MOS集成电路结构与制造技术PDF电子书下载

第1章　PMOS集成电路结构与制造技术 1

1.1　铝栅E/E型PMOS结构 1

1.2　硅栅E/E型PMOS结构 3

1.3 铝栅E/D型PMOS结构 5

1.4　硅栅E/D型PMOS结构 7

1.5　铝栅E/E型PMOS工艺制程 9

1.6　硅栅E/D型PMOS工艺制程 12

第2章　NMOS集成电路结构与制造技术 17

2.1 E/E型NMOS（A）结构 17

2.2　E/E型NMOS（B）结构 19

2.3 E/D型NMOS（A）结构 21

2.4 E/D型NMOS（B）结构 23

2.5　E/D型NMOS（C）结构 25

2.6　E/D型NMOS EPROM结构 28

2.7　E/D型NMOS EEPROM结构 30

2.8 E/D型NMOS DRAM结构 32

2.9 E/D型NMOS SRAM结构 34

2.10　E/E型NMOS（A）工艺制程 36

2.11 E/D型NMOS（A）工艺制程 40

2.12　E/D型NMOS（B）工艺制程 43

2.13 E/D型NMOS SRAM工艺制程 46

第3章　P-Well CMOS集成电路结构与制造技术 51

3.1　铝栅P-Well CMOS（A）［薄场］结构 51

3.2　铝栅P-Well CMOS（B）［薄场］结构 52

3.3　铝栅P-Well CMOS（A）［厚场］结构 55

3.4　铝栅P-Well CMOS（B）［厚场］结构 57

3.5　铝栅P-Well CMOS（C）［厚场］结构 58

3.6　铝栅P-Well CMOS（D）［厚场］结构 62

3.7　铝栅P-Well CMOS（E）［厚场］结构 64

3.8　硅栅P-Well CMOS（A）结构 66

3.9　硅栅P-Well CMOS（B）结构 68

3.10　硅栅P-Well CMOS（C）结构 70

3.11　硅栅P-Well CMOS（D）结构 72

3.12　硅栅P-Well CMOS（E）结构 74

3.13　硅栅P-Well CMOS（F）结构 76

3.14　铝栅P-Well CMOS（A）［薄场］工艺制程 79

3.15　铝栅P-Well CMOS（A）［厚场］工艺制程 82

3.16　铝栅P-Well CMOS（C）［厚场］工艺制程 86

3.17　硅栅P-Well CMOS（B）工艺制程 89

3.18　硅栅P-Well CMOS（C）工艺制程 93

3.19　硅栅P-Well CMOS（E）工艺制程 96

第4章　N-Well CMOS集成电路结构与制造技术 100

4.1 N-Well CMOS（A）结构 100

4.2　N-Well CMOS（B）结构 102

4.3　N-Well CMOS（C）结构 104

4.4　N-Well CMOS（D）结构 106

4.5　N-Well CMOS EPROM结构 108

4.6　N-Well CMOS EEPROM（A）结构 110

4.7　N-Well CMOS EEPROM（B）结构 113

4.8　N-Well CMOS Flash（A）结构 115

4.9　N-Well CMOS Flash（B）结构 117

4.10　N-Well CMOS SRAM结构 119

4.11　N-Well CMOS DRAM（A）／（B）结构 121

4.12 N-Well CMOS DRAM（C）／（D）结构 123

4.13　N-Well CMOS（C）工艺制程 126

4.14　N-Well CMOS（D）工艺制程 130

4.15　N-Well CMOS EPROM工艺制程 134

4.16　N-Well CMOS EEPROM（A）工艺制程 137

4.17　N-Well CMOS DRAM（B）工艺制程 141

4.18 N-Well CMOS SRAM工艺制程 145

第5章　亚微米／深亚微米CMOS集成电路结构与制造技术 150

5.1　亚微米Twin-Well CMOS（SMA）结构 150

5.2　亚微米Twin-Well CMOS（SMB）结构 152

5.3　亚微米Twin-Well CMOS（SMC）结构 154

5.4　亚微米Twin-Well CMOS（SMD）结构 156

5.5　亚微米CMOS Mask ROM（SMA）结构 158

5.6　亚微米CMOS Mask ROM（SMB）结构 160

5.7　亚微米CMOS Mask ROM（SMC）结构 162

5.8　亚微米CMOS EEPROM结构 164

5.9　深亚微米Twin-Well CMOS（DSMA）结构 167

5.10　深亚微米Twin-Well CMOS（DSMB）结构 169

5.11　深亚微米Twin-Well CMOS（DSMC）结构 171

5.12　深亚微米Twin-Well CMOS（DSMD）结构 173

5.13　深亚微米Twin-Well CMOS（DSME）结构 175

5.14　超深亚微米Twin-Well CMOS（VDSM）结构 176

5.15　亚微米CMOS（SMB）工艺制程 180

5.16　亚微米CMOS（SMC）工艺制程 184

5.17　亚微米CMOS MASK ROM（SMA）工艺制程 189

5.18　深亚微米CMOS（DSMB）工艺制程 192

5.19　深亚微米CMOS（DSMC）工艺制程 195

第6章　低压／高压兼容CMOS集成电路结构与制造技术 200

6.1　低压／高压兼容P-Well CMOS（A）结构 200

6.2　低压／高压兼容P-Well CMOS（B）结构 202

6.3　低压／高压兼容P-Well CMOS（C）结构 204

6.4　低压／高压兼容N-Well CMOS（A）结构 206

6.5　低压／高压兼容N-Well CMOS（B）结构 209

6.6　低压／高压兼容N-Well CMOS（C）结构 211

6.7　低压／高压兼容Twin-Well CMOS（A）结构 213

6.8　低压／高压兼容Twin-Well CMOS（B）结构 215

6.9　低压／高压兼容Twin-Well CMOS（C）结构 218

6.10　LV/HV兼容P-Well CMOS（B）工艺制程 220

6.11　LV/HV兼容P-Well CMOS（B＊）工艺制程 225

6.12　LV/HV兼容N-Well CMOS（B）工艺制程 229

6.13　LV/HV兼容N-Well CMOS（C）工艺制程 232

6.14　LV/HV兼容Twin-Well CMOS（B）工艺制程 238

第7章　BiCMOS集成电路结构与制造技术 244

7.1　P-Well BiCMOS［C］-（A）结构 244

7.2　P-Well BiCMOS［C］-（B）结构 246

7.3　P-Well BiCMOS［B］-（A）结构 248

7.4　P-Well BiCMOS［B］-（B）结构 250

7.5　P-Well BiCMOS［B］-（C）结构 252

7.6　P-Well BiCMOS［B］-（D）结构 254

7.7　N-Well BiCMOS［C］-（A）结构 256

7.8　N-Well BiCMOS［C］-（B）结构 258

7.9　N-Well BiCMOS［B］-（A）结构 261

7.10　N-Well BiCMOS［B］-（B）结构 263

7.11　Twin-Well BiCMOS［C］结构 265

7.12　Twin-Well BiCMOS［B］-（A）结构 267

7.13　Twin-Well BiCMOS［B］-（B）结构 269

7.14　Twin-Well BiCMOS［B］-（C）结构 271

7.15　Twin-Well BiCMOS［B］-（D）结构 273

7.16　Twin-Well BiCMOS［B］-（E）结构 275

7.17　P-Well BiCMOS［C］-（A）工艺制程 277

7.18　P-Well BiCMOS［B］-（D）工艺制程 280

7.19　N-Well BiCMOS［C］-（A）工艺制程 286

7.20　N-Well BiCMOS［B］-（A）工艺制程 290

7.21　Twin-Well BiCMOS［B］-（A）工艺制程 293

7.22　Twin-Well BiCMOS［B］-（D）工艺制程 297

第8章　LV/HV兼容BiCMOS集成电路结构与制造技术 303

8.1　低压／高压兼容P-Well BiCMOS［C］-（A）结构 303

8.2　低压／高压兼容P-Well BiCMOS［C］-（B）结构 305

8.3　低压／高压兼容P-Well BiCMOS［B］-（A）结构 307

8.4　低压／高压兼容P-Well BiCMOS［B］-（B）结构 309

8.5　低压／高压兼容N-Well BiCMOS［C］-（A）结构 311

8.6　低压／高压兼容N-Well BiCMOS［C］-（B）结构 313

8.7　低压／高压兼容N-Well BiCMOS［B］-（A）结构 316

8.8　低压／高压兼容N-Well BiCMOS［B］-（B）结构 318

8.9　低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS［C］-（A）结构 320

8.10　低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS［C］-（B）结构 322

8.11　低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS［B］-（A）结构 324

8.12　低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS［B］-（B）结构 326

8.13　低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS［B］-（C）结构 328

8.14　LV/HV P-Well BiCMOS［C］-（A）工艺制程 330

8.15　LV/HV P-Well BiCMOS［B］-（A）工艺制程 333

8.16　LV/HV N-Well BiCMOS［C］-（B）工艺制程 338

8.17　LV/HV N-Well BiCMOS［B］-（B）工艺制程 343

8.18　LV/HV Twin-Well BiCMOS［B］-（A）工艺制程 346

8.19 LV/HV Twin-Well BiCMOS［B］-（B）工艺制程 351

第9章　LV/HV兼容BCD集成电路结构与制造技术 356

9.1　低压／高压兼容P-Well BCD［C］-（A）结构 356

9.2　低压／高压兼容P-Well BCD［C］-（B）结构 358

9.3　低压／高压兼容P-Well BCD［C］-（C）结构 360

9.4　低压／高压兼容P-Well BCD［C］-（D）结构 362

9.5　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（A）结构 365

9.6　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（B）结构 367

9.7　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（C）结构 369

9.8　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（D）结构 371

9.9　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（E）结构 373

9.10　低压／高压兼容N-Well BCD［C］-（F）结构 375

9.11　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（A）结构 377

9.12　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（B）结构 379

9.13　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（C）结构 381

9.14　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（D）结构 383

9.15　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（E）结构 385

9.16　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（F）结构 387

9.17　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（A1）结构 389

9.18　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（A2）结构 391

9.19　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（A3）结构 393

9.20　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（A4）结构 395

9.21　低压／高压兼容P-Well BCD［B］-（B＊）结构 397

9.22　低压／高压兼容Twin-Well BCD［C］结构 399

9.23　低压／高压兼容Twin-Well BCD［B］结构 401

9.24　LV/HV P-Well BCD［C］-（C）工艺制程 403

9.25　LV/HV N-Well BCD［C］-（D）工艺制程 407

9.26　LV/HV P-Well BCD［B］-（F）工艺制程 410

9.27　LV/HV P-Well BCD［B］-（A3）工艺制程 415

9.28　LV/HV P-Well BCD［B］-（B＊）工艺制程 419

9.29　LV/HV Twin-Well BCD［B］工艺制程 423

附录Ⅰ 参考资料 429

附录Ⅱ 术语缩写对照 430

附录Ⅲ　简要提示 434