射频/微波功率新型器件导论PDF电子书下载

第一章 引言 1

1.1 微波功率器件的研究背景 1

1.2 硅双极微波功率器件的发展 6

1.3 国内外研究现状 10

1.4 本书内容来源与安排 12

第二章 双层多晶硅微波功率管的横向参数与纵向参数设计 16

2.1 本章概要 16

2.2 硅双极微波功率晶体管的工作原理及主要参数 16

2.3 器件指标 21

2.4 器件设计 22

2.4.1 外延材料的选择 22

2.4.2 器件纵向参数设计 24

2.4.3 器件横向参数设计 25

2.5 微波功率器件的版图设计 28

2.5.1 器件版图的结构 28

2.5.2 覆盖式与梳状版图结构图形优值比较 36

2.5.3 光刻掩模版的编号、名称、次序及最小尺寸 38

2.5.4 器件的测试结构 39

2.6 本章小结 39

第三章 器件特性的模拟分析 42

3.1 本章概要 42

3.2 双层多晶硅微波功率管的电学特性模拟 42

3.3 提升器件击穿电压的槽终端技术 50

3.3.1 器件槽终端技术的发展 52

3.3.2 槽深对击穿电压的影响 54

3.3.3 槽宽对击穿电压的影响 56

3.3.4 槽中填充物对击穿电压的影响 59

3.3.5 深槽终端技术与其他终端技术的比较 61

3.4 功率管多子胞技术 62

3.4.1 器件的三维热电耦合模型 64

3.4.2 器件的发射极布局 69

3.4.3 结果的分析与讨论 70

3.5 本章小结 79

第四章 镍硅化物薄膜的热稳定性及其应用研究 81

4.1 本章摘要 81

4.2 硅化物的发展过程 82

4.3 NiSi的热稳定性的研究 88

4.4 掺Pt， Mo， W， Zr和Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善 92

4.4.1 掺Pt对NiSi薄膜热稳定性的改善 92

4.4.2 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善 98

4.4.3 掺W对NiSi薄膜热稳定性的改善 101

4.4.4 掺Zr对NiSi薄膜热稳定性的改善 107

4.4.5 掺Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善 113

4.5 镍硅化物热稳定性的理论研究 118

4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的应用研究 122

4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的设计 123

4.6.2 肖特基器件的工艺流程 125

4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的电学特性 126

4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo） Si/Si，Ni（W） Si/Si，Ni（Zr） Si/Si和Ni（Ta） Si/Si器件的电学特性研究 128

4.7 NiSi与Ni（Pt）Si，N i （Mo） Si，Ni（W）Si，Ni （Zr） Si和 Ni（Ta）Si热稳定性的比较 138

4.8 本章小结 140

第五章 关键工艺技术的研究 142

5.1 本章概要 142

5.2 硅深槽隔离技术研究 142

5.3 外基区的形成以及侧墙-发射极的形成 147

5.3.1 外基区的形成 147

5.3.2 基区侧墙的形成 149

5.3.3 发射极的形成 151

5.4 自对准钴硅化物引线技术 155

5.5 本章小结 156

第六章 器件制造流程 157

6.1 本章概要 157

6.2 器件的结构特点和工艺特点 157

6.3 器件的工艺流程 157

6.4 工艺流片中的注意事项 162

6.5 本章小结 164

第七章 微波功率器件的测试与分析 165

7.1 本章概要 165

7.2 器件的直流参数测试 165

7.3 深槽击穿特性的合格率测试 171

7.4 器件的热性能测试 172

7.5 器件的微波特性测试结果 176

7.6 本章小结 177

第八章 射频/微波功率器件的最新发展 178

8.1 本章概要 178

8.2 微波功率器件的主要领域 178

8.2.1 无线通信领域 178

8.2.2 军用电子系统和雷达 180

8.2.3 医疗电子 180

8.3 RF——LDMOS技术的发展 180

8.3.1 RF—— LDMOS的关键参数 183

8.3.2 RF——LDMOS的新结构器件 184

8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技术 189

8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的起源 189

8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的发展 191

8.5 本章小结 195

参考文献 196