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半导体的检测与分析
半导体的检测与分析

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工业技术

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  • 作 者:中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室著
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:1984
  • ISBN:13031·2556
  • 页数:636 页
图书介绍:
《半导体的检测与分析》目录

目录 1

第一章 半导体单晶定向 1

§1半导体晶体结构 2

§2半导体单晶体的晶向测定 6

§3电子计算机定向 26

附录 29

第二章 半导体晶体缺陷的金相观察 37

§1微分干涉相衬显微镜 37

§2金相面的制备 42

§3金相观察技术 56

第三章 X射线形貌技术 66

§1X射线动力学理论基础 67

§2实验技术 80

§3形貌像的铨释 88

§4展望 95

第四章 离子束分析 97

§1背散射表面分析 97

§2沟道效应及其在半导体中的应用 119

§3核反应分析 142

§4离子感生X射线分析 153

附录 161

第五章 离子探针分析 167

§1引言 167

§2仪器工作原理 168

§3分析原理和方法 170

§4应用 190

第六章 俄歇电子能谱及其在半导体中的应用 198

§1俄歇过程原理和能谱特征 199

§2实验仪器 205

§3实验方法 209

§4AES在半导体中的应用 215

§5展望 231

附录 233

第七章 扫描电子显微镜的原理及其在半导体中的应用 239

§1扫描电子显微镜的原理和构造 239

§2扫描电子显微镜在半导体中的应用 257

第八章 电子探针及其在半导体中的应用 299

§1高能电子束与半导体相互作用时的若干现象 300

§2仪器简介 303

§3电子探针定量分析 307

§4电子探针在半导体上的若干应用 317

附录 328

第九章 透射电子显微镜及其在分析半导体晶体缺陷上的应用 332

§1透射电子显微镜的原理 332

§2透射电子显微镜的基本构造 335

§3衍射图的形成和分析 342

§4TEM像衬度 349

§5衬度计算的某些结论 356

§6其它的TEM技术 361

附录 369

§1电阻率测量 373

第十章 半导体电学测量 373

§2C-V测量技术 397

§3结电容技术 416

§4霍尔测量 430

§5少数载流子寿命的测量 448

附录 465

第十一章 半导体光学测量 469

§1几种光学测量方法 469

§2光致发光分析方法 487

§3红外吸收法测定硅中的氧、碳含量 503

第十二章 火花源质谱分析 521

§1原理 522

§2应用举例 532

第十三章 原子吸收分光光度分析及其在半导体 536

工艺研究中的应用 536

§1原子吸收分光光度分析的理论基础 536

§2原子吸收分光光度分析的仪器设备 540

§3原子吸收分光光度分析的干扰现象 546

§4灵敏度与精密度 548

§5原子吸收分光光度分析的操作 549

§6应用 552

附录 574

§1半导体工业生产和研究对高纯气体的要求 580

第十四章 高纯气体的分析 580

§2高纯气体的分析 584

§3气体中灰尘的测量 600

§4高纯气体分析时必须注意的问题 601

§5低浓度标准气体的配制 603

附录 606

第十五章 高频电感耦合等离子体发射光谱 609

§1高频电感耦合等离子体 610

§2高频电感耦合等离子体光源设备 614

§3高频电感耦合等离子体的分析性能 623

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