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第一章 MOS晶体管原理与特性 1

1.1 MOS晶体管一般介绍 1

一、MOS场效应晶体管的结构及工作原理 1

二、MOS晶体管的四种类型 3

三、MOS场效应晶体管的特点 3

1.2 MOS晶体管的物理基础 4

一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面 4

二、表面势及空间电荷区的电荷 7

三、MOS电容 8

四、实际MOS系统的硅表面 9

五、MOS器件的阈值电压 11

1.3 MOS晶体管的输出特性 15

一、MOS晶体管输出特性的定性讨论 15

二、MOS晶体管电流-电压特性方程 16

1.4 MOS晶体管的主要参数 20

一、直流参数 20

二、低频小信号参数 23

三、MOS晶体管的最高频率 26

1.5 MOS晶体管的温度特性 27

一、导电因子随温度的变化 27

二、阈电压随温度的变化 28

1.6 MOS晶体管图形设计举例 29

第二章 MOS倒相器和门电路 31

2.1 电阻负载MOS倒相器 31

一、工作原理 32

二、负载线与工作点 32

三、不同负载对倒相器性能的影响 32

2.2 E/E MOS倒相器 33

一、工作原理 33

二、静态特性分析 35

三、瞬态响应 44

四、MOS倒相器设计举例 52

2.3 E/D MOS倒相器 53

一、工作原理 53

二、静态分析 54

三、瞬态响应 58

2.4 CMOS倒相器 59

一、CMOS倒相器原理 59

二、直流传输特性和噪声容限 60

三、瞬态响应 64

四、功耗讨论 68

2.5 MOS门电路与传输门 70

一、单沟道MOS门电路 70

二、CMOS门电路 75

三、MOS传输门 79

第三章 触发器和其它逻辑部件 82

3.1 MOS触发器 82

一、R-S触发器 82

二、J-K触发器 86

三、D触发器 88

3.2 MOS加法器 91

一、MOS半加器 91

二、MOS全加器 92

3.3 MOS译码器 94

一、三变量译码器 94

二、八段译码器 96

3.4 MOS移位寄存器 100

一、静态移位寄存器 100

二、动态移位寄存器 102

第四章 大规模集成电路 109

4.1 MOS存贮器 109

一、随机存取存贮器（RAM） 110

二、只读存贮器（ROM） 117

4.2 电荷耦合器件（CCD） 124

一、CCD结构及工作原理 125

二、CCD基本参数及结构改进 130

三、CCD应用概述 132

第五章 MOS集成电路设计与布图 134

5.1 PMOS集成电路版图设计 134

一、PMOS电路器件设计 134

二、版图设计 139

5.2 CMOS集成电路设计 145

一、CMOS电路器件设计 145

二、CMOS版图设计概要 147

三、CMOS阈值电压的设计 150

5.3 超大规模集成电路设计的基本原理简介 154

一、概述 154

二、按比例缩小设计原理 154

第六章 MOS工艺 157

6.1 MOS常规工艺 157

一、PMOS工艺 157

二、NMOS工艺 158

6.2 硅栅工艺 160

一、主要优点 161

二、P沟道硅栅工艺 162

三、等平面硅栅N沟MOS工艺 164

6.3 离子注入技术在MOS工艺中的应用 167

一、离子注入法调整MOS器件的VT 167

二、离子注入实现栅自对准 168

6.4 双层栅工艺 169

一、MNOS工艺 170

二、MAOS工艺 171

6.5 CMOS工艺 172

一、基本CMOS工艺叙述 172

二、离子注入法制造CMOS电路 175

三、SOS技术制造CMOS电路 176

6.6 E/D MOS工艺 179

一、离子注入法制造E/D MOS 179

二、SiO2-Al2O3双层栅E/D MOS 180

三、双扩散法制造E/D MOS 181

6.7 VMOS工艺 181

一、结构与特点 181

二、VMOS的主要工艺过程 182

6.8 生产中电路参数的监测方法 183