第一部分 抗辐射设计 3
第1章 概论 3
1.1概述 3
1.2辐射源及分类 3
1.3基本概念与单位 4
1.4常用辐射测量方法 8
第2章 辐射环境 13
2.1概述 13
2.2俘获辐射带 13
2.3太阳宇宙射线 26
2.4银河宇宙射线 35
2.5次级辐射粒子 42
2.6太阳电磁辐射 43
2.7空间等离子体 46
2.8太阳活动对空间辐射环境的影响 50
2.9核反应堆辐射环境 52
2.10核武器辐射环境 53
2.11激光辐射 53
第3章 辐射损伤机制 57
3.1概述 57
3.2辐射损伤模式 57
3.3带电粒子与物质的相互作用 59
3.4中子与物质的相互作用 64
3.5光子与物质的相互作用 66
第4章 辐射效应 70
4.1概述 70
4.2单粒子效应 78
4.3电离总剂量效应 85
4.4表面充放电效应 92
4.5内带电效应 94
4.6位移损伤效应 97
4.7辐射生物学效应 101
4.8辐射诱导传感器背景噪声效应 105
第5章 辐照试验 110
5.1概述 110
5.2辐照源 110
5.3试验标准与规范 120
5.4参数与测试 127
5.5试验流程 131
第6章 辐射屏蔽 139
6.1概述 139
6.2辐射输运过程 139
6.3屏蔽分析方法 144
6.4常用的粒子输运蒙特卡罗程序 149
6.5辐射屏蔽模型 154
第7章 抗辐射设计 158
7.1概述 158
7.2抗辐射设计程序 158
7.3辐射设计余量 161
7.4辐射计算 162
第8章 辐射加固保证 184
8.1概述 184
8.2电离总剂量效应加固保证 185
8.3位移损伤效应加固保障 189
8.4单粒子效应加固保证 191
8.5辐射诱导背景噪声评估 200
第二部分 典型材料与元器件辐射效应 207
第9章 漆类材料辐射效应 207
9.1概述 207
9.2漆类材料辐射损伤机制 207
9.3部分漆类材料辐射效应 210
第10章 聚合物材料辐射效应 219
10.1概述 219
10.2聚合物材料辐射损伤机制 221
10.3辐射导致聚合物性能的变化 224
10.4部分聚合物及聚合物基材料辐射效应 225
第11章 光学材料辐射效应 243
11.1概述 243
11.2光学材料辐射损伤机制 243
11.3玻璃材料辐射效应 245
11.4光纤的辐射效应 250
第12章MOS工艺器件辐射效应 255
12.1概述 255
12.2 MOS工艺器件辐射损伤机制 255
12.3 MOS工艺器件辐射效应 257
第13章 双极晶体管辐射效应 271
13.1概述 271
13.2辐射损伤机制 272
13.3双极晶体管辐射效应 275
13.4低剂量率增强效应 277
13.5偏置对辐射效应的影响 280
第14章 光电二极管辐射效应 282
14.1概述 282
14.2光电二极管辐射损伤机制 283
14.3部分光电二极管的辐射效应 284
第15章FPGA辐射效应 298
15.1概述 298
15.2 FPGA辐射损伤机制 299
15.3 FPGA辐射损伤效应 301
第16章CCD辐射效应 310
16.1概述 310
16.2 CCD辐射损伤机制 311
16.3 CCD辐射损伤效应 316
附录A：常用单位名称、单位符号及换算关系 328
附录B：全书缩略语和专用名词对照表 329
附录C：太阳黑子数周期的极大值和极小值 334
附录D： Z≤28的GCR粒子刚度谱和参数 335
附录E： Z≥29的GCR粒子刚度谱和参数 337
索引 340