1绪论 1
2硅晶的性质 13
第1节 结晶性质 15
第2节 半导体物理与硅晶的电性 47
第3节 硅的光学性质 67
第4节 硅的热性质 74
第5节 硅的机械性质 80
3多晶硅原料的生产技术 89
第1节 块状多晶硅制造技术-Simens方法 91
第2节 块状多晶硅制造技术-ASiMi方法 100
第3节 粒状多晶硅制造技术 106
4单晶生长 111
前言 111
第1节 单晶生长理论 113
第2节 CZ硅晶生长法 139
第3节 MCZ硅单晶生长法 187
第4节 CCZ硅单晶生长法 196
第5节 FZ硅单晶生长法 207
第6节 硅磊晶生长技术 225
5硅晶圆缺陷 271
第1节 CZ硅晶的点缺陷与微缺陷 278
第2节 氧析出物 306
第3节 OISF 334
6硅晶圆之加工成型 347
第1节 切断 350
第2节 外径磨削 358
第3节 方位指定加工—平边与V-型槽 361
第4节 切片 365
第5节 圆边 373
第6节 研磨 376
第7节 蚀刻 383
第8节 抛光 390
第9节 清洗 402
第10节 雷射印码 417
第11节 硅晶圆的背面处理 429
7硅晶圆性质之检验 433
第1节 PN判定 435
第2节 电阻量测 438
第3节 结晶轴方向检定 447
第4节 氧浓度的测定 454
第5节 Lifetime量测技术 468
第6节 晶圆缺陷检验与超微量分析技术 485
第7节 晶圆表面微粒之量测 515
第8节 金属杂质之量测 520
第9节 平坦度之量测 525
附录A晶格几何学 531
附录B基本常数 535
附录C硅的基本性质 539
附录D硅晶圆材料及半导体工业常用名词之解释 545