第一章 能带与载流子浓度 1
1.1 半导体材料 1
1.2 晶体结构 3
1.3 价键 8
1.4 能带 10
1.5 态密度 16
1.6 本征载流子浓度 17
1.7 施主与受主 22
习题 30
参考文献 31
第二章 载流子输运现象 32
2.1 载流子漂移 32
2.2 载流子扩散 43
2.3 载流子注入 46
2.4 产生与复合过程 47
2.5 连续性方程 60
2.6 强电场效应 66
习题 72
参考文献 73
第三章 p-n结 75
3.1 热平衡状态 76
3.2 耗尽区 81
3.3 耗尽层电容 89
3.4 伏-安特性 94
3.5 电荷存贮和瞬态特性 105
3.6 结的击穿 108
习题 115
参考文献 117
第四章 双极型器件 118
4.1 晶体管的作用原理 119
4.2 双极型晶体管的静态特性 125
4.3 双极型晶体管的频率响应和开关特性 143
4.4 异质结双极型晶体管 157
4.5 可控硅器件 160
习题 171
参考文献 172
第五章 单极型器件 173
5.1 金属-半导体接触 174
5.2 结型场效应晶体管 187
5.3 金属-半导体场效应晶体管 198
5.4 MOS二极管 203
5.5 MOS场效应晶体管：基本特性 219
5.6 MOS场效应晶体管：阈值电压和器件尺寸比例 230
习题 241
参考文献 242
第六章 微波器件 244
6.1 隧道二极管 245
6.2 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 251
6.3 势垒注入传输时间二极管 258
6.4 转移电子器件 261
6.5 各种微波器件的比较 271
习题 275
参考文献 277
第七章 光电子器件 278
7.1 辐射跃迁和光吸收 278
7.2 发光二极管 285
7.3 半导体激光器 295
7.4 光电探测器 308
7.5 太阳能电池 319
习题 330
参考文献 331
第八章 晶体生长与外延 333
8.1 从熔体中生长单晶 334
8.2 悬浮区熔法 344
8.3 硅片成形与材料特性表征 348
8.4 气相外延 354
8.5 液相外延 364
8.6 分子束外延 368
习题 374
参考文献 375
第九章 氧化与薄膜淀积 377
9.1 热氧化 378
9.2 介质淀积 392
9.3 多晶硅淀积 401
9.4 金属化 403
习题 418
参考文献 419
第十章 扩散与离子注入 421
10.1 基本扩散理论与实践 422
10.2 非本征扩散 432
10.3 与扩散有关的工艺 441
10.4 注入离子的分布与射程 447
10.5 无序与退火 459
10.6 与离子注入有关的几个工艺 464
习题 470
参考文献 471
第十一章 光刻——图形曝光与刻蚀 474
11.1 光学图形曝光 474
11.2 电子束、X线及离子束图形曝光 490
11.3 湿法化学腐蚀 501
11.4 干法腐蚀 508
习题 516
参考文献 518
第十二章 集成器件 520
12.1 无源元件 522
12.2 双极工艺 525
12.3 MOS场效应晶体管工艺 534
12.4 MES场效应晶体管工艺 552
12.5 集成器件的基本极限 556
习题 561
参考文献 562
附录 564
A．符号表 564
B．国际单位制 566
C．用于构成十进倍数和分数单位的词头 567
D．希腊字母表 567
E．物理常数 568
F．300 K时主要半导体材料的性质 569
索引 570