芯片制造 半导体工艺制程实用教程 第4版PDF电子书下载

第1章 半导体工业 1

一个工业的诞生 1

固态时代 2

集成电路 3

工艺和产品趋势 3

特征图形尺寸的减小 4

芯片和晶圆尺寸的增大 5

缺陷密度的减小 5

内部连线水平的提高 6

SIA的发展方向 6

芯片成本 7

半导体工业的发展 7

半导体工业的构成 8

生产阶段 9

开发的十年（1951～1960） 10

工艺的十年（1961～1970） 12

产品的十年（1971～1980） 13

自动化的十年（1981～1990） 13

产品的纪元（1991～2000） 13

极小的纪元 14

关键概念和术语 15

习题 15

参考文献 15

第2章 半导体材料和工艺化学品 16

原子结构 16

元素周期表 17

电传导 19

绝缘体和电容器 19

本征半导体 20

掺杂半导体 21

掺杂半导体的电阻率 21

电子和空穴传导 22

载流子迁移率 23

半导体产品材料 24

半导体化合物 24

锗化硅 25

铁电材料 25

工艺化学品 25

物质的状态 26

等离子体 27

物质的性质 27

压力和真空 28

酸，碱和溶剂 29

材料安全数据表 30

关键概念和术语 30

习题 31

参考文献 31

第3章 晶圆制备 32

简介 32

半导体硅制备 32

晶体材料 33

晶体生长 35

晶体和晶圆质量 38

晶体准备 39

切片 40

晶圆刻号 41

磨片 41

化学机械抛光（CMP） 41

背处理 42

双面抛光 42

边缘倒角和抛光 42

晶圆评估 42

氧化 43

包装 43

晶圆外延 43

关键概念和术语 43

习题 44

参考文献 44

第4章 芯片制造概述 45

晶圆生产的目标 45

晶圆术语 45

晶圆生产的基础工艺 46

制造半导体器件和电路 49

芯片术语 54

晶圆测试 55

集成电路的封装 56

小结 57

关键概念和术语 57

习题 57

参考文献 57

第5章 污染控制 58

简介 58

问题 58

污染源 61

洁净室的建设 68

洁净室的物质与供给 77

洁净室的维护 77

晶片表面清洗 77

关键概念和术语 87

习题 88

参考文献 88

第6章 工艺良品率 90

良品率测量点 90

累积晶圆生产良品率 91

晶圆生产良品率的制约因素 92

晶圆电测良品率要素 95

封装和最终测试良品率 101

整体工艺良品率 102

关键概念和术语 103

习题 103

参考文献 103

第7章 氧化 104

二氧化硅层的用途 104

热氧化机制 106

热氧化方法 111

水平炉管反应炉 111

垂直炉管反应炉 119

快速升温反应炉 120

快速加热工艺 120

高压氧化 122

氧化工艺 124

阳极氧化 125

热氮化 126

关键概念和术语 127

习题 127

参考文献 127

第8章 基本光刻工艺流程——从表面准备到曝光 129

简介 129

光刻蚀工艺概述 130

光刻10步法 132

基本的光刻胶化学 133

光刻胶的表现要素 136

正胶和负胶的比较 139

光刻胶的物理属性 141

光刻工艺 143

表面准备 143

涂光刻胶 146

软烘焙 150

对准和曝光 153

对准系统比较 162

关键概念和术语 162

习题 162

参考文献 163

第9章 基本光刻工艺流程——从曝光到最终检验 164

显影 164

硬烘焙 168

显影检验 169

刻蚀 172

湿法刻蚀 173

干法刻蚀 177

光刻胶的去除 182

最终目检 184

光刻版制作 185

小结 187

关键概念和术语 187

习题 187

参考文献 188

第10章 高级光刻工艺 190

ULSI／VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题 190

光学系统分辨率控制 191

其他曝光问题 194

掩膜版薄膜 197

晶圆表面问题 198

防反射涂层 199

平整化 201

先进光刻胶工艺 201

化学机械研磨小结 209

改进刻蚀工艺 212

自对准结构 213

刻蚀轮廓控制 213

光学光刻的末日到来了吗 213

关键概念和术语 214

习题 214

参考文献 214

第11章 掺杂 216

结的定义 216

掺杂区的形成 216

掺杂区和结的扩散形成 217

扩散工艺的步骤 220

淀积 220

推进氧化 226

离子注入的概念 229

离子注入系统 229

离子注入区域的杂质浓度 235

离子注入层的评估 237

离子注入的应用 238

掺杂前景展望 239

关键概念和术语 239

习题 239

参考文献 240

第12章 淀积 241

简介 241

化学气相淀积基础 243

CVD的工艺步骤 245

CVD系统分类 246

常压CVD系统 246

低压化学气相淀积 249

增强型等离子体 251

气相外延 253

分子束外延 253

金属有机物CVD 254

淀积膜 255

淀积的半导体膜 255

外延硅 255

多晶硅和非晶硅淀积 259

SOS和SOI 261

绝缘体和绝缘介质 261

导体 263

关键概念和术语 263

习题 264

参考文献 264

第13章 金属淀积 266

简介 266

单一导体层金属 266

多层金属导体框架 267

导体 268

金属薄膜的用途 273

淀积方法 274

真空泵 280

小结 284

关键概念和术语 284

习题 284

参考文献 285

第14章 工艺和器件评估 286

简介 286

晶圆的电性测量 287

层厚的测量 291

结深 295

关键尺寸和线宽测量 297

污染物和缺陷检测 299

总体表面特征 304

污染认定 305

器件电学测量 306

关键概念和术语 313

习题 313

参考文献 314

第15章 晶圆加工中的商务因素 315

制造和工厂经济 315

晶圆制造的成本 316

设备 320

所有权成本 321

自动化 322

工厂层次的自动化 324

设备标准 326

统计制程控制 327

库存控制 330

生产线组织 332

关键概念和术语 332

习题 333

参考文献 333

第16章 半导体器件和集成电路的形成 334

半导体器件的生成 334

集成电路的形成 347

超导体 355

微电子机械系统 355

关键概念和术语 360

习题 360

参考文献 361

第17章 集成电路的类型 362

简介 362

电路基础 363

集成电路的类型 364

晶圆的比例集成 370

下一代产品 371

关键概念和术语 371

习题 371

参考文献 372

第18章 封装 373

简介 373

芯片的特性 374

封装功能和设计 375

封装操作工艺的概述 376

封装工艺 380

封装工艺流程 391

封装-裸芯片策略 392

封装设计 393

封装类型和技术小结 396

关键概念和术语 397

习题 397

参考文献 397

术语表 398