半导体器件基础PDF电子书下载

目录 1

序……………………………………………………………………………ⅰ第一章 半导体的物理基础 1

1-1 晶体结构 1

1-2 固体的价键模型 4

1-3 有效质量和能带的概念 5

1-4 半导体中的自由载流子浓度 10

1-5 本征和非本征半导体 16

1-6 电子和空穴的散射与漂移 21

1-7 半导体中的传导电流和扩散电流 26

第二章 半导体的非平衡特性 34

2-1 载流子的产生、复合和注入 34

2-2 载流子的注入水平 35

2-3 复合机制 36

2-4 复合瞬态响应 42

2-5 表面复合 43

2-6 静电场和势 44

2-7 非均匀半导体和自建电场 46

2-8 准费米能级 47

2-9 半导体中的基本控制方程 49

第三章 器件制造工艺 56

3-1 衬底制备和结的形成 56

3-2 平面工艺 59

3-3 固态杂质扩散 60

3-4 外延生长 67

3-5 热氧化 71

3-6 氧化硅和氮化硅掩蔽 76

3-7 离子注入 78

3-8 掺杂层的表征 83

第四章 p-n结 90

4-1 平衡突变结 91

4-2 耗尽近似 94

4-3 加偏压的p-n结 97

4-4 少数载流子的注入与输运 100

4-5 直流电流-电压特性 102

4-6 空间电荷区的复合电流和产生电流 107

4-7 隧道电流 109

4-8 V-I特性的温度依赖性 112

4-9 小讯号交流分析 113

4-10 过渡电容、求杂质分布和变容二极管 116

4-11 电荷贮存和反向瞬变：阶跃恢复二极管 120

4-12 p-n结中的雪崩击穿 125

第五章 金属-半导体结 135

5-1 肖脱基势垒的能带图 135

5-2 电流-电压特性 140

5-3 镜像力降低势垒高度 145

5-4 金属-绝缘体-半导体肖脱基二极管 146

5-5 肖脱基势垒二极管和p-n结二极管之间的比较 147

5-6 欧姆接触：非整流的M-S结 149

5-7 肖脱基势垒二极管的结构 151

5-8 肖脱基势垒二极管的应用 151

5-9 异质结 153

第六章 太阳电池和发光二极管 160

6-1 半导体中的光吸收 160

6-2 光生伏特效应和太阳电池效率 162

6-3 光产生电流和收集效率 166

6-4 材料选择和设计考虑 169

6-5 肖脱基势垒和MIS太阳电池 174

6-6 p-n结的光产生：发光二极管（LED） 176

6-7 少数载流子注入和注入效率 177

6-8 内量子效率 178

6-9 外量子效率 180

6-10 肉眼的灵敏度和亮度 183

6-11 材料考虑 185

7-1 引言 196

第七章 结型场效应晶体管 196

7-2 JFET的理论 198

7-3 静态特性 201

7-4 小讯号参数和等效电路 203

7-5 截止频率 206

7-6 肖脱基势垒场效应晶体管 206

7-7 夹断后JFET的性能 207

第八章 金属-氧化物-半导体晶体管 211

8-1 理想MOS结构的表面电荷区 212

8-2 MOS电容器 217

8-3 沟道电导 219

8-4 平带电压和阈值电压 221

8-5 表面态和氧化硅中的电荷 225

8-6 MOS晶体管的静态特性 228

8-7 小讯号参数和等效电路 232

8-8 衬底（本体）偏压的影响 234

8-9 制造工艺 235

8-10 其他场效应晶体管 240

第九章 双极结型晶体管 245

9-1 晶体管的作用 245

9-2 电流增益与电流-电压特性 249

9-3 电流分量和电流增益表示式的推导 251

9-4 爱拜尔斯-莫尔方程 256

9-5 缓变基区晶体管 258

9-6 基区扩展电阻和电流集聚 261

9-7 晶体管的频率响应 263

9-8 混接π型等效电路 267

9-9 开关晶体管 269

9-10 击穿电压 273

9-11 p-n-p-n二极管 276

9-12 硅可控整流器（可控硅） 279

9-13 双向p-n-p-n开关 281

第十章 集成器件 288

10-1 双极集成器件的隔离工艺 288

10-2 集成双极晶体管 294

10-3 多晶体管结构 296

10-4 侧向p-n-p晶体管 298

10-5 集成注入逻辑 300

10-6 MOS倒相器 302

10-7 互补MOS（CMOS）倒相器 307

10-8 D-MOS和V-MOS晶体管 309

10-9 不挥发MIS存贮器件：MNOS和FAMOS结构 311

第十一章 电荷转移器件 322

11-1 电荷转移的概念 322

11-2 MOS电容器的瞬态特性 324

11-3 电极排列和制造工艺 328

11-4 转移效率 333

11-5 电荷的注入、栓测和再生 337

11-6 体内（埋入）沟道电荷耦合器件 341

11-7 集成斗链器件 342

11-8 电荷耦合图象器 344

11-9 讯号处理和存贮器应用 346

附录 354

A 原子、电子和能带 354

A-1 玻尔原子 354

A-2 物质的波动特性：薛定谔方程 356

A-3 状态密度 359

A-4 元素的电子结构 360

A-5 晶体的能带理论 362

B 热离子发射电流的推导 369

C 误差函数的一些特性 371

答案 372

索引 378