第三届全国半导体集成电路硅材料学会会论文集摘要PDF电子书下载

特邀报告 1

超大规模集成电路的发展&王守武 1

原生微缺陷的热处理行为及其对硅中氧沉淀的影响&林兰英 2

超大规模及超高速集成电路&黄敞 2

用于制备LSI及VSLI的单晶硅材料问题&宋秉治 孙膺九 3

VLSI极限和器件图形微细化&李志坚 5

硅单晶中碳化硅微夹杂的来源的研究&万群 李玉珍 秦福 罗守礼 7

第一部分 半导体材料硅 1

一、硅材料制备及性质 1

低温法制备高纯SiHCI3的理论探讨&王锦生 宋秉治 何祖云 于蕴庭 赵光朴 董增文 刘淑敏 赵永发 1

钛冷凝器在三氯氢硅精馏中的应用&峨眉半导体材料研究所材质试验组 2

大直径硅单晶制备中氩气的单级提纯及净化&张忆延 6

高纯四氯化硅的制备&傅雄强 张蓬英 宁培琪 8

关于硅晶体中体层错的研究&肖治纲 吴杏芳 宋志毅 陈晞 10

硅单晶片的表面热诱导微缺陷的主要起源及其消除方法&张一心 程美乔 刘淑琴 11

硅中磷沉淀引起的一种位错环列&谢茂浓 张景韶 潘文元 12

改善硅单晶轴向氧分布的工艺试验&黄有志 14

生长条件与漩涡缺陷形成关系的探讨&林汝淦 张金福 15

直拉硅片中热生微缺陷的形成与行为&郎益谦 16

原生无位错直拉硅单晶中与氧有关漩涡缺陷的电镜观察&钱家骏 褚一鸣 林兰英 18

掺硼直拉硅单晶中杂质条纹及漩涡缺陷分布&黄大定 赵力群 汪光川 梁骏吾 19

弯月面对直拉硅单晶杂质分布的影响&梁骏吾 Torbjorn Calberg 20

生长条件对直拉硅单晶微缺陷形成的初步探讨&麦振洪 崔树范 傅全贵 周康权 李积和 21

大直径直拉硅单晶内在质量的控制&朱黎辉 石观雨 22

热处理与少子寿命关系&倪玫 23

直拉硅单晶的热处理&杨洪林 26

硅片表面的线状杂质团&刘芝连 吕山君 常冬青 28

硅单晶中的硅氢键和氢致缺陷&麦振洪 崔树范 29

掺氮区熔硅单品的研究&梁骏吾 邓礼生 范缇文 郑红军 刘凤祥 30

含氮区熔硅单晶&杨昌儒 30

溅射a-Si:H质量与溅射时衬底温度的关系&罗晋生 戎霭伦 32

氦和氢气体对GD a-Si:H性质的影响&马洪磊 曹宝成 李淑英 陆大荣 34

SiCI4外延乙硼烷掺杂的热力学分析&安策 36

矩形反应器的速度分布和质量输运&金希卓 刘明登 耿焕珍 38

低压溴气相抛光技术的研究&李艳荣 刘倩如 41

三溴化硼掺杂源浓度稳定性与掺杂源初始浓度的关系&罗振英 孙以材 43

用部分离化束的方法实现Si在Si上的外延&秦复光 王向明 杨光荣 45

P/P+硅外延掺杂技术的研究&刘倩如 李艳荣 48

P/P+型外延层电阻率均匀性、一致性控制&罗振英 孙以材 50

硅外延气相掺杂法&吴凤朝 耿焕珍 刘恩沛 52

推荐一种外延硅源&朱忠伶 崔峘 54

硅外延层杂质分布的均匀性、一致性与自掺杂效应&孙以材 罗振英 56

硅外延层厚度一致性的实验研究&刘玉岑 申勇 韩义 58

高阻P型硅外延片的研制&王锦生 宋秉治 何祖云 于蕴廷 赵光朴 董增文 刘淑敏 赵永发 59

外延片滑移线的分析与实验&王鸣启 61

VMOS器件N/N+（100）硅外延工艺&张永达 李继光 62

N/P硅外延的自掺杂控制&刘倩如 李艳荣 63

衬底对硅烷外延生长速率的影响&章熙康 顾隆道 65

低压外延生长的动力学分析&刘倩如 67

N型<100>硅外延片的试制&张佩显 宫瑞敏 纪金堂 69

SiC14外延生长硅晶体中碳沾污的热力学研究&徐宝琨 赵慕愚 71

硅单晶中氧碳杂质在热处理时的行为&梁骏吾 邓礼生 郑红军 刘凤祥 73

硅中碳的行为与影响&孙膺九 74

多晶硅中碳化物的实验与理论研究&万群 李玉珍 徐宝琨 赵慕愚 76

多晶硅中碳的来源及其去除方法的探讨&晋华正 78

SiC14氢还原低压硅外延生长碳沾污的研究&杨树人 刘明登 许新民 傅则忠 李玉珍 79

硅衬底上多晶硅薄膜的固相外延&张利春 倪学文 高玉芝 阎桂珍 沈悌明 81

低压化学汽相淀积无定形硅的固相外延&王阳元 C·Jou 等 81

硅片的“雾缺陷”及其本征吸除效果&杨梦燕 耿锡锟 毛幼馨 赖群 章明智 宋润城 杨庆芳 刘卫国 82

双吸除技术对提高LSI所用硅单晶性能的作用&周士仁 叶以正 陈德源 王志加 邵全法 杨家德 胡世忠 84

本征吸除工艺研究&王贵华 王东红 85

CZ硅的内吸除及其在MOS LSI中的应用&郑鸿宸 执笔 87

内吸除热处理的几个问题&徐岳生 张维连 林秀俊 任丙彦 陈国鹰 89

金属杂质沾污与雾缺陷&徐冬良 郭如芳 聂秀琼 李吉海 余斌 谭玉华 燕朝林 91

关于本征吸除的几个问题讨论&张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴 92

氧本征吸收在MOS器件工艺中的应用&许康 王为林 罗桂昌 史遵兰 邵海文 季美华 翁建华 93

本征吸除在LSI生产中的试用实验结果&马浩然 曹介福 杨模诗 张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴 96

本征吸除技术在三吋硅片上的应用&王东红 陈德源 叶以正 王贵华 邵全法 李银波 许平 98

NTD CZ Si的退火行为研究&孟祥提 张秉忠 100

NTD硅轴向杂质均匀性的研究&徐文耀 102

NTD在半导体器件中的应用&伍烈城 103

NTD硅CO2激光退火研究&潘家齐 丁乐礼 傅汝廉 开桂云 105

二、理化分析、方法与测试 106

利用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命&谭长华 许铭真 李树栋 陈文茹 106

宝石激光器辐照下的硅表面氧化问题&王忠烈 汉·惠斯登杜布 弗·萨里斯 许振嘉 陈维德 107

Pt/Si和Pd/Si肖特基接触的XPS研究&戴道宣 鲍敏杭 田曾举 姜国宝 109

洁净硅片表面的低损耗SIMS分析&杨存安 王化文 111

掺氧多晶硅薄膜的组分分析&王云珍 陈心和 李月珍 113

金在硅-氮化硅界面的电学效应&李思渊 李寿嵩 王毓珍 张同军 115

掺镧（La）Si/SiO2界面电学性能的研究&李思渊 李寿嵩 张同军 王毓珍 118

洁净硅片表面质量的AES分析&王乃铸 王志 张永康 王化文 王彦才 谭立雅 120

A1/Pt Si/Si肖特基接触的AES研究&戴道宣 鲍敏杭 田曾举 姜国宝 许俊 邹惠良 122

硅晶体中氢缺陷红外光谱的理论分析&高国荣 辛耀权 124

结深、表面杂质浓度和结电容、表面肖特基势垒电容关系的理论计算&王万录 廖克俊 126

在范德堡测试结构中对平面非平行圆片样品电阻率公式的推证&陈威 孙毅之 徐维明 张又立 130

半导体材料硅、砷化镓的光学常数和相移的数值计算&李光平 何秀坤 130

微分剥层中硅阳极氧化的研究&陈蒲生 黄友三 刘承辉 姜晓燕 梁海生 陈静娟 132

硅在氧等离子体中的阳极氧化&刘春荣 汪光纯 135

超薄氧化膜在n/n+硅外延测试中的应用&张镜容 卢伟泉 张凤兰 李汝强 137

微处理机在C-V测试中的应用&周小茵 金才政 140

一种提高硅单晶光学定向精度的新技术&侯承贵 宋登元 郭宝增 143

扫描电子束退火硅片的电学性质&郑丽荣 陈进 145

硅（100）面漩涡缺陷不同腐蚀液显示的微观形貌&张家坚 李国江 148

硅中微区氧的测量方法&雷沛云 郑怀德 孙伯康 张泽华 150

一种能测定高掺杂浓度的新方法&杨耀鑫 152

对硅单晶中的杂质检测&吕淑求 陈国鹰 154

脉冲MOS C-V法检测n沟区离子注入杂质浓度分布&何德湛 156

自Si衬底向SiO2的热电子发射的实验测量&陈永珍 159

气相反应——气相色谱法对SiHCl3中有机物总碳的检测&叶与录 162

氢气中痕量CO、CH4、CO2的气相色谱法测定&叶与录 李泉 于进才 陈惠聪 李兰枝 163

硅片上磷硅玻璃薄膜及多晶硅层中磷浓度的比色测定&陈惠英 164

改进的高频法电阻率测量&张洪川 陈永同 谭松青 167

自动扩展电阻探针仪&张敬海 包宗明 林绍基 汤亚如 168

半导体深能级的二种新的DLTS测量方法&孙勤生 169

半无穷大样品中非均匀光注入条行下寿命测量的研究&陈修治 171

1.085微米红外光源硅单晶寿命仪&阙端麟 赵榕椿 姚野 172

（100）硅单晶定向光班对应晶面的研究&侯承贵 宋登元 郭宝增 172

用激光反射法测量硅-介质膜的界面应力&孙沩 王一谦 陆美蓉 174

P-N结横向扩散宽度测量方法的探讨&陈蒲生 梁海生 刘承辉 黄友三 175

硅圆片平整度及其测试&张志刚 177

对集成电路工艺检测用钨探针的若干改进&傅定侯 180

第二部分 集成电路 181

一、双极集成电路 181

氧化物隔离ECL100K电路&刘英清 肖钊谦 181

门延迟5.5ns的高可靠LSTTL系列电路&牛庆昌 刘自成 183

彩色电视机色通道电路的研制&白元根 曹建安 葛垂安 骆季奎 185

集成模拟乘法器单端输出电路分析&鲍天保 186

一种低压微功耗运放电路&戴玉明 徐素坤 王立 190

S与LS系列TTL集成电路中的肖特基器件&沈文正 192

四值电压型转换逻辑集成电路&郑学仁 黄兆俊 陈斗南 贝承训 195

三值TTL与非门研究&宋兆元 张廷庆 刘家璐 李良能 196

I2L多值逻辑电路的研究&张廷庆 宋兆元 刘家璐 198

非门极少的逻辑综合——DYL电路逻辑设计讨论&刘汉龙 200

双层双极集成电路的研制&白玉鑫 税有先 202

双门限电压比较器工作原理与测试分析&李嗣德 204

ECL100K电路的温度补偿和电压补偿&冯庆瑞 张振华 207

W7800系列集成稳压源的设计特点&郦扬成 210

集成电路与晶体管稳压电源的计算机辅助分析&范贻明 213

一个新的优化算法及其在电路机辅设计中的应用&谈根林 吕炳仁 215

“BL”相机专用集成电路试制&郑玉琦 218

一种电子相机专用集成电路的设计&刘晓淮 221

超导触发器&张礼德 戴远东 高亦涵 223

集成模拟乘法器误差的快速检测&鲍天保 徐淮琪 228

硅pin二极管在大的电注入情况下的红外发光特性&谢孟贤 230

监控低功耗肖特基TTL集成电路系列研制的微电子测试图形&黄敞 沈文正 边江 231

单片集成高压显示电路的研制&张煌志 宋长江 王永义 232

一种适用于高温工作的新型晶体管&仲玉林 丛众 刘秉政 233

STTL中SBD面积设计分析模型和SBD欧姆接触特性&林雁 234

二、MOS集成电路 236

高速4K×1位静态MOS RAM&李肇玲 236

CM2114 4K静态RAM的设计&祝忠德 陈贤 宁宝俊 盛世敏 238

16K位可改编程序只读存储器的研制&上海冶金研究所EPROM研制组 240

硅栅CMOS1024位随机存储器&上海冶金研究所一室CMOS组 241

EEPROM存储单元特性研究&勒东明 朱钧 熊大菁 李志坚 242

短沟道MOSFET的实验研究&滕学公 仇玉林 侯秀芝 陈潮枢 245

全离子注入CMOS电路中N阱的设计&童勤义 唐国洪 陈德英 庄庆德 246

CMOS电路最经济结构的设计方法&谢世健 赵文霞 蔡世俊 249

硅衬厚度和背接触势垒高度对MOS电容器性能的影响&夏永伟 孔令坤 张冬萱 252

DG0040的设计与工艺&仲进才 252

BAD-32抽头模拟延迟线&朱以南 李为翰 舒辉然 255

一种集成开关电容滤波器&陈志良 南德恒 石秉学 257

E/DMOS电压基准&汤庭鳌 郑增钰 程君侠 259

CM2114 1K×4 NMOS SRAM的CAD模拟计算和CAT测试&徐葭生 杨肇敏 张明宝 朱麟祥 262

抗锁工艺及其数据分析&赵春城 魏占发 263

Cμ8085A的逻辑、电路及版图设计特点——Cμ8085A研究报告之一&岳震伍 羊性滋 王嵩梅 齐家月 266

Cμ8085A工艺参数的确定——Cμ8085A研究报告之二&李林法 张建人 蒋志 吴正立 268

Cμ8085A中MOSFET阈电压的控制——Cμ8085A研究报告之三&吴正立 张建人 蒋志 李林法 272

Cμ8085A的芯片测试分析——Cμ8085A研究报告之四&郭尚才 275

Cμ8085A微处理器实时功能比较测试——Cμ8085A研究报告之五&孙义和 陈兆龙 277

自举漏举它举电路中自举电容的选取&金功九 孙国樑 279

金属/a-Si:HC/α-Si:H/C-P+Si结构存储单元的实验研究&王万录 281

N阱全离子注入硅栅CMOS工艺中短沟和窄沟MOS晶体管的某些实验特性&刘忠立 282

用MOS工艺研制低速调制解调器的几个关键问题&张正刚 284

磷扩散短沟道MOS管的剖面结构&汪仁里 杨立锦 286

高速铝栅CMOS计数器的设计&谢世健 赵文霞 237

MNOS存储管版图结构设计&张尔保 姜洪福 290

封闭硅栅CMOS电路的最佳设计&谢世健 丁璇英 赵文霞 朱静远 张成锦 292

Bi-CMOS运算放大器&李道隆 冯国彦 蒋键飞 295

CMOS运放和比较器设计分析&赖宗声 蒋健飞 瞿玉宝 岑乐鼎 298

VVMOS场效应晶体管高表面场特性分析&刘可辛 付预 李宏 300

双极-MOS相容型四路模拟开关电路的研制&张煌志 魏凤？ 白元根 303

MOS结构的热电子效应&吴凤美 郑有炓 304

心脏起搏器电路单片集成的相容性问题&茅有福 徐慰君 306

2nR扩散电阻链DAC的失配分析及改进方案&金功九 308

一种典型双积分A/D转换器的电路分析&盛世敏 莫邦燹 310

一种单片MOS八位A/D转换器&金功九 李瑞伟 312

一种新型的数模转换取样电路及比较器&岑乐鼎 潘尧令 313

集成电路芯片显微照相的新技术&石仲斌 洪克文 316

关于8085A版图设计的某些讨论&李华 319

自举电路的简捷设计&卢林 319

E/D驱动电路的最佳设计&卢林 322

CMOS音乐集成电路的初步研究&沈悌明 张利春 倪学文 阎桂珍 324

十位模数转换（A/D）器逻辑控制部分集成电路4E702&郑增钰 程君侠 鲍慧君 张国权 孙林根 326

一种新型CMOS单片8位A/D转换器——ADC0801解剖分析&岑乐鼎 潘尧令 肖伟根 327

介绍一种带自动恢复电路的单电源16k DRAM的设计&陈贤 宁宝俊 329

三、集成电路工艺 331

聚酰亚胺膜的制备及其刻蚀工艺的研究&廖萃荃 331

φ75mm硅片等离子体刻蚀系统&杜元成 王国兴 333

无显影光刻机理的探讨&刘济民 郭增权 李大虹 335

反应离子刻铝&张崇玖 337

用SF6反应溅射腐蚀多晶硅的工艺研究&李秉臣 李泰敏 陈志才 338

LPCVD法制备多晶硅膜的工艺研究&曹寿武 340

LPCVD重掺磷多晶硅薄膜淀积工艺&何运恒 孙德明 李舒明 蒋翔六 343

低压化学汽相淀积半绝缘多晶硅的性质研究&瞿冬青 李洪鑫 李彦波 345

激光增强低压化学汽相淀积多晶硅膜&王英民 李星文 347

多晶硅生长中气压的影响&李星文 王英民 348

离子注入多晶硅的电子束退火&张国炳 王继红 卢殿通 陶敦仁 351

多晶硅膜的热氧化&王阳元 张爱珍 353

重掺杂多晶硅氧化后的形貌&张爱珍 王阳元 354

有侧向籽晶的激光再结晶硅膜MOSFET&马滕阁 林惠旺 钱佩信 李志坚 355

常压氢氧合成氧化工艺及其在集成电路生产中的应用&赵小林 朱美华 357

氢氧燃烧的水汽氧化系统中氢氧反应条件的研究&徐元华 359

硅的常压氢氧合成水蒸汽氧化&和致济 傅志煌 梁桂荣 361

MOS LSI用优质薄栅SiO2介质的制备&许康 史遵兰 罗桂昌 王为林 邵海文 季美华 363

非常薄的SiO2膜的生长和特性&熊大菁 朱钧 于诗南 侯东彦 366

动态16KRAM中的氧化工艺研究&刘显明 李锦织 敖玉贵 368

等离子增强化学气相淀积氮化硅&汪师俊 夏酉庭 马林宝 369

扩散型等离子CVD-Si3N4膜的制备与性能&曹友琦 371

用新的LPCVD型PCVD技术淀积钝化薄膜&王季陶 王焕杰 连美华 376

LPCVD-Si3N4的工艺研究&张佐斌 严伟 郑志磊 378

低温等离子体淀积氢化氮化硅薄膜&樊国华 肖仲杨 汪树成 380

SiH2Cl2-NH3体系低压化学气相淀积氮化硅&叶惠珍 马林宝 汪师俊 381

LPCVD三维摸拟的探付&张世理 王季陶 383

LPCVD膜层均匀性机理&李祥轩 撒应虎 385

HC1的清洁作用和Si3N4钝化性能的联合应用&陆德仁 叶树萍 顾为芳 387

反应离子刻氮化硅和多晶硅&张崇玖 389

氢化非晶硅钝化膜在MOS器件上的应用&何宇亮 杜家方 叶峰 熊承堃 张荣欣 沈泳兴 薛自 391

氮化硅薄膜对集成晶体管特性的影响&吴宪平 晋琦 杨恒青 沈兆友 392

氮化硅-二氧化硅结构作为栅介质在HMOS大规模集成电路中的应用&蹇哲人 蔺景书 394

10兆赫高性能大规模集成电路测试图案发生器的研究&林雨 林梅梅 396

脉冲激光退火集成电路掩蔽工艺研究&石万全 柳雪君 刘世祥 商作起 虞嘉峰 李大虹 397

降低器件噪声的亚表面埋层工艺&丁成玉 399

用As乳胶源扩散工艺制作微米沟道硅栅NMOS器件&宋良元 400

As离子注入多晶硅制备高浓度浅结的研究&来永春 张通和 罗晏 沈京华 402

As离子通过薄SiO2层注入单晶Si制备高浓度浅结的研究&罗晏 来永春 张通和 沈京华 404

Ne+、Ar+、Kr+注入Ge的损伤模型&云镇 赵鸿麟 406

LSTTL电路的金属系统&史佩枋 李林 408

微电子测试图形对CMOS工艺的监控效益&朱华昌 薛自 李广根 高达源 傅定候 赵向娅 410

TTL生产工艺及其计算机模拟&叶治平 412

用于MOS功率集成电路的VVMOS与NMOS相容技术研究&张蓓榕 徐静芳 416

CMOS/SOS集成技术研究&罗夷伦 杨建鲁 刘俊哲 418

便携式LSI通用测试仪&徐中佑 420

掩膜套准测试结构的应用&桂力敏 贺德洪 瞿斌 陈平 422

LSI工艺中材质对高纯水的污染及选择&闻端梅 陶缔先 423

高纯水中钠的监控及其对电路成品率的影响&张连贵 王铁坤 425

钼-硅欧姆接触研究&武蕴忠 孙承龙 徐梅芳 427

光学反射法在线监控的应用&严金龙 沈国雄 蔡根 陆民山 杜冰莹 陈宣兆 429

磷硅玻璃薄膜在大规模集成电路中的应用&曾天亮 江志庚 乐金媛 徐桂英 431

迴流技术在LSI中的应用&胡志明 432

常压液态源淀积磷硅玻璃及迴流工艺&庄庆德 434

硅单晶片的SiO2抛光机理探讨&施为德 陈宝印 刘秀英 436

对Speed FAM型抛光机用的抛光液探讨&朱家科 李桂森 438

SiO2抛光技术与抛光机理探讨&刘凤伟 赵国安 440

用金属杂质和缺陷的自吸除工艺消除硅器件的二次缺陷和制备低噪声超增益晶体管&林军 441

等离子射频退火的实验研究&李克宽 赖家培 443

关于双极型集成电路埋层图形的变形&卢文豪 宋毓培 严福宁 444

单层胶的铝剥离工艺&张礼德 张百虎 秦建颖 陈勇 446

镍质微孔膜小型高效过滤器的滤尘性能及其在氧化工艺中的应用&和致经 傅志煌 447

电火花修正技术&杜支华 王德厚 448

P/P+硅外延中废片的回收利用&杨瑶林 顾燮煜 关春堂 451

掺砷乳胶源在IC埋层扩散工艺中的应用&廖太仪 453

用冠醚除去硅表面的碱金属杂质&胡绪洲 456

等离子腐蚀多晶硅条件的选取&吴政长 邓志刚 459

硅中硼磷扩散的二维分布及其差异&邓长吉 曾庆诚 459

在双极电路中硼离子注入条件的选择&李国辉 阎凤章 吕贤淑 苏绍义 白兴元 461

介绍一种简易的平板型刻蚀装置&张崇玖 463

改造风雷化学抛光机用SiO2抛光&刘广礼 赵淑琴 464

氧化物隔离工艺的发展&刘英清 466

HC1在MOSFET中的应用&陆德仁 顾为芳 叶树萍 469

VMOS表面平整度及对电性相关影响机理&张建成 方龙森 469

适合微细加工用的高亮度点离子源和亚微米离子束&耿漫 段玉 469

硅集成电路制备中隔离扩散工艺条件的选择&刘玉岭 保爱林 李智明 469

MNOS非易失性存储器薄氧化层热生长的研究&王爵树 程同广 刘德忠 469

关于812洗涤剂在结型场效应管生产线上清洗机理的研究和实际应用&祁金亮 469