半导体器件 物理与工艺PDF电子书下载

第一章 能带与载流子浓度 1

1.1 半导体材料 1

1.2 晶体结构 3

1.3 价键 8

1.4 能带 10

1.5 态密度 16

1.6 本征载流子浓度 17

1.7 施主与受主 22

习题 30

参考文献 31

第二章 载流子输运现象 32

2.1 载流子漂移 32

2.2 载流子扩散 43

2.3 载流子注入 46

2.4 产生与复合过程 47

2.5 连续性方程 60

2.6 强电场效应 66

习题 72

参考文献 73

第三章 p-n结 75

3.1 热平衡状态 76

3.2 耗尽区 81

3.3 耗尽层电容 89

3.4 伏-安特性 94

3.5 电荷存贮和瞬态特性 105

3.6 结的击穿 108

习题 115

参考文献 117

第四章 双极型器件 118

4.1 晶体管的作用原理 119

4.2 双极型晶体管的静态特性 125

4.3 双极型晶体管的频率响应和开关特性 143

4.4 异质结双极型晶体管 157

4.5 可控硅器件 160

习题 171

参考文献 172

第五章 单极型器件 173

5.1 金属-半导体接触 174

5.2 结型场效应晶体管 187

5.3 金属-半导体场效应晶体管 198

5.4 MOS二极管 203

5.5 MOS场效应晶体管：基本特性 219

5.6 MOS场效应晶体管：阈值电压和器件尺寸比例 230

习题 241

参考文献 242

第六章 微波器件 244

6.1 隧道二极管 245

6.2 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 251

6.3 势垒注入传输时间二极管 258

6.4 转移电子器件 261

6.5 各种微波器件的比较 271

习题 275

参考文献 277

第七章 光电子器件 278

7.1 辐射跃迁和光吸收 278

7.2 发光二极管 285

7.3 半导体激光器 295

7.4 光电探测器 308

7.5 太阳能电池 319

习题 330

参考文献 331

第八章 晶体生长与外延 333

8.1 从熔体中生长单晶 334

8.2 悬浮区熔法 344

8.3 硅片成形与材料特性表征 348

8.4 气相外延 354

8.5 液相外延 364

8.6 分子束外延 368

习题 374

参考文献 375

第九章 氧化与薄膜淀积 377

9.1 热氧化 378

9.2 介质淀积 392

9.3 多晶硅淀积 401

9.4 金属化 403

习题 418

参考文献 419

第十章 扩散与离子注入 421

10.1 基本扩散理论与实践 422

10.2 非本征扩散 432

10.3 与扩散有关的工艺 441

10.4 注入离子的分布与射程 447

10.5 无序与退火 459

10.6 与离子注入有关的几个工艺 464

习题 470

参考文献 471

第十一章 光刻——图形曝光与刻蚀 474

11.1 光学图形曝光 474

11.2 电子束、X线及离子束图形曝光 490

11.3 湿法化学腐蚀 501

11.4 干法腐蚀 508

习题 516

参考文献 518

第十二章 集成器件 520

12.1 无源元件 522

12.2 双极工艺 525

12.3 MOS场效应晶体管工艺 534

12.4 MES场效应晶体管工艺 552

12.5 集成器件的基本极限 556

习题 561

参考文献 562

附录 564

A．符号表 564

B．国际单位制 566

C．用于构成十进倍数和分数单位的词头 567

D．希腊字母表 567

E．物理常数 568

F．300 K时主要半导体材料的性质 569

索引 570