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目录 1

绪论 1

第1章 衬底制备 4

§1-1 衬底材料 4

1．对衬底材料的要求 4

2．衬底单晶材料的制备 5

3．杂质缺陷对器件工艺质量的影响 8

4．多晶硅的结构性质 15

§1-2 衬底制备 16

1．晶体定向 17

2．晶片加工 22

第2章薄膜制备 28

§2-1 硅外延薄膜制备的原理 28

1．外延生长动力学原理 28

2．外延掺杂及其杂质再分布 36

3．堆垛层错 40

4．氯化氢气相抛光 43

5．自掺杂效应 45

6．低压外延 48

§2-2 二氧化硅薄膜 54

1．SiO2膜的结构和性质 54

2．热生长氧化膜的制备 56

3．实现掩蔽扩散的条件 65

4．氧化层错 67

§2-3 薄膜的化学气相淀积 70

1．常压化学气相淀积法 71

2．低压化学气相淀积法 77

3．等离子增强化学气相淀积法 79

4．分子束外延 82

第3章 掺杂技术 92

§3-1 扩散 92

1．杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述 92

2．扩散层杂质原子的浓度分布 94

3．硅器件生产中的两步扩散工艺 97

4．扩散层质量参数 99

5．扩散条件的选择 107

6．理论分布与实际分布的差异 110

7．金扩散 115

§3-2 离子注入掺杂 117

1．离子注入设备 118

2．注入离子的浓度分布 120

3．晶格损伤与退火 134

§3-3 合金法 140

1．合金pn结的制作原理 140

2．合金pn结的结深 141

3．合金条件的考虑 142

第4章 图形加工技术 147

§4-1 光致抗蚀剂 147

1．光致抗蚀剂的结构性质 147

2．光致抗蚀剂的种类和感光机理 147

3．对光致抗蚀剂性能的要求 150

§4-2 光掩模 152

1．原图数据的产生 152

2．图形的产生 153

3．掩模图形的形成 155

4．特殊光掩模的制作技术 157

§4-3 光刻蚀技术 157

1．光致抗蚀剂膜层图形的形成 158

2．腐蚀 165

第5章 可靠性基本原理与失效分析 171

§5-1 可靠性的基本参量 171

1．可靠度 171

4．瞬时失效率 172

3．失效密度函数（失效密度） 172

2．累积失效概率 172

5．平均寿命 173

§5-2 半导体器件失效规律及常用寿命分布 173

1．半导体器件失效规律 173

2．常用寿命分布 174

§5-3 可靠性试验 178

1．加速寿命试验 179

2．可靠性筛选 183

§5-4 抽样检验 187