金属-缘绝体-半导体微电子学系统的物理基础PDF电子书下载

目录 1

第一章在半导体衬底上生长绝缘膜 1

§1半导体经氧化而形成绝缘膜的方法 2

§2杂质对氧化层性质的影响 19

§3制备绝缘膜的其它方法 25

第二章MIS结构参数的测量方法 31

§1 MIS系统的等效电路 31

§2根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法 33

§3基于测量横向电导G（MIS阻抗的有功分量）的方法 40

§4研究表面和MIS系统的光电法 43

§5热激现象法 51

第三章绝缘体－半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究 57

§1应用电子衍射法研究表面氧化层 58

§2表面氧化层的光学特性 59

§3氧化物的结构--层状模型 69

§4质谱法研究绝缘层结构 72

§5氧化物结构和化学键的特性 74

§6绝缘层结构和其电学性能的关系 77

§7与氧化物内局域电荷有关的绝缘体－半导体结构的电学性质 87

第四章绝缘体－半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质 92

§1半导体－绝缘体结构的三层模型 92

§2绝缘体－半导体系统界面的电学参数 101

§3 MIS结构表面沟道散射过程的特点 113

第五章MIS结构中的产生现象和输运过程 134

§1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系 134

§2 MIS结构中的双极产生过程 138

§3硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果 146

§4 MIS结构产生和复合参数的相互关系 159

§5绝缘体内的电荷输运和场产生 162

§6半导体衬底内的场产生 170

§7隧道谱 177

§8厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象[动态隧道效应] 182

第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应 189

§1 MIS系统中的光电容效应理论 189

§2在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性 205

§3光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程 212

§4具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象 220

第七章MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法 239

§1表面电荷不均匀性的统计模型 239

§2具有非均匀分布表面电荷的MIS电容器模型 241

§3确定表面电荷微区不均匀性特征参数的方法 242

§4表面电荷不均匀性影响MIS系统特性的实验数据 260

第八章电荷耦合器件 267

§1 电荷耦合器件工作的物理原理 267

§2 CCD的工作状态 272

§3电荷损失机理 278

§4 CCD器件的工作特点 283

§5不同类型的CCD集成电路 285

第九章MIS和绝缘体－半导体结构的器件和组件 294

§1表面变容器 294

§2 MIS和绝缘体－半导体光敏器件 309

§3绝缘栅MIS场效应晶体管 316

参考文献 329