氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章...

宽禁带化合物半导体材料与器件

宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路

本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体--宽禁带半导体在固态高频和微波领域的发展，形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。同时介绍宽禁带半导体高频与微波功率器件与电路这一革命性的发展在...

宽禁带半导体电力电子器件及其应用

本书介绍了碳化硅，氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理等。

宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色

本著作采用透射电镜近阀能辐照技术，对IIa型、IIb型、Ia型、Ib型等多种金刚石进行电子辐照以形成孤立的本征缺陷，通过研究光致发光光谱中光学中心的振动光谱、扩散情况，以及应力、杂质、紫外照射对光学中心强度...

氧化物半导体气敏材料制备与性能

传感器在降低环境风险、保障人身及财产安全等方面发挥了重要作用。采用氧化物半导体气敏材料制作的传感器以其成本低、耗能少、制作和使用方便、响应灵敏等优点越来越受到人们的广泛关注。本书除了系统总结...

金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制

较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现，过渡族金属氧化物一维纳米结构具有丰富的物性。采用合适的工艺技术，可以研制出性能优良的单根纳米线器件。本书发展了一条设计和研...

化合物半导体材料与器件

半导体材料与器件表征技术

非晶半导体材料与器件

本书从工程角度论述了非晶半导体材料的制备、特性和分析方法和多种非晶半导体器件设计方法和制造技术。