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第一章 引论 1

1．半导体在技术上的应用 4

1-1　半导体在无线电技术中的应用 4

1-2　半导体在电工学上的应用——半导体功率整流器 6

1-3　自动化装置中的半导体 7

1-4　半导体在动力方面的应用 11

1-5　特殊半导体材料的应用 12

第二章　氧化亚铜整流器 15

2．对原始铜的要求 16

3．氧化亚铜整流元件（整流片）的制造工艺 20

3-1　铜片的清洁 20

3-2　氧化和退火 21

3-3　电极的安装 28

4．氧化亚铜整流器的人工老化 29

5．氧化亚铜整流器的结构和参数 34

5-1　氧化亚铜整流器的结构 34

5-2　氧化亚铜整流器的参数 37

6．整流器线路 38

7．氧化亚铜单晶的获得 42

7-1　原始铜的性质对氧化亚铜晶粒大小的影响 42

7-2　制备氧化亚铜单晶的方法 44

文献 45

第三章　硒整流器 47

8．硒材料的工艺 47

8-1　硒的性质 47

8-2　硒的来源及其提取 48

8-3　外类杂质的影响 51

8-4　硒的提纯与卤化 51

9．硒整流元件（整流片）的制造工艺 53

9-1　制造硒整流片的基本工序 53

9-2　制造硒整流片的其他工艺方法 67

10．硒整流器的结构和安装 69

11．硒整流器的电容 70

12．硒整流器的老化 71

文献 74

第四章　锗硅二极管 75

13．锗的提取及提纯 75

13-1　锗的提取 75

13-2　锗的化学提纯 77

13-3　锗的物理提纯——区域熔化提纯法 77

14．从熔体中拉单晶 80

15．沿长度方向杂质均匀分布的锗单晶的获得 82

16．制造p-n结的方法 85

16-1　由熔体拉单晶时掺杂质法 85

16-2　改变拉晶速度法 85

16-3　扩散法 86

16-4　合金法 87

17．面接型锗二极管的制造工艺 88

17-1　制晶片支架 89

17-2　制外壳 89

17-3　制接头（边缘上的） 89

17-4　制管坯的引线 90

17-5　玻璃绝缘物的加工 90

17-6　锡垫片的压制 90

17-7　制备铟粒 90

17-8　晶片的制备 90

17-9　制有引线的管坯 92

17-10　装配二极管 94

17-11　检验二极管 95

18．p-n结的性质和伏安特性 95

19．硅二极管 99

20．锗硅大功率二极管（功率整流器） 101

文献 103

第五章　热敏电阻 104

21．热敏电阻的基本特性 104

22．热敏电阻的伏安特性 109

23．热敏电阻的制造工艺中的一般问题 115

23-1　半导体材料的制备 117

23-2　半导体材料的压榨 117

23-3　热处理 117

23-4　加电极 118

23-5　热敏电阻的老化 119

24．各种材料的热敏电阻的制造工艺 120

24-1　氧化铀热敏电阻 120

24-2　氧化铜热敏电阻 123

24-3　氧化铜和氧化锰的混合物热敏电阻 124

24-4　CuO-MnO-O2系和CoO-MnO-O2系热敏电阻 128

24-5 氧化钛和氧化镁的混合物热敏电阻 134

24-6 锰、钛、钒和钴的氧化物热敏电阻 135

24-7 氧化亚铜和其他金属氧化物的混合物热敏电阻 136

25．热敏电阻的工业类型及其适用范围 147

25-1 稳压器热敏电阻 149

25-2 温度计热敏电阻 150

25-3 测量型热敏电阻 154

25-4 热补偿器热敏电阻 155

25-5 用做热控制的热敏电阻 158

25-6 间接加热的热敏电阻 160

26．热敏电阻的某些应用 163

26-1 热敏电阻在测温线路中的应用 164

26-2 热敏电阻用作很准确的温度控制器 164

26-3 测量型热敏电阻在无线电技术中测量超高频功率 165

26-4 用热敏电阻测量真空度 165

文献 166

第六章 非线性电阻 168

27．非线性电阻的基本特性 169

27-1 伏安特性 169

27-2 温度特性 170

27-3 许可功率、许可电压和许可电流 171

27-4 滞后现象 172

27-5 稳定性 173

27-6 静电电容 173

28．碳化硅的物理性质 174

29．非线性电阻的制造工艺 176

29-1　金刚砂-石墨电阻 177

29-2　维利特圆片 180

29-3　分路非线性电阻 180

29-4　低压非线性电阻 180

29-5　不用碳化硅的非线性电阻 181

30．非线性电阻的作用机构 186

31．非线性电阻的应用 187

文献 190

第七章　光敏电阻 192

32．光敏电阻的特性 193

32-1　暗电流、亮电流和光电流 193

32-2　暗电阻、亮电阻和电阻相对改变 193

32-3　伏安特性 193

32-4　光照特性 194

32-5　光谱灵敏度 194

32-6　积分灵敏度与积分比灵敏度 195

32-7　时间常数与频率特性 195

32-8　温度特性 196

32-9　稳定性 196

33．硫化镉光敏电阻 197

33-1　硫化镉单晶光敏电阻 197

33-2　硫化镉多晶光敏电阻 204

33-3　某些杂质对硫化镉多晶光电性质的影响 207

33-4　硒化镉光敏电阻 210

34．硫化铅光敏电阻 211

34-1　硫化铅光敏电阻的制造工艺 211

34-2　硫化铅光敏电阻的特性 212

35．硒光敏电阻 215

36．硫化铊光敏电阻 215

文献 216

第八章　半导体辐射热计 218

37．半导体辐射热计的基本特性 218

37-1　半导体辐射热计的工作线路及其有效讯号的计算 219

37-2　半导体辐射热计的灵敏度 222

37-3　半导体辐射热计的消散系数 224

37-4　半导体辐射热计的时间常数 226

37-5　半导体辐射热计的噪音和极限灵敏度 229

38．半导体辐射热计的几个工艺问题 233

38-1　材料的选择 233

38-2　薄膜的制造 234

38-3　灵敏元件的装置 235

33-4　薄膜表面的黑化 236

38-5　电极的安装 239

38-6　周围介质的控制 240

39．各种材料的半导体辐射热计及其制造工艺 241

39-1　氧化亚铜辐射热计 241

39-2　锰、钴、镍的氧化物辐射热计 242

39-3　半导体锑薄膜辐射热计 243

39-4　惰性小的锗薄膜辐射热计 243

39-5　锰、钴的氧化物和锰、铜的氧化物辐射热计 244

39-6　当前已经生产的半导体辐射热计和其他有希望的半导体辐射热计的材料 245

40．半导体辐射热计的应用 246

文献 248

第九章　非线性铁电元件 251

41．铁电体的性质 251

42．铁电体的分类 252

43．钛酸钡单晶的生长 254

43-1　生长钛酸钡单晶的三种基本方法 254

43-2　钛酸钡单晶的性质 255

44．铁电体电容器 256

44-1　BK1型“变电容”的特性 256

44-2　BK-1陶瓷材料的制造工艺 256

44-3　BK1型“变电容”的制造工艺 258

45．三元系陶瓷铁电体的制造工艺 259

45-1　第一工艺段落——分别制备组元材料 259

45-2　第二工艺段落——由组元材料制造陶瓷铁电体 260

文献 262

附录一　KMT-1和KMT-4型和某些新型热敏电阻的制造工艺 263

附录二　硒光电池的制造工艺 269

附录三　铁氧体心的制造工艺 271