新型瞬态电真空半导体光电子器件与技术PDF电子书下载

第1章 绪论 1

1.1光电子器件的瞬态 1

1.2半导体紫外光发射器研究现状与进展 1

1.3真空半导体器件瞬态优势与艾里光束的非线性瞬态调制技术 8

第2章 宽禁带半导体电光器件瞬时激射 12

2.1异质结器件电瞬时发光机理 12

2.2异质结薄膜的MIS结紫外光发射器件 22

2.2.1波长调控机理 22

2.2.2器件制备流程与工艺 23

2.2.3异质结薄膜MIS结制备 26

2.2.4 MIS结光发射器件的电泵浦随机激光 28

2.3波长可调的紫外电致发光和随机激光 33

2.3.1 MIS结光发射器件的制备 33

2.3.2波长可调的电致发光和随机激光 34

2.3.3电致发光机制与讨论 36

2.4 MIS结激光二极管的瞬态技术 40

2.4.1纳米线阵列的水热合成与物性 40

2.4.2纳米线性能提升 42

2.4.3纳米线的光学和电学输运性质 45

2.4.4纳米线的电泵浦受激发射和机制 48

2.5本章小结 55

第3章 电真空光电倍增与复合探测原理 57

3.1电真空光电倍增器件复合探测的应用背景与原理 57

3.1.1复合探测的应用背景 57

3.1.2复合探测原理 61

3.2微通道空间波导阳极复合探测器件 63

3.2.1复合波导阳极结构与工作原理 63

3.2.2复合波导阳极设计原理与特性 67

3.3器件级电子光学系统设计、工艺与验证 70

3.3.1器件级工艺与实现 70

3.3.2复合探测原理性验证 76

3.4微通道空间复合波导栅型复合探测器件 78

3.5本章小结 83

第4章EBAPS瞬时光电倍增器件 84

4.1 EBAPS的基本结构及原理 84

4.2入射光电子在电子倍增层中的散射模型 86

4.2.1入射光电子的运动轨迹基本模型 86

4.2.2散射截面 87

4.2.3非弹性散射的能量损失 88

4.2.4坐标系变换 89

4.2.5计算机模拟电子运动轨迹的物理模型 90

4.3 EBAPS中电子倍增层内电子散射特性的影响因素 92

4.3.1入射光电子能量对电子散射特性的影响研究 92

4.3.2死层厚度与能量损失率的关系 94

4.3.3掺杂浓度对倍增层内电子散射特性的影响 95

4.3.4入射光电子束直径与电子散射特性的关系研究 95

4.3.5倍增电子分布模拟研究 96

4.4 EBAPS电荷收集效率理论模拟与测试方法 98

4.4.1基底均匀下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究 98

4.4.2基底梯度掺杂下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究 102

4.4.3 EBAPS电子倍增层增益的测试方法 106

4.5本章小结 109

第5章 新型无衍射表面波及艾里光束瞬态非线性调制技术 110

5.1光折变表面波与自加速艾里光束 110

5.2 LiNbO3晶体界面处表面波的调制原理 118

5.2.1调制理论模型与数据分析 118

5.2.2表面波激发实验结果 120

5.2.3表面波诱导波导理论 123

5.3克尔介质中艾里孤子的产生与瞬时调制 127

5.3.1艾里孤子的调制机理 127

5.3.2艾里孤子的空间瞬时调制 129

5.3.3艾里孤子的空间稳定性与瞬时调制 132

5.3.4艾里光束的交互作用及其瞬时调制 134

5.4饱和非线性介质中艾里高斯光束的传输与交互的调制 139

5.4.1艾里高斯光束的传输与调制机理 139

5.4.2双艾里高斯光束交互作用的调制 145

5.5本章小结 150

参考文献 152

英文缩写表 163