片的特性 68

5.4　低温共烧陶瓷（LTCC） 75

5.5.1　玻璃转化温度Tg 78

5.5.2　材料性能 78

5.5　覆铜板材料 78

5.5.3　制造 87

5.5.4　机械刻图 92

5.6　清洗 94

5.6.1　湿法清洗工艺 95

5.6.2　干法清洗工艺 95

5.7　安全事项 97

参考文献 98

6.1　丝网印刷 101

第6章　厚膜 101

6.2　金属箔掩模 107

6.3　光刻厚膜 111

6.3.1　光刻厚膜 111

6.3.2　光敏厚膜 111

6.4　加法工艺 115

6.4.1　金属有机物 115

6.4.2　直接绘图 117

6.4.3　直接键铜（DBCu） 119

参考文献 121

7.1.1　蒸发沉积 123

7.1　物理气相沉积 123

第7章　薄膜 123

7.1.2　溅射 126

参考文献 131

第8章　介质沉积 132

8.1 等离子增强低压化学气相沉积（PELPCVD） 132

8.2　阳极化 133

参考文献 136

第9章　聚合物 137

9.1.1　吸湿性 139

9.1.2　机械性能 139

9.1　材料性能 139

9.1.3　玻璃转化温度（Tg） 141

9.1.4　平坦化 141

9.2　沉积 142

9.2.1　旋涂 142

9.2.2　喷涂 144

9.2.3　丝网印刷 144

9.2.4　其他沉积方法 145

9.3　图形化 145

9.3.1　湿法刻蚀 145

9.3.2　干法刻蚀 146

9.3.3　光敏聚合物 147

参考文献 150

第10章　加工方法 151

第11章　光刻 153

11.1　光刻胶 153

11.1.1　旋涂 157

11.1.2　喷涂 160

11.1.3　辊涂 160

11.1.4　半月涂覆 161

11.1.5　电沉积 161

11.1.6　干膜 162

11.1.7　浸涂 166

11.2　原图和掩模 167

11.3　曝光 173

11.3.1　非准直光光源 173

11.3.2　大泛光光源 173

11.3.3　短泛光光源 174

11.3.4　准直光光源 175

11.3.5　激光曝光 177

参考文献 180

12.1　综述 181

第12章　电镀 181

12.2　无机添加剂 184

12.3　有机添加剂 185

12.4　波形 187

12.4.1　非均衡直流 189

12.4.2　脉冲 189

12.5　电场密度 195

12.6　化学镀 197

参考文献 199

13.1　湿法刻蚀 200

第13章　刻蚀 200

13.2　干法刻蚀 203

13.2.1　溅射刻蚀 203

13.2.2　离子束研磨 203

13.2.3　反应刻蚀技术 207

13.3　刻蚀对阻抗的影响 208

参考文献 210

第14章　元件 211

14.1　无源元件 211

14.1.1　电阻 211

14.1.2　衰减器 220

14.1.3　电容器 222

14.1.4　电感器 236

14.2　传输线元件 239

14.2.1　互易功分器／功合器 239

14.2.2　滤波器 243

参考文献 246

第15章　封装 249

15.1　集成化 251

15.2　互连 252

15.2.1　圆线 253

15.2.2　条带 257

15.2.3　修正的载带自动键合（TAB） 259

15.2.4　集成的跨接线 261

15.2.5　外壳 261

15.2.6　热膨胀 263

15.2.7　基板贴装 264

15.2.8　接地 266

15.2.9　通孔 267

15.2.10　可电镀性 274

15.2.11　时域反射计（TDR） 275

参考文献 278

第16章　超导 280

16.1　高转变温度（Tc）材料的性质 282

16.2　材料因素 284

16.3　基板材料 285

16.4　膨胀系数 286

16.5　缓冲（阻挡）层 286

16.6　膜的形成 287

16.6.1　偏轴（off～axis）溅射 287

16.6.2　脉冲激光沉积 288

16.6.4　有机金属化学气相沉积（MOCVD） 289

16.6.3　蒸发 289

16.7　图形制作 290

16.7.1　湿法刻蚀 290

16.7.2　干法刻蚀 291

参考文献 292

第17章　微机电系统（MEMS） 294

参考文献 295

附录A　符号定义 297

附录B　公司名录 299

附录C　单位换算 302

附录D　对微带的w/h和εeff的图解评估 303